公開了形成半導體結構的方法。所公開的方法包括通過循環沉積過程在高k電介質材料的表面上沉積包含三元鎵材料的偶極層。還公開了通過原子層沉積過程在襯底上沉積偶極層的方法。還公開了采用三元鎵材料形成半導體器件的方法。

提出了具有有效溫度控制能力的反應室和包括該反應室的襯底處理系統。反應室可以包括：室壁，其配置為環繞在其中處理晶片的反應空間；晶片支撐件，其設置在室壁的下部和中心處，并且晶片支撐件配置為支撐晶片；噴淋頭，其設置在室壁的上側；氣體通道(GC...

描述了材料沉積裝置和相關方法。當前描述的設備和方法允許在沉積和蝕刻步驟期間以變化的襯底旋轉速度執行循環沉積?蝕刻過程。因此，它們允許沉積具有優異均勻性的材料。

一種檢查夾具包括用于支撐工件的座、背壓傳感器和焦平面陣列。背壓傳感器聯接到座，以獲取穿過限定在支撐于檢查夾具的座上的工件中的第一流動孔和第二流動孔中的一個的流體的背壓。光學焦平面陣列還聯接到座以獲取工件的包括限定在支撐于檢查夾具的座上的...

一種能夠最小化下部空間中的填充氣體對基板處理的影響的基板處理設備包括：基板支撐單元；圍繞基板支撐單元的至少一個環；基板支撐單元上的處理單元；以及排放單元，其連接到基板支撐單元和處理單元之間的反應空間，其中反應空間中的第一氣體通過第一通道...

公開了一種用于支撐晶片的末端執行器。末端執行器包括主體、形成在主體中的真空管線、布置成用于接觸晶片的內部區域的第一支撐件、在第一支撐件的邊界內與真空管線連通的至少一個開口以及布置成用于接觸晶片的外邊緣的至少一個第二支撐件。

提供了一種包括襯底輸送單元和空氣分離單元的襯底輸送室。空氣分離單元將空氣分離成氮氣和氧氣。從空氣中分離出的氮氣被供應到襯底輸送單元以吹掃襯底輸送單元，并且從空氣中分離出的氧氣被排放到襯底輸送室的外部。

一種真空機器人包括末端執行器和發電機，末端執行器包括靜電卡盤，發電機聯接到末端執行器以向末端執行器提供夾持電壓來激活靜電卡盤。發電機可以包括從以下中的至少一個產生電能：光源、激光源或磁場中的一組電線圈。

本技術的各種實施例可以提供一種系統，該系統具有反應器，該反應器具有反應空間和配置成測量反應空間內部的壓力的壓力監測系統。壓力監測系統可以包括兩個或更多個壓力傳感器，其中每個壓力傳感器可以與兩個閥隔離，一個閥布置在壓力傳感器的上游，另一個...

用于沉積復合膜的方法、系統和裝置，包括支撐襯底，經由第一非原子層沉積(非ALD)過程沉積第一金屬電極，經由第一循環ALD過程沉積第一金屬襯里，經由第二循環ALD過程沉積包括第一晶體結構的介電層，其中介電層與第一金屬襯里層物理接觸并且至少...

本技術的各種實施例可以提供一種具有兩個單獨的排放集氣室的設備。該設備可以包括頂部部分，其具有至少一個入口以及第一排放集氣室和第二排放集氣室。該設備可以還包括底部部分，其具有聯接到第一排放集氣室的多個第一排放通孔和聯接到第二排放集氣室的多...

一種升降銷致動器包括致動器主體，其具有轂部分、第一臂部分和第二臂部分以及墊部分。致動器主體沿著旋轉軸線布置，轂部分圍繞旋轉軸線延伸，并且臂部分在與旋轉軸線相反且彼此平行的方向上從轂部分向外延伸。墊部分通過臂部分與轂部分徑向分開，墊部分將...

一種用于處理襯底的設備可以包括：由室壁部分地限定的反應室；設置在室壁中的壁加熱單元；設置在反應室內以支撐襯底的襯底支撐件；被構造和布置成面向襯底支撐件的噴淋頭；設置在噴淋頭中的噴淋頭加熱單元；以及控制器，其配置成控制壁加熱單元和噴淋頭加...

公開了用于將氮化鉬膜沉積在襯底表面上的方法。所述方法可以包括：將襯底提供到反應室中；以及通過執行循環沉積工藝的一個或多個單元沉積循環將氮化鉬膜直接沉積在襯底表面上，其中單元沉積循環可以包括使襯底與包含鹵化鉬前體的第一氣相反應物接觸，并且...

提出了將正偏置DC電壓施加到襯底以減少襯底處理期間的離子損傷的方法以及使用該方法的襯底處理系統。為了減少來自離子轟擊的離子損傷，襯底處理系統可以包括反應室，反應室包括基座和襯底處理空間，其中基座包括加熱器；以及直流(DC)偏置單元，其包...

公開了用于在襯底上選擇性沉積材料的方法、系統和設備。在示例中，襯底被提供在反應室中，并且可以包括包含硅(Si)的第一表面和包含鍺(Ge)的第二表面。鈍化層可以相對于第二表面選擇性地沉積在第一表面上。這可以通過在第一循環沉積子循環期間使襯...

本發明涉及用于處理半導體襯底的方法及組件，例如用于從半導體襯底去除(例如蝕刻)含鉬材料的方法及組件。該方法可用于制造半導體器件，例如存儲器器件、晶體管和二極管。本文公開的從襯底表面去除含鉬材料的方法包括在反應室中提供包括含鉬材料的襯底，...

公開了采用金屬順序滲透合成過程來填充襯底上的凹陷特征的方法。所公開的方法包括在凹陷特征內形成有機層并將金屬物質引入到有機層中以允許形成金屬晶種層。隨后可以由金屬晶種層形成塊體金屬層以填充凹陷特征。

描述了用于形成超晶格的裝置、容器和方法。還描述了相關結構。在一些實施例中，使用一種或多種前體和一種或多種蝕刻劑的共流來制造包括假晶層的超晶格，比如用于CFETS和3D?DRAM的Si?SiGe超晶格。

公開了原子層沉積方法、用于在襯底上沉積層的方法以及相關的原子層沉積設備。所公開的方法包括將反應物氣體脈沖到反應器組件中，將反應物氣體保持在反應器組件內一定時間段，并且從反應器組件吹掃反應物氣體。