公開了一種選擇性沉積方法。該選擇性沉積方法包括：在處理室中提供多個(gè)襯底，多個(gè)襯底具有包含第一材料的第一表面和包含第二材料的第二表面，第一表面不同于第二表面，并且相對于第二表面在第一表面上選擇性地形成包含金屬的層，其中，選擇性地形成層包括...

提供了一種機(jī)器人升降裝置。機(jī)器人升降裝置包括配置成將襯底搬運(yùn)機(jī)器人提升至升高位置的機(jī)器人升降起重機(jī)。機(jī)器人升降裝置還包括軌道區(qū)段，其可以從平臺上的室延伸到外部區(qū)域。機(jī)器人升降起重機(jī)可以從室提升機(jī)器人并沿著軌道將其運(yùn)輸?shù)酵獠繀^(qū)域用于修理/...

用于半導(dǎo)體制造系統(tǒng)中的材料層沉積方法的方法和設(shè)備。控制器可以將襯底安置在襯底支撐件上。可將第一氣相反應(yīng)物提供到第一入口，并且可將第二氣相反應(yīng)物提供到遠(yuǎn)程等離子體單元，其可分解前體的至少一部分。可以使用分解產(chǎn)物將包括硅的外延材料層沉積到襯...

提供了一種模塊化梯子系統(tǒng)。模塊化梯子系統(tǒng)包括豎直梯子組件，豎直梯子組件包括具有梯子橋安裝件的豎直支撐件，梯子橋安裝件配置成與平臺的第一區(qū)段對接，以及成角度梯子。豎直支撐件還可以包括一個(gè)或多個(gè)可適配部件，其配置成根據(jù)處理模塊的形狀提供防墜...

描述了半金屬襯墊和金屬?絕緣體?金屬(MIM)電容器(MIMCAP)以及制造或制作方法。MIM電容器結(jié)構(gòu)包括由半金屬的薄層或膜形成的襯墊，其為幾納米厚，例如厚度在約0.5nm至約5nm或更大的范圍內(nèi)。半金屬襯墊夾在電極層和介電層(例如高...

提出了一種安全壓力開關(guān)。為了避免壓力開關(guān)故障，本公開提出了一種安全壓力開關(guān)，包括：容器，其成形為圓柱體，容器包括包含熔斷器插座的熔斷器室、開關(guān)室和包含孔的分離器；壓力開關(guān)，其設(shè)置在開關(guān)室中；熔斷器，其設(shè)置在熔斷器插座中；以及通過孔連接到...

一種流體系統(tǒng)包括導(dǎo)管、聯(lián)接到導(dǎo)管的濃度傳感器以及處理器。處理器設(shè)置成與濃度傳感器通信并且響應(yīng)于記錄在存儲器上的指令以接收濃度控制選擇，進(jìn)一步接收指示夾帶在由導(dǎo)管輸送的流體中的流體?載體中的流體成分的濃度的信號，并且確定流體成分的濃度。當(dāng)...

公開了物理氣相沉積(PVD)系統(tǒng)和模塊。示例性系統(tǒng)可以包括一個(gè)或多個(gè)PVD模塊、脫氣模塊、預(yù)清潔模塊和/或一個(gè)或多個(gè)輔助模塊。輔助模塊可以用作冷卻模塊、計(jì)量模塊等。

公開了在處理襯底的反應(yīng)器中使用的歧管結(jié)構(gòu)和配備有該歧管結(jié)構(gòu)的反應(yīng)器。歧管結(jié)構(gòu)包括歧管筒，其豎直設(shè)置并且包括電入口；直流(DC)偏置電源，其配置成向歧管筒供應(yīng)負(fù)偏置DC并且還配置成連接到電入口；頂部注入單元，其設(shè)置在歧管筒的頂側(cè)并且包括反...

公開了用于填充襯底上的凹陷特征的方法。所公開的方法包括在襯底上沉積可流動層結(jié)構(gòu)，并將可流動層結(jié)構(gòu)加熱至高于可流動層結(jié)構(gòu)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。用于沉積可流動層結(jié)構(gòu)的方法包括采用原子層沉積過程沉積基于氧化鋁的可流動層結(jié)構(gòu)。

一種用于在襯底上沉積氧化物的方法，包括：a)在室中提供襯底；b)首先將前體脈沖到室中，以將組分化學(xué)吸附到襯底表面上；c)將氧物質(zhì)脈沖到室中，以在與組分接觸時(shí)在表面上形成氧化物層，其中氧物質(zhì)包括醇；以及重復(fù)一個(gè)或多個(gè)步驟b)?c)，直到氧...

在一個(gè)實(shí)施例中，本公開涉及一種用于向具有多個(gè)功率信號輸入的等離子體室提供能量的系統(tǒng)。電源將輸出信號傳輸?shù)狡ヅ潆娐贰Ｃ總€(gè)匹配電路提供不同的匹配位置。存儲器對于每個(gè)匹配電路的每個(gè)匹配位置并且對于每個(gè)輸出信號存儲匹配電路的輸出處的輸出信號的參...

在一個(gè)實(shí)施例中，公開了一種用于控制半導(dǎo)體制造系統(tǒng)的匹配網(wǎng)絡(luò)的系統(tǒng)。匹配網(wǎng)絡(luò)包括電子可變電抗元件(EVRE)，其使用不同的匹配配置來改變其總電抗。等離子體室對襯底執(zhí)行過程，該過程包括處理步驟，處理步驟至少包括第一處理步驟和第二處理步驟。對...

公開了一種具有等離子體控制能力的襯底處理設(shè)備。該設(shè)備包括射頻(RF)源、等離子體室和等離子體控制系統(tǒng)，該等離子體控制系統(tǒng)包括：阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，其包括第一可變阻抗匹配裝置和第二可變阻抗匹配裝置；以及控制電路，其配置成：確定第一可變阻抗匹配裝...

公開了用于在設(shè)置在反應(yīng)室內(nèi)的襯底上選擇性地沉積硼摻雜硅鍺層的方法。所公開的方法包括通過采用硅前體、鹵化鍺前體和鹵化硼摻雜劑前體的外延沉積過程選擇性地沉積硼摻雜硅鍺層。

本技術(shù)的各種實(shí)施例可以提供一種用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。該方法可以包括：接收具有介電層和導(dǎo)電特征的源襯底，僅在導(dǎo)電特征的頂表面上選擇性地沉積阻擋層，改性介電層的頂表面，以及在改性介電層之后去除阻擋層。該方法還可以包括在沉積阻擋層之前清潔...

提供了用于在襯底上沉積金屬碳化物的方法和系統(tǒng)。該方法可以包括：在反應(yīng)室中提供襯底，在反應(yīng)室中提供包含具有第一金屬的金屬烷基的第一前體，在反應(yīng)室中提供包含鹵代烴的第二前體，以及在反應(yīng)室中提供包含與第一金屬不同的第二金屬的第三前體。可以在襯...

公開了閘閥組件、包括閘閥組件的反應(yīng)器系統(tǒng)以及在閘閥組件內(nèi)執(zhí)行并行操作的方法。所公開的閘閥組件包括閘閥塊主體，其配置成用于接收第一密封構(gòu)件和第二密封構(gòu)件。所公開的反應(yīng)器系統(tǒng)包括后端轉(zhuǎn)移模塊、處理模塊和閘閥組件，閘閥組件包括第一密封構(gòu)件和第...

公開了一種通過循環(huán)沉積工藝在襯底上形成含過渡金屬的膜的方法。所述方法可包括：使襯底與第一氣相反應(yīng)物接觸，所述第一氣相反應(yīng)物包含過渡金屬鹵化物化合物，所述過渡金屬鹵化物化合物包含二齒含氮加合物配體；以及使襯底與第二氣相反應(yīng)物接觸。公開了一...

一種襯底轉(zhuǎn)移機(jī)器人組件包括塔架、具有第一末端執(zhí)行器的第一臂以及具有第二末端執(zhí)行器和第三末端執(zhí)行器的第二臂。塔架限定塔架軸線，第一臂和第二臂從塔架徑向向外延伸，第一末端執(zhí)行器通過第一臂聯(lián)接到塔架，并且第二末端執(zhí)行器和第三末端執(zhí)行器通過第二...