公開了直接液體注射系統和包括直接液體注射系統的氣相沉積系統。示例性的直接液體注射系統和相關的氣相沉積系統可以配置用于通過循環沉積過程在襯底上形成含釩層。過循環沉積過程在襯底上形成含釩層。過循環沉積過程在襯底上形成含釩層。

本發明涉及外延生長摻雜硼和鎵的硅鍺層的方法和器件。這些層可以用作例如場效應晶體管中的p型源極和/或漏極區域。管中的p型源極和/或漏極區域。管中的p型源極和/或漏極區域。

一種吹掃噴嘴組件(10)包括吹掃噴嘴主體(12)，其包括入口開口(14)和出口開口(16)。出口開口(16)通向吹掃噴嘴接觸表面(18)。另外，吹掃噴嘴組件包括安裝主體(20)，用于將吹掃噴嘴組件(10)連接到外部框架構件。機械聯接機構...

公開了用于形成包括多個碳層的結構的方法和系統，以及使用該方法或系統形成的結構。示例性方法包括形成第一碳層和第二碳層，其中第一碳層的密度和/或其它性能不同于第二碳層相應的性能。相應的性能。相應的性能。

公開了一種薄膜沉積系統，以便在襯底上形成薄膜。薄膜沉積系統包括過氧化氫源。過氧化氫源包括將氫氣轉化為氫離子氣體的電化學電池。電化學電池將氧氣和水轉化為液相復合物。液相復合物與氫離子氣體反應以形成過氧化氫。液相復合物與氫離子氣體反應以形成...

本公開涉及一種用于處理襯底的設備例如立式爐中的處理管的法蘭。法蘭可以設置有開口和冷卻通道，開口用于在使用中進入處理管的處理室，冷卻通道用于允許冷卻流體流過其中并冷卻法蘭。導熱率在0.1和40W/m K之間的材料可以至少部分地設置在冷卻流...

一種能夠局部地控制等離子體強度并改善薄膜特性和厚度均勻性的襯底處理設備包括：供電單元、電連接到供電單元的處理單元和處理單元下方的襯底支撐單元，其中襯底支撐單元包括第一接地電極和第二接地電極。第一接地電極和第二接地電極。第一接地電極和第二...

一種用于反應器系統的激光器對準夾具，可以用于對準反應器系統的部件以允許將薄膜均勻沉積到襯底上。激光器對準夾具可以包括：蓋組件；以及多個激光器和傳感器組件。激光器對準夾具可以對準至少：流動控制環、基座，以及反應器系統的側壁。應器系統的側壁...

一種方法，可以包括：將四氯化釩設置在遞送容器中；將四氯化釩遞送到與遞送容器流體連通的反應室；減緩四氯化釩的分解產物向反應室的遞送；和/或將四氯化釩施加到設置在反應室中的襯底以在襯底上形成包括釩的層。中的襯底以在襯底上形成包括釩的層。中的...

一種反應器系統的基座組件的，可以包括由基座外邊緣限定的基座本體，基座本體包括基座外部部分和基座內部部分，其中基座外部部分鄰近于基座外邊緣，并且基座內部部分被至少部分地封閉在基座外部部分內；第一調節電路，包括邊緣電極和耦接到邊緣電極的第一...

公開了用于從反應系統中的反應室的內部清潔或蝕刻鉬膜或氮化鉬膜的設備和方法。利用遠程等離子體單元來活化與惰性氣體源混合的鹵化物前體以形成自由基氣體。自由基氣體與鉬膜或氮化鉬膜反應以形成副產物，該副產物通過吹掃氣體從反應室的內部除去。吹掃氣...

本公開涉及一種用于處理半導體基板且設置有由壁形成的殼體的半導體處理系統。該系統還可以包括處理模塊和盒模塊，盒模塊位于鄰近處理模塊。電子設備模塊可以設置有用于安裝電子設備部件的支撐件，從而電子設備模塊位于系統的壁中的門后面，以創建用于維護...

本發明涉及一種與FOUP處理器的快速FOUP交換。一種用于處理晶圓的立式批處理爐組件(10)具有盒處理空間(12)、晶圓處理空間(14)以及第一壁(16)，其將盒處理空間(12)與晶圓處理空間(14)分開。第一壁(16)具有至少一個晶圓...

本公開總體上涉及一種固體源前體輸送系統。更具體地，本公開涉及一種固體源前體容器，其可用于汽化儲存在容器內的固體前體的供應。公開的源容器利用容器的內部內的多個單獨的腔或凹穴。每個單獨的凹穴可裝載有前體。在一布置中，凹穴可裝載有壓縮的前體材...

一種立式批處理爐組件包括芯管、外殼、由外殼和芯管界定并包圍的冷卻室以及在冷卻室中發出的至少一個冷卻氣體供應。芯管具有沿縱向方向延伸的細長周向壁，并且配置成容納晶片以在立式批處理爐組件中進行處理。外殼圍繞芯管延伸并包括加熱元件，用于對容納...

本申請涉及在半導體襯底上方的三維結構中填充間隙。該方法可以包括使用利用具有第一頻率的第一射頻(RF)功率激活的至少一種反應氣體將薄膜至少沉積在襯底上方的三維結構上，所述三維結構包括溝槽和/或孔。該方法還可以包括使用利用具有小于第一頻率的...

公開了穩定溶液中的釩化合物的方法，包含釩化合物和穩定劑的組合物，包含該組合物的設備，使用該組合物的系統，以及使用該組合物、設備和系統的方法。穩定劑的使用允許使用期望的前驅體，而減輕前驅體的不希望的分解。而減輕前驅體的不希望的分解。而減輕...

公開了用于在基板的表面上沉積包括硼化釩和磷化釩中的一個或多個的層的方法和系統以及使用該方法形成的結構和器件。示例性方法包括使用沉積過程。沉積過程可以包括將釩前體提供至反應室并且分開地將反應物提供至反應室。示例性結構可包括場效應晶體管結構...

公開了用于沉積包括釩、氮和選自由鉬、鉭、鈮、鋁和硅構成的列表的元素的層的方法和系統。這些層被沉積到基板的表面上。沉積過程可以是循環沉積過程。可以結合這些層的示例性結構包括場效應晶體管、VNAND單元、金屬

本公開涉及形成含氮化釩的層的方法。所述方法包括在反應器的反應腔室內提供基板以及向基板的表面上沉積含氮化釩的層，其中沉積工藝包括向反應腔室提供釩前體以及向反應腔室提供氮前體。本公開還涉及包含含氮化釩的層的結構和器件。結構和器件。結構和器件。