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        索尼半導(dǎo)體解決方案公司專利技術(shù)

        索尼半導(dǎo)體解決方案公司共有3114項(xiàng)專利

        • 在抑制圖像質(zhì)量的下降的同時(shí),減小了非讀出時(shí)段內(nèi)的負(fù)載晶體管的電流。光檢測(cè)裝置包括:連接到第一有效像素的第一信號(hào)線;連接到第一信號(hào)線的第一電流源;設(shè)置在第一有效像素與第一電流源之間的第一開關(guān);連接到第二有效像素的第二信號(hào)線;連接到第二信號(hào)...
        • [問(wèn)題]為了更適當(dāng)?shù)亟邮占t外光波段的光。[解決方案]固態(tài)成像裝置包括第一像素、第二像素、布線層和紅外光透射濾光器。所述第一像素接收可見光波段的光并且生成可見光波段的像素信號(hào)。所述第二像素通過(guò)與所述第一像素層疊而形成,并且接收透過(guò)所述第一...
        • 提供了一種能夠在抑制暗電流產(chǎn)生的同時(shí)實(shí)現(xiàn)期望像素特性的光檢測(cè)裝置。具體地,所述光檢測(cè)裝置設(shè)置有:半導(dǎo)體基板;多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元,其以二維陣列形式形成在所述半導(dǎo)體基板上;和像素間隔離結(jié)構(gòu),其形成在所述半導(dǎo)體基板的所述光電轉(zhuǎn)換單元之間的區(qū)域中...
        • 提供了一種能夠改善臺(tái)面底部的應(yīng)力耐受性的表面發(fā)光元件。根據(jù)本技術(shù)的表面發(fā)光元件包括:包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一結(jié)構(gòu);第二結(jié)構(gòu),與所述第一結(jié)構(gòu)層疊并且包括第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);以及設(shè)置在第一結(jié)構(gòu)與第二結(jié)構(gòu)之間并且具有發(fā)光區(qū)域的發(fā)光層。其底部位于第...
        • 提供了一種具有改善的光提取能力的顯示裝置。該顯示裝置包括:多個(gè)二維排列的發(fā)光元件;以及多個(gè)透鏡,各自與多個(gè)發(fā)光元件中的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)地設(shè)置。透鏡包括具有錐形側(cè)表面的下部和具有凸曲面形狀的上部。
        • 提供了一種能夠抑制像素之間的異常發(fā)光的顯示裝置。該顯示裝置包括:多個(gè)第一電極,分別設(shè)置至像素;至少一個(gè)反射電極,設(shè)置在像素之間;包括有機(jī)發(fā)光層的含有機(jī)物層,設(shè)置在第一電極上并且連接在像素之間;以及第二電極,設(shè)置在含有機(jī)物層上。含有機(jī)物層...
        • 本公開提供了一種光檢測(cè)器。根據(jù)本公開實(shí)施例的光檢測(cè)器包括:光接收元件,其被構(gòu)造為接收光,并輸出電流;以及第一輸出電路,其被構(gòu)造為輸出基于光接收元件的電流的第一信號(hào),并包括串聯(lián)地電連接在第一電源線和參考電位線之間的P型晶體管、N型晶體管和...
        • 本發(fā)明抑制了在設(shè)置有兩個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝中由熱量引起的任何性能劣化。該半導(dǎo)體封裝包括第一半導(dǎo)體芯片、第一引線框架、第二半導(dǎo)體芯片以及第二引線框架。第一半導(dǎo)體芯片安裝在第一引線框架的第一島部上。第二引線框架的第二島部與第一島部以規(guī)定...
        • [問(wèn)題]通過(guò)使垂直信號(hào)線的復(fù)位電位可變,來(lái)降低功耗并縮短垂直信號(hào)線的穩(wěn)定時(shí)間。[解決方案]一種成像裝置,包括:在一個(gè)方向上排列的多個(gè)像素,每個(gè)像素都包括光電轉(zhuǎn)換元件;信號(hào)線,其用于傳輸作為在所述多個(gè)像素中的光電轉(zhuǎn)換的結(jié)果獲得的多個(gè)像素信...
        • 本公開涉及在包括像素間分離部的像素中改善光電轉(zhuǎn)換區(qū)域內(nèi)的電荷傳輸?shù)墓鈾z測(cè)裝置和電子設(shè)備。該光檢測(cè)裝置包括:光電轉(zhuǎn)換區(qū)域,其形成在半導(dǎo)體基板中;以及像素分離部,其貫通半導(dǎo)體基板并且針對(duì)各像素分離光電轉(zhuǎn)換區(qū)域。像素分離部包括在半導(dǎo)體基板的第...
        • [問(wèn)題]為了提供一種能夠抑制白色圖像變黑的成像裝置。[方案]根據(jù)本公開的成像裝置包括:像素單元,包括光電轉(zhuǎn)換入射光以生成像素信號(hào)的多個(gè)像素;第一信號(hào)線,傳輸來(lái)自像素單元的像素信號(hào);信號(hào)處理單元,將像素信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字值;微分電路,設(shè)置在第...
        • 本發(fā)明提供一種能夠抑制在驅(qū)動(dòng)和/或安裝期間由于氧化物限制層引起的裂紋發(fā)生的表面發(fā)光元件。根據(jù)本技術(shù)的該表面發(fā)光元件包括:第一結(jié)構(gòu),包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);第二結(jié)構(gòu),與第一結(jié)構(gòu)層疊并且包括第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);以及第三結(jié)構(gòu),布置在第一結(jié)構(gòu)與第二結(jié)構(gòu)...
        • 本發(fā)明在抑制電路尺寸增大的同時(shí)提升逐次比較型AD轉(zhuǎn)換器的速度。AD?(模數(shù))轉(zhuǎn)換器設(shè)置有第一DAC?(數(shù)模轉(zhuǎn)換器)、第二DAC和比較單元。第一DAC具有在第一采樣期間內(nèi)保持第一輸入信號(hào)的電容器。第二DAC具有在第二采樣期間內(nèi)保持第二輸入...
        • 本發(fā)明涉及一種基于Wasm技術(shù)定制傳感器功能的方法,其包括:提供針對(duì)智能設(shè)備中的傳感器訓(xùn)練的數(shù)學(xué)模型以及為所述數(shù)學(xué)模型定制的后處理程序,其中,所述后處理程序用于對(duì)所述數(shù)學(xué)模型的輸出數(shù)據(jù)執(zhí)行后處理;將所述數(shù)學(xué)模型部署在所述智能設(shè)備中;將所...
        • 本發(fā)明降低由于電源噪聲而添加到時(shí)鐘的抖動(dòng)。該時(shí)鐘控制裝置包括:第一反相器,連接在第一電位與第二電位之間并被輸入時(shí)鐘;第二反相器,連接在第一電位與第二電位之間,與第一反相器共享輸出,并且被輸入控制信號(hào);電阻,連接在第一電位和第二電位中的至...
        • 本發(fā)明提高了半導(dǎo)體裝置的光檢測(cè)特性。該半導(dǎo)體裝置包括電荷傳輸部。所述電荷傳輸部由MOS晶體管構(gòu)成,所述MOS晶體管包括布置在半導(dǎo)體基板中的第一半導(dǎo)體區(qū)域、布置在所述半導(dǎo)體基板的表面附近的第二半導(dǎo)體區(qū)域以及多個(gè)垂直柵極,每個(gè)垂直柵極是布置...
        • [問(wèn)題]為了防止將等于或大于耐壓的電壓施加到例如在發(fā)光裝置中使用的IC。[方案]一種發(fā)光裝置,包括:發(fā)光單元,該發(fā)光單元具有發(fā)光元件組以及第一電流路徑和第二電流路徑,在發(fā)光元件組中,一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件串聯(lián)連接,第一電流路徑和第二電流路徑...
        • [問(wèn)題]問(wèn)題在于提供更佳的光學(xué)特性。[解決方案]提供一種具有多級(jí)結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件,在所述多級(jí)結(jié)構(gòu)中,第二超表面層直接堆疊在第一超表面層上,所述第一超表面層在第一膜中包括第一納米柱結(jié)構(gòu),所述第一納米柱結(jié)構(gòu)具有通過(guò)平面布置多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)而形成...
        • [問(wèn)題]以較少的計(jì)算量精確計(jì)算電荷輸送特性。[解決方案]一種電荷輸送特性計(jì)算方法,包括:計(jì)算電子設(shè)備的靜電勢(shì)的過(guò)程;提取所述電子設(shè)備的靜電勢(shì)場(chǎng)中的多個(gè)亞穩(wěn)態(tài)點(diǎn)的過(guò)程;提取用于經(jīng)由所述靜電勢(shì)場(chǎng)中的多個(gè)亞穩(wěn)態(tài)點(diǎn)將電荷從所述電子設(shè)備的電荷生成...
        • 本公開提供了一種能夠提高凸點(diǎn)電極與焊盤電極之間的接合性的光檢測(cè)裝置。該光檢測(cè)裝置包括:第一基板部,其具有像素區(qū)域和位于所述像素區(qū)域周圍的周邊區(qū)域;以及半導(dǎo)體芯片,其具有凸點(diǎn)電極。所述第一基板部具有第一半導(dǎo)體層、設(shè)置于所述像素區(qū)域中的所述...
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