[問題]提供一種能夠降低功耗和數據量的光檢測裝置。[解決方案]該光檢測裝置包括：多個第一像素，其布置在一維方向或二維方向上。所述多個第一像素中的各者設置有第一光電轉換元件，用于累積與入射光的光量相對應的電荷；和事件檢測電路，用于基于所述...

[問題]提供了在將像素的結構元件布置在多個層中時能夠適當地布置像素的構成元件的光檢測裝置。[解決方案]本公開的光檢測裝置包括：第一基板；第一絕緣膜，其設置在所述第一基板上；第二基板，其設置在所述第一絕緣膜上；第二絕緣膜，其設置在所述第二...

一種電子設備，包括：基板，所述基板包括安裝表面；蓋部分，所述蓋部分覆蓋安裝表面并在蓋部分與安裝表面之間形成容納空間；粘合劑，所述粘合劑將蓋部分粘合到基板；半導體元件，所述半導體元件設置在容納空間中并安裝在安裝表面處；以及金屬箔，所述金屬...

一種半導體裝置包括：溝槽，其從基板的第一面朝著與所述第一面相反的一側的第二面被布置在所述基板中；第一絕緣柵極場效應晶體管，其布置于所述溝槽內的下部處，所述第一絕緣柵極場效應晶體管包括隔著第一柵極絕緣膜埋入在所述溝槽的側壁上的第一柵極電極...

根據本公開的實施例的半導體裝置包括：設置于半導體基板并且具有柵電極、源極和漏極的晶體管；與該晶體管電連接的端子；以及設置于半導體基板并且與該端子電連接的二極管。該二極管的陽極與陰極之間的間隔比該晶體管的柵電極與源極或漏極之間的間隔短。

[問題]為了以高速度高效地發送具有不同的MIPI?CSI?2類型和結構的多個分組。[解決方案]本發明的通信設備包括：分組生成單元，通過在不對分組的類型和結構進行區分的情況下對遵循由移動行業處理器接口（MIPI）的相機服務擴展（CSE）規...

提供了一種能夠在抑制暗電流產生的同時提高量子效率Qe的光檢測裝置。具體地，所述光檢測裝置，包括：半導體基板，其具有光入射在其上的第一面和位于所述第一面的相對側的第二面；多個光電轉換單元，其在所述半導體基板上形成二維陣列；像素分離結構，其...

一種圖像傳感器組件（70）包括像素行（11），該像素行包括高靈敏度第一像素元件和低靈敏度第二像素元件（302）。第一像素元件（301）將在第一曝光時間期間接收的入射輻射轉換成像素電壓。第二像素元件（302）將在第二曝光時間期間接收的入射...

根據本公開一個實施方案的光檢測裝置包括：第一層，其具有對光進行光電轉換的光電轉換部和累積由光電轉換部轉換的電荷的浮動擴散部；第二層，其層疊在第一層上并且具有第一晶體管，該第一晶體管輸出基于累積在浮動擴散部中的電荷的第一信號；第二晶體管，...

[問題]為了提供一種能夠靈活地調整顯示信息的分辨率和顯示位置的顯示裝置。[解決方案]根據本公開的顯示裝置包括：像素陣列單元，其中多個像素以二維陣列方式排列；存儲器，接收圖像數據的輸入并臨時存儲數據；圖像處理單元，將黑色數據插入到從存儲器...

光檢測裝置，其是光檢測器(11)的層壓結構，且包括：作為以陣列的方式布置有多個SPAD(21)的像素層的第一半導體基板(12)；作為第一電路層的第二半導體基板(13)；以及作為第二電路層的第三半導體基板(14)。該裝置還包括：位于設置于...

根據本公開的實施方式的發光裝置包括：驅動基板；化合物半導體層，化合物半導體層具有用作發光面的第一表面和面向驅動基板并且與第一表面相對的第二表面，化合物半導體層具有從驅動基板側以順序層壓在其中的第一導電類型層、有源層和第二導電類型層，并且...

提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：包括第一發光元件和第二發光元件的多個發光元件；和被設置為圍繞元件區域的多個元件分離層，每個發光元件包括第一反射面、堆疊在第一反射面上方的發光部、以嵌入在由元件分離層圍繞的元件區域中的方式堆疊的光學調整...

[要解決的問題]本發明旨在提供一種簡單的電路結構，其不太可能導致光接收信號的時序的偏差，并且即使在大量的光入射時也能夠防止電路元件受到損壞。[解決方案]一種光檢測裝置包括：光接收元件；晶體管，其針對是否致使電流流過所述光接收元件進行切換...

本技術涉及均能夠在不降低光電二極管的飽和電荷量的情況下擴大動態范圍的攝像器件和電子設備。提供了將光轉換為電荷的光電轉換單元、臨時存儲電荷的多個存儲部、向存儲部傳輸電荷的多個傳輸單元、以及分離像素的貫通溝槽。多個存儲部中的至少一者是電容元...

本發明通過減輕與發光元件和配線之間的電連接相關的空間限制來提高設計自由度。根據本技術的發光裝置包括以二維陣列布置的多個發光元件，并且每個發光元件包括第一端子和第二端子；多個第一端子配線，包括沿橫向方向延伸的第一至第N條橫向配線（N為2以...

一種光檢測裝置，其包括：多個像素組，包括第一像素和第二像素；像素內隔離區域和像素間隔離區域。所述第一像素包括：第一光電轉換區域；第一遮光部，其包括第一邊緣；以及第一開口，其設置在所述第一遮光部的所述第一邊緣與所述像素內隔離區域的一部分和...

[問題]提供一種能夠實現合適的子像素結構的攝像裝置。[解決方案]根據本公開的攝像裝置包括多個像素單元。所述多個像素單元中的各者包括多個第一像素和多個第二像素。所述多個第一像素中的各者包括具有第一面積的濾色器區域。所述多個第二像素中的各者...

半導體裝置包括：MIM結構體，其包括下部電極和上部電極；上部配線層；和通孔，其連接所述上部電極和所述上部配線層。所述上部配線層包括：第一配線圖案，其以不覆蓋所述通孔的方式延伸；和第二配線圖案，其寬度比所述第一配線圖案的寬度窄，并且其以覆...

根據本技術的實施方式的高電子遷移率晶體管包括半導體層、柵電極、以及設置在半導體層與柵電極之間的柵絕緣膜。柵絕緣膜具有與半導體層相接觸的第一絕緣膜和與第一絕緣膜和柵電極相接觸的第二絕緣膜。第一絕緣膜和第二絕緣膜滿足以下關系式（A）、（B）...