根據本技術的實施例的發電裝置包括傳輸單元和整流電路。傳輸單元直接或經由電容耦合連接到至少一個散熱板，所述至少一個散熱板在電氣裝備中提供并且具有與電氣裝備的GND的電位不同的電位，傳輸單元用于傳輸在所述至少一個散熱板中生成的電磁噪聲的AC...

提供能夠改善制造成品率的半導體裝置。本公開的一實施方式的半導體裝置具備：形成有半導體元件的半導體部；層疊在所述半導體部上的樹脂部件；以及層疊在所述樹脂部件上的玻璃部件。在該半導體裝置中，所述玻璃部件的側面形成有凹曲面。此外，在該半導體裝...

本發明提高了圖像質量性能。此光電檢測裝置包括：半導體層，其具有位于一個方向上的彼此相對側的第一面部和第二面部；光電轉換區域，其在平面圖中與隔離區域相鄰地設置于所述半導體層，且其平面形狀被形成為矩形形狀；光電轉換部，其設置于所述光電轉換區...

提供了一種能抑制配置有產品電路的區域被TEG擠壓的半導體芯片。該半導體芯片包括：第一半導體基板，其上配置有第一電路；第二半導體基板，其上配置有第二電路，并且其與所述第一半導體基板的第一表面重疊并接合；和測試元件組，其包括待測器件和用于對...

本發明的目的在于信號電荷傳輸能力的改進。一種光檢測裝置包括：半導體層，其具有位于彼此相對側的第一面部和第二面部；光電轉換部，其設置在所述半導體層中，并對從所述半導體層的第二面部側入射的光執行光電轉換；電荷保持部，其設置在所述半導體層中，...

本發明提供了一種在抑制暗電流的產生的同時還能夠抑制量子效率Qe的降低的光檢測裝置。具體地，所述光檢測裝置包括：半導體基板；以二維陣列狀形成于所述半導體基板中的多個光電轉換部；溝槽部，其形成于所述半導體基板中的位于所述光電轉換部之間的區域...

本發明抑制了由工藝差異引起的特性差異。根據本發明的半導體裝置包括半導體基板、多個元件隔離部和場效應晶體管。在平面圖中，場效應晶體管設置在多個元件隔離部之中的第一元件隔離部的上表面部與第二元件隔離部的上表面部之間。場效應晶體管包括柵極電極...

提供了一種光檢測裝置，其具有其中設置有多個光檢測元件的第一基板和其上安裝有多個晶體管的第二基板層疊的層疊結構，所述第一基板的面積小于所述第二基板的面積。

本發明例如，通過簡單的配置改善了像素負載波動對圖像質量的影響。該顯示裝置包括：斜坡布線，電壓電平隨著時間改變的斜坡信號被供應至該斜坡布線；第一開關，設置在斜坡布線與連接到像素的信號線之間；第二開關，以與第一開關相反的方式操作；校正電流源...

提供了一種顯示裝置和電子設備，其能夠例如在第二基板以及將第二基板接合至基體的粘接層劣化時抑制粘接層從布置在接合至第二基板的基體的最外表面上的層剝離。顯示裝置包括：基體，具有顯示區域并且包括第一基板；發光元件，具有第一電極、有機層和第二電...

本發明同時實現偏轉鏡操作穩定化和設備小型化。本技術提供一種投影光學系統等，包括：第一透鏡組，具有至少一個透鏡并且將從光源投射的光會聚到作為所述光源的像的一次成像點的位置；偏轉鏡，掃描來自所述第一透鏡組的光；以及第二透鏡組，具有至少一個透...

抑制通過冷卻裝置冷卻傳感器芯片的冷卻效率的下降。光檢測模塊具備：基座部件；冷卻裝置及傳感器芯片，在一個方向上重疊并搭載于上述基座部件；以及有源芯片，與上述冷卻裝置及上述傳感器芯片在與上述一個方向交叉的方向上隔開而搭載于上述基座部件。

[問題]通過提高靈敏度和分辨率來擴大動態范圍。[解決方案]該光檢測裝置包括：光電轉換區域，其具有針對各像素的光電轉換單元；濾色器區域，其布置在比所述光電轉換區域更靠近光入射面的一側，并且具有分離入射光中包括的多個波長分量的多個單位像素組...

本公開涉及一種用于估計深度的電路系統，其中，該電路系統被配置為從宏像素獲得多個直方圖，其中，該多個直方圖中的每一個直方圖指示宏像素在預定義采樣倉中的相應飽和度程度，并且其中，該多個直方圖中的每一個直方圖與光發射與直方圖的獲取開始之間的相...

一種圖像處理系統，包括：圖像傳感器，被配置為捕獲圖像數據；以及電路，被配置為獲取由圖像傳感器捕獲的圖像數據；由經訓練的機器學習模型從圖像數據提取特征數據，經訓練的機器學習模型具有多個中間層；對來自所述多個中間層中的兩個或更多個中間層的特...

本發明使得可以采樣和保持與像素一起構成源極跟隨器的負載晶體管的柵極偏壓，其同時抑制建立時間的增加。根據本發明的光檢測裝置設置有：信號線，通過該信號線傳輸從像素讀取的像素信號；負載晶體管，連接到該信號線；采樣保持電路，對該負載晶體管的柵極...

根據本公開一個實施方案的半導體裝置包括：第一半導體層，其具有彼此相對的第一表面和第二表面，并且在所述第一表面上包括一個或多個第一雜質區域；第二半導體層，其層疊于所述第一半導體層的所述第一表面側；一條或多條貫通配線，其貫穿所述第二半導體層...

根據本公開一個實施方案的光檢測裝置包括：第一半導體層，其具有彼此相對的第一表面和第二表面，并且具有針對每個像素而設置的作為光接收元件的單光子雪崩二極管；芯片上透鏡，其針對每個像素而布置于所述第一半導體層的所述第二表面側；和光電轉換層，其...

一種光學裝置（10）包括：多個像素（20），均被配置為接收光，并且經由單光子雪崩二極管SPAD執行光電轉換以生成電信號；電路系統（20a），被配置為基于針對每個像素（20）能夠調節的成像參數從電信號生成圖像數據；以及控制單元（30），被...

提供了一種半導體裝置，包括：三元化合物半導體層或四元化合物半導體層；第一絕緣層，所述第一絕緣層層疊于化合物半導體層上并具有第一開口部，所述第一開口部暴露化合物半導體層的上表面上的第一區域；第二絕緣層，所述第二絕緣層層疊于第一絕緣層上和第...