一種具有超連接結構的垂直型ＭＯＳＦＥＴ裝置，其中Ｎ型柱形區和Ｐ型柱形區交替排列。從有源區的終端與柱形區的終端之間的距離方面看，該柱形區的終端設置在這樣的位置上，以使得其與有源區終端分離的距離可由相應于柱形區的深度的距離減去Ｎ型柱形區的寬...

一種用于檢查濕度傳感器（１００）的檢查裝置，所述濕度傳感器（１００）具有集成在一個芯片中的傳感器部分（１６０）和電路部分（１７０）。所述檢查裝置包括：容納晶片（Ｗ）的檢查室（２２２），晶片（Ｗ）中多個濕度傳感器（１００）設置成晶片狀態的...

本發明提供一種燃料噴射裝置，在將構成燃料噴射裝置的壓電噴射器的壓電疊層和驅動體上所固有的合成諧振周期作為Ｔ、將從壓電疊層開始充電起到到達目標充電電壓為止的升壓時間作為ｔ的情況下，為了防止ｔ≤０．５Ｔ±０．１Ｔ時經過升壓時間（ｔ）后施加到...

本發明提供了一種疊層型壓電元件（１），其包括第一外部電極層（３３），所述第一外部電極層位于疊層型壓電元件（１）的側部區域上，與內部電極層（２１）電導通并且包括多個可以在疊層型壓電元件（１）的堆疊方向上伸展和收縮的開口部分（３３ａ）。因為...

一種層疊壓電元件（１），包括：層疊壓電元件（１），其包括由能夠在施加電壓時膨脹和收縮的陶瓷構成的壓電層（１１），和向壓電層提供電壓的內部電極層（２１ａ和２１ｂ），交替地設置內部電極層和壓電層；第一外部電極層（３１），將其設置在層疊壓電元...

公開了一種半導體器件，其包括第一和第二半導體封裝。每個半導體封裝包括半導體元件，多個電極構件以及密封構件。半導體元件設置在所述各自的電極構件之間，并且所述電極構件與所述各自的半導體元件電通信并且為所述各自的半導體元件提供熱傳遞。所述密封...

一種具有ＭＯＳ結構的碳化硅半導體器件，包括：襯底（１、３１、６１）；在所述襯底（１、３１、６１）中的溝道區（２、３４、６４）；第一雜質區（４、３６、６６、６７）；第二雜質區（５、３７、７３）；在所述溝道區（２、３４、６４）上的柵極絕緣膜...

用于制造半導體器件的方法包括步驟：在硅襯底（１）的主表面上形成溝槽（４）；在主表面上和溝槽（４）中形成第一外延膜（２０）；以及在第一外延膜（２０）上形成第二外延膜（２１）。形成第一外延膜（２０）的步驟具有第一外延膜（２０）的第一生長速度...

一種熱電式換能器，包括熱電元件模塊（３０），熱電元件模塊（３０）中布置的多對Ｐ型和Ｎ型熱電元件（１２、１３）以串聯方式電連接。熱電元件模塊包括第一端子（２４ａ），與熱電元件（１２、１３）中的電功率輸入側相連；第二端子（２４ｂ），與熱電元...

一種用于切分半導體基板（２１）的方法包括：通過向基板（２１）上照射激光束（Ｌ）而在基板（２１）中形成改質層（Ｋ）；沿著分割線（ＤＬ）在基板（２１）上形成溝槽（２２，２４，３２，３４）；向基板（２１）施加力，以便在作為分割起始點的改質層（...

一種向晶片中的聚焦點發射激光束從而通過晶片中的多光子吸收而形成改質區的激光加工設備，該設備包括：　　　　用于同時產生和發射具有多個波長的激光束的一個激光源；和　　　　用于使激光源發射的激光束會聚在聚焦點上的一個聚光透鏡，　　　　其中，具...

半導體晶片（１０、２１）具有兩個面，其中一個面為激光入射面。將切割薄片（１１、２５）附著到晶片的另一個面，以便它被拉伸從而將拉伸應力施加到激光－重整區（Ｒ）并利用重整區作為切割起始點使切割發生。在晶片和切割薄片之間提供諸如光散射凸起和凹...

一種半導體器件包括：具有彼此面對的內表面的第一和第二金屬電極（３、４）；夾在電極（３、４）之間的半導體元件（１、２）；以及分別設置在電極（３、４）上并且與半導體元件（１、２）相對的第一和第二絕緣基板（５、６）。每個絕緣基板（５、６）由陶...

一種半導體器件包括：具有第一側和第二側的襯底（１、１ａ、２ａ、２ｂ、３ａ、４ａ、５、６、８、１０、１１、Ｔ１、Ｔ２）；ＩＧＢＴ（１００ｉ、１０４ｉ、１０５ｉ）；以及二極管（１００ｄ、１０４ｄ、１０５ｄ）。襯底（１、１ａ、２ａ、２ｂ、３ａ...

一種具有超結結構的半導體器件包括：在電流流動方向上延伸的多個第一柱（４）；和在電流流動方向上延伸的多個第二柱（５）。第一柱（４）和第二柱（５）在交替方向上交替地設置。每個第一柱（４）提供漂移層。第一柱（４）和第二柱（５）在其間具有邊界，...

本發明提供一種壓電傳感器，能在較大溫度范圍內，抑制壓電傳感器靈敏度的偏差。該壓電傳感器，包括：通過在壓電陶瓷的表面上形成一對電極而成的壓電元件；以及，保持上述壓電元件的保持部件。上述壓電陶瓷滿足下述條件（ａ）及或條件（ｂ）：（ａ）在溫度...

一種半導體器件，包括：半導體襯底（１）；ＩＧＢＴ區（ＩＧＢＴＲＥＧＩＯＮ），其包括位于襯底（１）的第一表面上并提供溝道形成區的第一區（２），以及位于襯底（１）的第二表面上并提供集電極的第二區（３）；二極管區（ＤＩＯＤＥ　　ＲＥＧＩＯＮ）...

本發明提出了一種熱電轉換裝置及其制造方法。所述制造方法包括連接過程，所述連接過程用于將熱交換部件（２２、３２）分別電連接到熱電元件模塊（１０）的熱電元件對；浸漬過程，所述浸漬過程用于將熱電元件模塊（１０）和熱交換部件（２２、３２）浸入浸...

一種功率電子封裝件，包括：第一和第二高導熱性絕緣非平面襯底（１、２）；多個電子元件（２０、３０），裝配在每個襯底（１、２）上。所述襯底（１、２）在多個接合區（７０）相互連接，從而使得所述襯底（１、２）之間的機械分離由所述接合區（７０）的...

一種功率電子封裝件，包括：第一和第二高導熱性絕緣非平面襯底（１、２）；多個半導體芯片（２０）和多個電子元件（３０），裝配在所述襯底（１、２）之間。每個襯底（１、２）包括多個電絕緣體層（７７）和圖案化的電導體層（７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂ、９...