通過在由殼體和用作外罩的光學透鏡（５０）所構造的同一封裝件中布置日照傳感器用感光元件（２１）、亮度傳感器用感光元件（２２）以及遮光部分（４２），來獲得一種具有方向特性的光探測器（１０）。日照傳感器用感光元件（２１）具有在同一平面上彼此分...

半導體器件（Ｓ１）包括半導體元件（１１、１２）、用第一焊料部分（５１）粘附到半導體元件（１１、１２）的第一面上的第一金屬體（２０）、用第二焊料部分（５２）粘附到半導體元件（１１、１２）的第二面上的第二金屬體（３０）、以及通過封裝半導體元...

一種制作半導體芯片（１０）的方法，包括：制作半導體晶片（１００），使得該半導體晶片（１００）的主面和背面取向類似于將從該半導體晶片（１００）中分割出的半導體芯片（１０）的主面和背面的取向。在半導體晶片（１００）的背面上形成電極（１３）。...

一種檢測半導體動態量的方法，包括改變施加到周邊固定部分（５０）的電位（Ｖ４），同時向固定電極（３１、４１）和可移動電極（２４）施加預定電位（Ｖ１、Ｖ２）和（Ｖ３），從而改變所述可移動電極（２４）和所述支撐襯底（１１）之間的電位差，并使所...

一種引線鍵合方法，用于鍵合多根導線（６）以連接第一導體（４，５，６）和第二導體（４，５，６），該鍵合方法包括步驟：１）將第一導電球（８）焊接在第一個第一導體（４或５）上；２）將第一導線（６）焊接在第一導電球（８）上，該第一導線（６）與第...

一種隧道磁阻（ＴＭＲ）器件，其具有包含一個下端電極層、一個釘扎層、一個隧道勢壘層、一個自由層和一個上端電極層的結構，其可在基底上連續地形成。該隧道勢壘層基本上具有化學計量組成。該隧道勢壘層可為由ＡＬＤ法形成的氧化鋁薄膜。

一種半導體型傳感器，具有在一半導體襯底上的用于檢測腐蝕介質的物理量或者化學成分的一結構部分以及一電量轉換元件，并且具有多個焊點，所述焊點是用于向外部單元發送檢測到的電信號的輸出端子，其中所述焊點利用一貴重金屬保護。

一種用于制造連接結構（１００）的方法，該連接結構具有在其間由焊料制成的焊接層（３０）結合的第一和第二連接部件（１０，２０），該方法包含以下步驟：在第一和第二連接部件（１０，２０）之間夾上焊接層（３０）；在保持第一溫度的情況下把焊接層（３...

一種半導體器件的制造方法包括以下步驟：在半導體襯底（１、３０、６０）中形成溝槽（４、３１、６１）；并且在包括溝槽（４、３１、６１）的側壁和底部的襯底（１、３０、６０）上形成外延膜（５、３２、６２－６４、６６－７８），從而將外延膜（５、３...

一種功率堆包括交替層疊的冷卻管和半導體模塊。每一個冷卻管包括分隔成多個冷卻劑在其中流動的冷卻通道的內部空間。在層疊方向上半導體模塊的兩個表面都與相鄰的冷卻管的表面接觸。半導體模塊分類為其發熱率彼此不同的多個組。而且屬于發熱率最高的同一組...

一種電容式物理量傳感器，其包括傳感芯片（１００）和電路芯片（２００）。該傳感芯片（１００）包括：支承基片（１１，１３）；半導體層（１２）；可動電極（２４）；以及固定電極（３１，４１）。傳感芯片（１００）層疊在電路芯片（２００）上，以使得...

一種半導體器件包括彼此絕緣和分離的晶體管元件，并且這些晶體管元件依次彼此連接在地電位和預定電位之間。處于ＧＮＤ電位側的晶體管元件為第一級，處于預定電位側的晶體管元件為第ｎ級。電阻元件或電容元件依次彼此串聯連接在ＧＮＤ電位和預定電位之間。...

為提供一種具有優異密度的多晶陶瓷體的制備方法而實施了制備步驟、混合步驟、成形步驟和熱處理步驟。在制備步驟中制備粗顆粒陶瓷粉末和平均粒徑為所述粗顆粒陶瓷粉末平均粒徑的１／３或更小的細顆粒粉末。在混合步驟中，粗顆粒陶瓷粉末與細顆粒粉末進行混...

一種熱電變換器，包括：一組熱電器件，具有交替布置在熱電器件基板上的多個Ｐ型熱電器件和多個Ｎ型熱電器件；電極件，用于串聯電連接相鄰的Ｐ型熱電器件和Ｎ型熱電器件；以及熱交換件，包括連接至電極件的電極部。在熱電變換器中，至少多個電極部和多個熱...

一種傳感器器件（１），包括根據它的傳感部分的物理位移來產生電信號的Ｇ傳感器（２），以及安裝該Ｇ傳感器（２）的外殼（３）。用封裝材料（５）密封外殼室（３ａ），以致用封裝材料覆蓋Ｇ傳感器（２）。封裝材料（５）具有確保衰減通常導致諧振的高頻振...

一種具有ＳＪ結構的半導體器件，其具有耐壓值高于單元區域的耐壓值的周邊區域。在周邊區域（２３）的半導體層（２２）內形成包含第二導電型雜質的半導體上層（５２）和包含第一導電型雜質的半導體下層（２３），其中半導體下層的雜質濃度低于構成單元區域...

一種半導體裝置，包括至少一個半導體模塊，所述半導體模塊包括半導體芯片、與半導體芯片熱連接的熱沉以及用于以這樣的方式覆蓋和密封半導體芯片和熱沉以暴露熱沉的熱輻射表面的密封部件。輻射表面通過致冷劑冷卻。在作為其中流經致冷劑的致冷劑通路的部分...

一種磁阻抗器件包括半導體基片（２２、３２２）和用于檢測磁場的磁阻抗器件（１、２、３０１、３０１Ａ、３０１Ｂ）。磁阻抗器件（１、２、３０１、３０１Ａ、３０１Ｂ）被置于基片（２２、３２２）上。磁性傳感器設備具有最小尺寸并且是以低制造成本制成...

一種半導體器件，具有至少一個半導體元件，至少一個與所述半導體元件熱連接的散熱板，和一個覆蓋與密封所述半導體器件和所述散熱板的模制樹脂，其中散熱板的外主表面和鄰接外主表面的至少部分側表面從模制樹脂暴露。

一種用于半導體（１１）的散熱器，包括用于使安裝在襯底（１０）的半導體的熱量散發的主體（２），和連接在所述主體的板件（３，４）。所述板件相對襯底而言具有彈性。此外，所述板件包括覆蓋所述主體的一個與襯底相反的表面的一部分的板部分（３１，４１...