一種天線線圈，包括：空心式平面線圈本體（１０）；線圈殼體（２０）；以及加強框（３０－３７）。線圈本體（１０）具有相應于線圈本體（１０）的環形形狀。線圈殼體（２０）包括線圈容納空間（２４）。線圈殼體（２０）進一步包括線圈側端子（２１）。加...

天線線圈包括：具有環形的空芯型扁平線圈體（１０）；以及具有對應于線圈體（１０）的所述環形的環形的線圈外殼（２０）。線圈外殼（２０）包括用于容納線圈體（１０）的線圈容納空間（２４）。線圈容納空間（２４）被布置在線圈外殼（２０）的環形的圓周...

一種天線包括第一導電層、第二導電層和ＬＣ諧振電路。第一導電層具有多個單元，并且布置成互相相鄰。第二導電層布置在通過電介質基板與第一導電層相隔預定距離處。ＬＣ諧振電路包括將所述多個單元和第二導電層電氣連接的連接。ＬＣ諧振電路在天線的工作頻...

本發明通過小型化減小占有面積，同時防止由于天線線圈的設置位置不同導致的接收靈敏度下降。在鐵淦氧磁心（２）的線圈架部（３），卷繞第一線圈（５）和第二線圈（６），以使各自的卷軸垂直，同時，在第一線圈（５）和第二線圈（６）的外圓周部卷繞第三線...

兩個線Ａ↓［ｉ１］（ｉ＝１或２）連接到輸入端子Ｉｎ。線Ａ↓［ｉ１］經由電容Ｃ↓［ｉ１］接地。線Ａ↓［ｉ１］和線Ｂ↓［ｉ１］形成耦合線。線Ｂ↓［ｉ１］的一端子連接到二極管Ｄ↓［ｉ１］的正極，二極管Ｄ↓［ｉ１］的負極接地。線Ｂ↓［ｉ０］和Ｂ...

一種線波導變換器，其包括：后側電極（３２），其設置于電介質基板（３１）的第一面上；波導（４），其附接到所述電介質基板（３１）的與所述第一面相對的第二面上，并且與所述后側電極（３２）電導通；以及多個電極（３４），其在所述第二面上設置于所述...

本發明涉及一種用于檢測電池充電狀態的設備。提供一種電池狀態檢測設備，其包括：檢測來自電池的充放電電流的裝置；基于檢測放電電流的結果來檢測在電池充電期間充電電流的負加速度的符號是否從負變為零的裝置；通過在電池充電期間對瞬時充電電流進行積分...

本發明提供了一種被設計成能確保燃料電池組工作穩定性的燃料電池控制系統。該系統包含磁性傳感器和控制器。磁性傳感器用以測量電流所產生磁場的磁通量密度的變化，所述電流是由每個燃料電池中進行的電化學反應產生的。控制器被設計成能分析由磁性傳感器測...

一種電池狀態檢測裝置，包括半導體元件、引線框架和注形樹脂。該半導體元件包括：溫度敏感元件，用于檢測電池溫度，由多個串聯連接的二極管構成；和通信電路，用于將溫度檢測結果輸出到外部設備，例如安裝在車輛上的ＥＣＵ。該半導體元件安裝在具有高熱導...

本發明涉及車輛用雙壓型電源裝置。包括高壓電源系統和低壓電源系統的車輛用雙壓型電源裝置具有這樣的配置，即根據作為其本身電池的變量的ＳＯＣ為兩個電源系統的每一個單獨計算目標發電成本，這樣可以對兩個電源系統中的每一個單獨執行電力成本降低型發電...

本發明提供估計車載發電設備充電的可再充電電池電荷狀態的設備。本設備用于估計由車載發電設備充電的可再充電電池的電荷狀態，所述車載發電設備能夠產生可變輸出電壓。該估計設備包含：檢測所述可再充電電池的充電／放電電流的檢測功能；以及根據關系數據...

估計車載發電設備充電的可再充電電池電荷狀態的設備，所述車載發電設備能夠產生可變輸出電壓，該估計設備包含：量化所述可再充電電池的充電／放電歷史的第一功能；以及在所述車載發電設備的所述輸出電壓的變化變得低于預定值之前消除由于所述充電／放電歷...

一種碳化硅半導體器件包括襯底（１、３１）和結型場效應晶體管。所述晶體管包括：第一半導體層（２、３２），其設置在襯底（１、３１）上；第一柵極層（３、３３），其設置在第一半導體層（２、３２）的表面上；第一溝道層（７、３６），其在襯底（１、３...

一種半導體器件包括：中心區域（１２）；周邊區域（１４，２６ａ，２６ｂ）；和半導體層（２６），它包括多對具有第一雜質量的第一區域（２５、２５ａ、２５ｂ）和具有第二雜質量的第二區域（２７、２７ａ、２７ｂ）。第一和第二區域（２５、２５ａ、２５...

一種半導體器件包括：半導體基片（１）；布置在所述基片（１）的表面上的鋁電極（１１）；布置在鋁電極（１１）上并且具有開孔（１２ａ）的保護膜（１２）；和透過保護膜（１２）的開孔（１２ａ）而布置在鋁電極（１１）的表面上的金屬化電極（１３）。所...

本發明公開了一種碳化硅半導體裝置，包括：具有碳化硅基片（１，６１）、第一半導體層（２）、第二半導體層（３）和第三半導體層（４）的半導體基片；貫穿第二和第三半導體層（３，４）并到達第一半導體層（２）的溝槽（５）；位于溝槽（５）側壁和底部上...

一種溝槽柵型半導體裝置包括：第一半導體層（１，２１）；在第一半導體層（１，２１）上的第二半導體層（２）；在第二半導體層（２）上的第三半導體層（３）；在第三半導體層（３）的表面部分的一部分中的第四半導體層（４）；穿過第四半導體層（４）和第...

穿過頂表面將激光束施加到晶片的內部，從而在多層改進區組中形成改進區。改進區組層中的一層中的改進區的間隔不同于改進區組層中的另一層中的改進區的間隔，與改進區組層中的所述一層相比改進區組層中的所述另一層更接近于晶片的頂表面。

一種用于制造半導體器件的方法包括如下步驟：在硅襯底（１、４０）上形成第一外延膜（２、４１）；在第一外延膜（２、４１）中形成溝槽（４、４３）；并且在第一外延膜（２、４１）上和在溝槽（４、４３）中形成第二外延膜（２３、４４、４５）。形成第二...

一種角速度傳感器包括第一和第二振動子（３，４），所述振動子具有可動部分（３１，３４，３５，３６，３８，４１，４４，４５，４６，４８）和固定部分（３０，３７，４０，４７），所述可動部分具有驅動用和檢測用可動電極（３１，３８，４１，４８），...