一種半導體器件，包括： 半導體襯底； 單元區域，位于在該襯底的表面部分中并用于作為晶體管工作； 柵極引線布線區域，其在該襯底上具有柵極引線圖形； 溝槽，位于該襯底表面部分中，從該單元區域延伸到該柵極引線布線區域；...

本發明公開了一種逆流式振蕩流熱傳輸裝置，所述逆流式振蕩流熱傳輸裝置使位于發熱元件附近的流體產生振蕩位移，以使所述流體流向發熱元件，改善了熱傳輸能力。曲折流動通道的轉向部分被放置以面對所述發熱元件。在從所述發熱元件到所述流動通道的方向上所...

一種容性動量傳感器，包括：　　　　襯底（１）；　　　　可被動量位移的平衡塊（１１）；　　　　可移動電極（１０ａ、１０ｂ），其與平衡塊（１１）結合在一起；　　　　第一可移動單元固定器（１４），固定到襯底（１）上以將平衡塊（１１）和可移動電...

一種磁性傳感器設備，包括：半導體基片（２２、３２２）；以及用于檢測磁場的磁阻抗器件（１、２、３０１、３０１Ａ、３０１Ｂ），其中磁阻抗器件（１、２、３０１、３０１Ａ、３０１Ｂ）被置于基片（２２、３２２）上。

一種傳感器，包括：　　　　用來感應物理量的感應部分（１０）；　　　　連接器部分（２１），其與所述感應部分（１０）集成，用來電氣連接所述感應部分（１０）和所述傳感器之外的外部電路；　　　　用來容納所述感應部分（１０）的傳感器殼體（１５）；...

一種傳感器器件（１），包括根據它的傳感部分的物理位移來產生電信號的Ｇ傳感器（２），以及安裝該Ｇ傳感器（２）的外殼（３）。用封裝材料（５）密封外殼室（３ａ），以致用封裝材料覆蓋Ｇ傳感器（２）。封裝材料（５）具有確保衰減通常導致諧振的高頻振...

一種用于制造半導體器件（１００）的方法，包括步驟：在襯底（３）中形成溝槽（４）；通過該絕緣膜（５），在該溝槽（４）中形成導電膜（６）；以及在形成該導電膜（６）的步驟后，以退火溫度使該襯底（３）退火，以便以退火溫度去除該絕緣膜（５）中的損...

磁傳感器被制成為：磁傳感器芯片具有包括ＭＲＥ橋和比較器的單片結構，通過粘合劑材料被安裝在引線框架上，然后通過在模制材料中壓模來封裝安裝在引線框架上的磁傳感器芯片。磁傳感器包括通過磁化芯片安裝部件、粘合劑材料和封裝材料中的至少一個來形成的...

本發明涉及一種具有溫度傳感器的壓力傳感器裝置，所述傳感器裝置包括：壓力傳感器；溫度傳感器；用于放置所述壓力傳感器以及插頭的傳感器殼體，所述插頭與所述壓力傳感器及一外部電路電連接；以及安裝于所述傳感器殼體上并且具有壓力輸入口的進口，所述壓...

在制造樹脂密封半導體器件的方法中，半導體器件被置于鑄模模腔內，樹脂通過鑄模的入口被注射到模腔中，在引線部分的一部分暴露的狀態下用樹脂密封半導體器件。只在面對半導體芯片的表面的模腔表面中布置入口。樹脂通過入口向半導體芯片的表面注射。

一種功率元件封裝（１００）包括半導體芯片（７）、散熱組件（１、４）、制模樹脂組件（１１）、控制信號的引線端子（８）以及大電流的引線端子（９，１０）。在散熱組件的受熱表面（１ｐ）上，設置了絕緣層（２）以及導電層（３）。控制信號的引線端子經...

半導體裝置具有半導體模塊和冷卻部件。半導體模塊包括具有平坦形狀的功率器件、結合到第一器件表面的第一電極、結合到第二器件表面的第二電極、連接到器件控制電路的第一端子、連接到器件驅動電路的第二端子、以及使器件、第一電極、第二電極、第一端子以...

一種塑模型半導體器件，包括：含有半導體部件的半導體芯片（１）；金屬層（１３，１３ａ－１３ｃ）；焊料層（１４）；和通過金屬層（１３，１３ａ－１３ｃ）和焊料層（１４）與半導體芯片（１）連接的金屬構件（２４）。焊料層（１４）由屈服應力比金屬層...

一種半導體器件的制造方法，包括形成ｐｎ柱，由此ｐｎ柱設計為在一部分半導體襯底內具有條形形狀，并且在要形成具有相同結構的多個半導體器件的區域上的襯底表面上，ｐｎ柱具有ｐ導電類型和ｎ導電類型的重復圖形，在設置有重復圖形的區域中形成具有相同結...

一種半導體器件，包括：發熱器元件（１０、１１）；第一散熱器（３０），設置在發熱器元件（１０，１１）的一側；第二散熱器（４０），設置在發熱器元件（１０、１１）的另一側；以及樹脂模型（８０），用于鑄模發熱器元件（１０、１１）以及第一和第二散...

提供一種用于切割半導體器件的方法。該器件包括第一半導體層、絕緣層和第二半導體層。該方法包括如下步驟：在第一半導體層中形成半導體元件；將激光束照射在第一半導體層的表面上；和使用激光束將所述器件切割成半導體芯片。激光束在界面處反射，從而產生...

本發明提供一種結晶取向陶瓷及其制造方法，其以各向同性鈣鈦礦型鈮酸鉀鈉為基本組成，顯示出優異的壓電特性，且特定的結晶面以高取向度取向。本發明的結晶取向陶瓷的特征在于：其由通式：｛Ｌｉ↓［ｘ］（Ｋ↓［１－ｙ］Ｎａ↓［ｙ］）↓［１－ｘ］｝｛Ｎ...

一種半導體器件，包括：半導體芯片（１０）；第一金屬板（２０），通過第一焊料層（５１）布置在芯片（１０）的一側上；第二金屬板（４０），通過第二焊料層（５２）布置在芯片（１０）的另一側上；第三金屬板（３０），通過第三焊料層（５３）布置在第二...

半導體裝置由半導體元件（１２）、一對上下散熱片（１３、１４）和散熱塊（１５）構成。散熱塊（１５）具有小于半導體元件（１２）的平面形狀。半導體元件（１２）具有面向散熱塊（１５）的發熱部（１９）。發熱部（１９）具有外周緣，發熱部（１９）的外...

在具有半導體芯片（１０、１１）、連接在半導體芯片（１０、１１）的主后表面側上的下部散熱器（２０）、和連接在半導體芯片（１０、１１）的主前表面側上的上部散熱器（３０）的半導體器件中，其中整個器件（Ｓ１）基本上由模制樹脂（８０）封裝，位于安...