本發明提供一種黏合膜的評價方法，其為在半導體裝置的制造工藝中所使用的黏合膜的評價方法，其包括通過加熱的探針進行黏性試驗的工序，評價對象的黏合膜的厚度為20μm以下。該黏性試驗例如使用具備支撐黏合膜的試樣的載臺及相對于載臺沿上下方向移動自...

抗蝕圖案的檢查方法包括根據來自形成有抗蝕圖案的基板的反射光對所述抗蝕圖案進行外觀檢查的外觀檢查工序。抗蝕圖案的制造方法包括：抗蝕圖案形成工序，在基板上形成抗蝕圖案；及顯色工序，在所述抗蝕圖案形成工序之后，使所述抗蝕圖案顯色。基板篩選方法...

本發明提供一種水膜的評價方法，其為評價水膜的均勻性的方法，其包括：第1步驟，準備具有用于形成水膜的主面的水膜形成用基材；第2步驟，通過在所述主面上形成有水膜的所述水膜形成用基材，對具有以規定面積配置有多個具有規定亮度的區域的圖案的被攝體...

熱硬化性樹脂組合物的制造方法包括：去溶劑工序，從包含熱硬化性樹脂、硬化劑及含有無機填充材與溶劑的漿料的第一混合物中，在第一去溶劑溫度下去除所述溶劑來獲得第二混合物；以及混練工序，向所述第二混合物中加入硬化促進劑，在溫度低于所述第一去溶劑...

熱硬化性樹脂組合物的制造方法包括：一次混練，對熱硬化性樹脂進行混練；以及二次混練，在所述一次混練后添加硬化促進劑進一步進行混練。混練。混練。

防霧劑包含二氧化硅粒子、粘合劑化合物、具有聚醚基的硅烷偶聯劑、及液狀介質。及液狀介質。及液狀介質。

本發明所涉及的層疊板具備：厚度5μm以下的銅層；及設置于銅層的表面上的樹脂層，在溫度130℃、相對濕度85％的環境下放置200小時后，樹脂層的吸水率為1％以下。本發明所涉及的布線基板的制造方法包括：準備層疊板的工序，該層疊板依次具備厚度...

一種成形體，其具有在厚度方向上依次配置有表皮層A、發泡層和表皮層B的發泡部位，所述發泡部位中的所述發泡層的厚度相對于所述表皮層A、所述發泡層和所述表皮層B的合計厚度的比例為73％～88％。比例為73％～88％。比例為73％～88％。

本發明公開一種半導體裝置的制造方法。該半導體裝置的制造方法具備：準備基材的工序；準備分別具有連接端子的多個半導體元件的工序；準備設置有第1配線的帶配線的基板的工序；將多個半導體元件配置于基材上的工序；用絕緣材料覆蓋基材上的多個半導體元件...

本發明提供能夠制作對基材潤濕性及涂布性良好的漿料，能夠在隔板上形成剝離強度高的涂層且能夠抑制隔板的熱收縮的非水系二次電池用隔板粘合劑聚合物及非水系二次電池用隔板粘合劑組合物。本發明的非水系二次電池用隔板粘合劑聚合物具有來自(甲基)丙烯酰...

一種組合物，其含有：第一中空粒子，其為熱膨脹性的中空粒子；第二中空粒子，其為除了第一中空粒子以外的中空粒子；及聚合性化合物。及聚合性化合物。

該沉降分析用光學單元(10)具有光透射的一對相對的(2、5)和2個偏光板(3、4)，所述2個偏光板(3、4)分別以正交偏光方式配置在所述一對相對的面(2、5)各自的內表面。5)各自的內表面。5)各自的內表面。

本發明涉及樹脂組合物、使用了該樹脂組合物的預浸料、層疊板、樹脂膜、印刷線路板和半導體封裝體，所述樹脂組合物含有：(A)選自馬來酰亞胺化合物及其衍生物中的1種以上，所述馬來酰亞胺化合物在分子結構中包含芳香族環與脂肪族環的稠環且具有2個以上N

本發明提供一種半導體裝置。該半導體裝置具備：半導體芯片；支承部件，搭載半導體芯片；及黏合部件，設置于半導體芯片與支承部件之間，黏合半導體芯片與支承部件。黏合部件包含銀粒子的燒結體。銀粒子的燒結體。銀粒子的燒結體。

本發明提供一種膜狀黏合劑。在該膜狀黏合劑中，120℃下的剪切粘度為17000Pa

一種電路連接用黏合劑薄膜的制造方法，其包括如下步驟：準備在表面具有多個凹部并且在該多個凹部的至少一部分配置有導電粒子的基體；通過在基體的表面上設置含有光固化性成分及第1熱固性成分的組合物層，將導電粒子轉印到組合物層；通過對組合物層照射光...

本發明涉及聚氯丁二烯膠乳組合物、浸漬制品、膠粘劑、粘合劑、和粘合制品，該聚氯丁二烯膠乳組合物包含氯丁二烯(共)聚合物(A)、和碳原子數7～10的芳香族化合物(B)，在將聚氯丁二烯膠乳組合物的固體成分量設為100質量份時，碳原子數7～10...

一種鋰離子二次電池用負極材料，其是滿足下述(1)～(3)的石墨粒子。(1)比表面積小于或等于2.7m2/g，(2)壓縮壓力大于或等于2.8kN/cm2，(3)由彈性能/塑性變形能表示的值大于或等于4。等于4。等于4。

一種組合物，其含有：下述式(1)所表示的化合物；及中空粒子。式(1)中，R

一種導熱組合物，包含固化型有機硅樹脂(A)和導熱性粉末(B)，相對于所述導熱組合物的總量，所述導熱性粉末(B)的含量為70～98質量％，相對于所述導熱性粉末(B)的總量，所述導熱性粉末(B)中含有累積體積50％粒徑為50μm以上且150...