梯度球磨制備鋰離子電池陽極材料的方法屬于鋰離子電池材料領域。傳統的二次鋰離子電池陽極材料為層狀石墨，存在高能耗、短路，過熱，燃燒甚至爆炸等問題。本發明將九水硝酸鐵和偏釩酸銨混合，置于球磨罐中，加入丙酮和鋼球，密封，偏釩酸銨的質量百分比為...

Ｆｅ位和Ｐ位摻雜型磷酸鐵鋰粉體的制備方法屬于電化學電源材料制備技術領域。本發明以（ＮＨ↓［４］）↓［６］Ｍｏ↓［７］Ｏ↓［２４］為Ｍｏ的摻雜源，按鋰鹽、亞鐵鹽、磷酸鹽和摻雜源（ＮＨ↓［４］）↓［６］Ｍｏ↓［７］Ｏ↓［２４］按一定摩爾比混...

本發明涉及一種固體氧化物燃料電池復合陰極的制備方法，屬于化學電源固體氧化物燃料電池材料領域。步驟為：１）共還原熱處理制備陰極材料ＡｕＮｉ，２）制備陰極材料Ｂｉ↓［２］Ｖ↓［０．９］Ｃｕ↓［０．１］Ｏ↓［５．３５］，３）制備復合陰極。該方...

Ｆｅ↓［５］（ＰＯ↓［４］）↓［４］（ＯＨ）↓［３］的制備及其應用屬于電化學領域。現有鋰離子電池正極材料存在導電率、離子擴散速率和容量低等問題。本發明通過將鋰鹽、鐵鹽和磷酸鹽，按摩爾比Ｌｉ↑［＋］∶Ｆｅ↑［３＋］∶ＰＯ↓［４］↑［３＋］...

本發明是一種電池裝置，具體為一種基于水處理的酶燃料電池裝置，本裝置在發電的同時進行有機廢水的處理。具體包括反應器蓋、與反應器蓋圍成一密閉空間的殼體、設置在該密閉空間內的渦流發生器、與密閉空間下部相連通的入水管、與密閉空間上部相連通的出水...

一種制備鋰離子電池正極材料磷酸鋰鐵粉體的方法，屬于電極材料的制備技術領域。現有的磷酸鋰鐵粉體的制備方法很難防止由Ｆｅ↑［２＋］到Ｆｅ↑［３＋］的轉變，使得原料容易在制備過程中氧化變質。本發明方法是將磷酸、七水合硫酸亞鐵以及氫氧化鋰按摩爾...

一種具有電流輸運增透窗口層結構的發光二極管，屬于半導體光電子技術領域。包括上電極（１０）、電流擴展層（２０）、上限制層（３０）、有源區（４００）、下限制層（５０）、緩沖層（６０）、襯底（７０）、下電極（８０），ＤＢＲ反光層（９０），在上...

鈣鈦礦結構鑭錳氧化物／氧化鋅異質ｐ－ｎ結及制備方法屬于半導體材料制造領域。本發明首次采用磁控濺射法制備出鈣鈦礦結構鑭錳氧化物／氧化鋅異質ｐ－ｎ結。該ｐ－ｎ結的結構為Ｓｉ（１００）單晶基片（１）襯底，Ｐｔ電極層（２）、ＺｎＯ薄膜（３）、及...

一種測量半導體器件歐姆接觸退化失效的芯片及測量方法，屬于半導體器件失效評估領域，它由在襯底上與前者結成一體的由半導體材料構成的平臺，固接在平臺表面的一排電極，在平臺表面平行于電極固接有一排與電極一一對應的輔助電極構成，相鄰電極之間的距離...

立方氮化硼薄膜的ｐ型摻雜方法屬于寬帶隙半導體薄膜摻雜領域。克服寬帶隙超硬材料ｃ－ＢＮ薄膜很難實現ｐ型摻雜的困難，實現ｃ－ＢＮ薄膜的有效ｐ型摻雜。本發明步驟：（１）使用低壓氣相薄膜生長設備襯底上沉積一層本征ｃ－ＢＮ薄膜，這層本征ＢＮ薄膜：...

變緩沖層濃度內透明集電區絕緣柵雙極晶體管的制造方法屬于晶體管的制造領域。本發明在器件的集電區附近一定范圍內形成一個極低過剩載流子壽命控制區。其技術方案是利用高劑量氦注入及后繼退火工藝在器件集電區近集電結附近引入局域納米空腔層，該納米空腔...

一種硅材料內透明集電區絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征在于，該制造方法首先進行以下步驟：　ａ）在０．０２－０．００５Ωｃｍｐ＋單晶硅襯底實施ｎ型摻雜預外延，外延層厚度１－１０微米，預外延的摻雜濃度為１×１０↑［１６］－２×１０↑［１ ...

一種相變存儲器的單元結構及實現方法，包括：襯底、層底電極、過渡層、絕熱層、相變材料層、過渡層、鎢電極和頂電極；其特征在于：所述的相變材料層下方的鎢電極中設置了利用曝光刻蝕技術刻蝕出的中空槽，中空槽內填充有絕熱材料ＳｉＯ↓［２］，以減少發...

鈣鈦礦結構鑭錳氧化物／氧化錫異質ｐ－ｎ結及其制備方法明屬于材料制造領域。目前還沒有鑭錳氧化物與氧化錫復合的ｐ－ｎ結。本發明所提供的ｐ－ｎ結包括有單晶襯底、沉積在單晶襯底上的厚度為１００－３００ｎｍ的ＳｎＯ↓［２］層和沉積在ＳｎＯ↓［２］...

電流輸運增透窗口層和高反射圖形轉移襯底的發光二極管，屬于半導體光電子技術領域。包括上電極（１００）、由導電增透出光層（１３０）、電流阻擋層（１１０）和電流擴展層（２０１）構成的電流輸運增透窗口層（１１１）、上限制層（３００）、有源區（５...

一種高速功率開關晶體管，是具有新型橫向結構的柵輔助晶體管ＧＡＴ。在芯片平面上看，該結構中的柵區由呈島狀分布的許多分立的區域構成，這些分立的島狀柵區在芯片平面上根據需要和制造工藝水平按一定間距排成陣列。該結構消除或減小了柵區與發射區之間的...

一種超聲霧化熱分解法制備釔系高溫超導長帶的裝置，包括有輸入氣體到質量流量控制儀（６）的氬氣瓶（８）、氧氣瓶（９），從質量流量控制儀（６）輸出氣體到沉積室、霧化室，與霧化室相連的超聲源，固定在沉積室上的移動部件，驅動移動部件的電機（５），...

本實用新型屬半導體器件測量領域。目前溫升和熱阻測量操作復雜，周期長，有的有破壞性。本裝置：被測器件（４０１）放在恒溫平臺（４０３）上；計算機（１００）通過接口（２００）接采集器（２０５）；（２０５）分三路：一路接三路開關（３０３），接到...

高效高亮全反射發光二極管屬于半導體光電子技術領域。本實用新型依次包含圖形電極（５１７），第一導電型歐姆接觸層（３０４），第一導電型電流擴展層（３０５），第一導電型下限制層（３０６），非摻雜的有源區（３０７），第二導電型上限制層（３０８）...

本實用新型涉及一種發光二極管的散熱裝置。該裝置主要包括有基座（１）、設置有插孔（３）的定位槽（２）、散熱材料（７）；其中，定位槽（２）設置在基座（１）的頂面，其形狀與發光二極管的形狀相適應，用于放置發光二極管，散熱材料（７）涂抹在定位槽...