一種用于電力電子領域的高速高壓功率集成器件，特征在于：在二極管與三極管之間設有用來提高二極管開關速度的結構段，該結構段采用在二、三極管ｐ型區之間用橫截面積小的有一定電阻的ｐ型區聯結起的電阻便捷橋式結構；或采用二極管鋁電極延伸到二極管外側...

一種低功耗半導體功率開關器件及其制造方法，提供低功耗的耐壓在２ＫＶ以內的ＩＧＢＴ、ＭＣＴ和晶閘管。特征是，離子注入形成的超薄、低雜質濃度的背ｐ↑［＋］發射區與包含單側殘留Ｎ型擴散層的雜質非均勻分布的Ｎ型基區的結合。方法特征是，其中非均勻...

一種手指式泵及其驅動方式涉及流體機械學科，包括有滑動頭１與缸體２構成的液壓柱塞機構，并由固定體３同連接管４連接，連接管４的另一開口連接泵體６的出口，泵體６內用常規連接固定著壓電陶瓷振子７，這樣由１、２、３、４、６、７組成內封裝入不可壓縮...

一種在半導體Ｓｉ基片上沉積納米顆粒Ｃｕ膜的高壓電化學方法，其特征是：在常溫常壓下，以不含Ｃｕ離子的水溶液為初始電解質，以Ｃｕ片作陽極，以半導體Ｓｉ基片作陰極，在２００～２０００Ｖ的高壓下進行電沉積１０ｍｉｎ～２ｈ，在半導體Ｓｉ基片上獲...

一種用于微電子器件的無泵液體散熱方法，是采用流有液體的散熱器，使其帶走待散熱器件工作時產生的熱量，本發明的特征在于：采用一種低沸點、無毒、不燃的載熱液體裝入吸熱容器中，該吸熱容器與散熱器成為連接成一體形成內部密閉空間，用載熱液體吸收微電...

硅高速半導體開關器件的制造方法，其特征在于，它按以下步驟進行制造： （１）按常規方法進行器件制造的前部各制造步驟，直至開始制造金屬化電極； （２）去除將要制造的金屬化電極與硅片接觸區的硅表面絕緣膜，裸露出硅表面；然后用常規的...

一種微射流陣列冷卻熱沉，其特征在于，包括有依次封裝在一起的過流片（１），射流入口腔片（２），射流噴嘴片（３），射流出口片（４），傳熱片（５）；過流片（１）上開有與外部管路連接的進液口（６）和出液口（７）；射流入口腔片（２）上設有射流入口...

一種微電子器件可靠性快速評價方法，其特征在于，包括以下步驟：　　　　１）先用紅外法測量微電子器件在實驗中待采用的電流密度為ｊ、電壓為Ｖ的電應力下的峰值結溫Ｔ↓［ｊｐｅａｋ］，然后用峰值結溫Ｔ↓［ｊｐｅａｋ］減去加熱平臺的溫度Ｔ↓［０］即...

一種用于電力電子領域的具有延伸肖特基結的高速高壓功率集成器件，它在同一芯片上集成有半導體三極管和與其反并聯的半導體二極管，其特征在于：在二極管與三極管之間設有用來提高二極管開關速度的延伸肖特基結結構，采用二極管鋁電極延伸到二極管外側部分...

無鉛壓電陶瓷Ｎａ↓［０．５］Ｂｉ↓［０．５］ＴｉＯ↓［３］納米線的制備方法屬于壓電陶瓷材料領域。傳統制備ＮＢＴ粉體的方法是固相燒結法，得到的粉體由于高溫處理很容易團聚并且尺寸分布不均勻。該方法特征在于包括以下步驟：按摩爾比１∶１∶２稱量...

高抗靜電高效發光二極管及制作方法，屬于半導體光電子技術領域。它包含利用一導電型半導體材料制作的基板及發光二極管芯片，基板上制作有集成的雙向穩壓二極管，發光二極管芯片主要包含在一透明藍寶石襯底及在此襯底上的ＧａＮ結構層和整面Ｐ電極、Ｎ電極...

ｎ－ｐｉｎ結構的發光二極管，屬于半導體光電子領域。針對現有技術中紅色發光二極管制備方法生產成本高，且在進行二次外延時界面會引起問題，藍色發光二極管方法制備的電流擴展層大大降低了器件的亮度，而且沒有得到良好的電流擴展效應。本發明如所示，包...

硅片低溫直接鍵合方法，屬半導體直接鍵合領域。現有技術處理過的硅片仍需４５０℃以上的熱處理，而高溫會改變硅片的雜質分布，熱膨脹會帶來應力，損傷硅片上的微細結構，有ＩＣ存在并有鋁引線時，溫度超過鋁硅共晶點引起器件失效。本發明表面處理過程為：...

帶有懸空可動敏感結構的靜電鍵合工藝，涉及半導體靜電鍵合技術領域。現有技術在可動的結構對應的玻璃上淀積一層絕緣層，減少可動結構與玻璃襯底的“粘附”問題，無法消除靜電力對可動結構的破壞作用。帶有金屬電極的玻璃置于恒溫熱臺面上，有金屬電極的一...

本發明涉及一種ＧａＮ基ＬＥＤ高反電極，屬于光電子器件制造技術領域。該電極的結構從下到上包括摻雜Ｍｇ的、器件發出的光從該層到達高反電極層，然后經電極反射再從該層返回器件內部的半導體ＧａＮ基底層（１），歐姆接觸層（６），高反鏡（３），保護層...

本發明的低接觸電阻、低光吸收、全角高反射的ＬＥＤ電極屬于光電子器件制造技術領域。該電極的結構為：第一層是摻雜的半導體層基底（１）；第二層是位于半導體基底上的歐姆接觸層（８）；第三層是在歐姆接觸層上的一層銀高反鏡（３）；第四層是在銀高反鏡...

一種層狀鈷基氧化物熱電材料的制備方法，屬于功能材料中的氧化物熱電材料領域。針對傳統固相合成方法存在反應溫度較高、反應時間相對較長以及化學均勻性不好、能耗大，難以獲得細晶粒尺寸熱電化合物等問題。該方法將反應原料分別按Ｃａ↓［２］Ｃｏ↓［２...

本發明屬半導體器件測量領域。目前溫升和熱阻測量操作復雜，周期長，有的有破壞性。本發明裝置：被測器件（４０１）放在恒溫平臺（４０３）上；計算機（１００）通過接口（２００）接采集器（２０５）；（２０５）分三路：一路接三路開關（３０３），接到...

本發明屬壓電陶瓷領域。傳統合成Ｋ↓［０．５］Ｂｉ↓［０．５］ＴｉＯ↓［３］（ＫＢＴ）粉體是固相煅燒法，高溫熱處理導致粉體較粗（微米級），易團聚，活性差，難獲得高致密度陶瓷。本發明步驟：按摩爾比１∶１∶２稱量的硝酸鉍、硝酸鉀和鈦酸四丁酯，...

本發明屬于化學機械拋光領域。現有日本的幾種拋光液產品主要為金剛石磨料的堿性溶液，由于其中磨粒粒徑大小不均勻，不能很好的解決機械作用造成的損傷和應力的問題，無法達到光滑鏡面的目的。本發明提供的一種有機堿腐蝕介質的稀土拋光液，包括磨料二氧化...