高提取效率的半導體發光二極管結構屬于光電子器件制造技術領域，適合于多種波長的半導體ＬＥＤ。現有ＬＥＤ雖然內量子效率高，但是外量子效率很低，只有很少的一部分光子能夠從ＬＥＤ出射。本實用新型提出在ＬＥＤ外延片上生長ＩＴＯ透明導電膜與Ｓｉ↓［...

一種高速高壓雙極晶體管，是具有新型橫向結構的柵輔助晶體管（ＧＡＴ）。在芯片平面上看，其基區的電極引出區是與柵區有重疊或部分重疊的許多孤立區域，這些孤立區域分布成列，每列中的各個引出區又相互隔開；同時，發射區包圍在各個基區電極引出區的周圍...

本實用新型屬于半導體領域，是一種高光提取效率的發光二極管。傳統ＬＥＤ所帶高反鏡的為平面板式，側壁的光不能被利用。本實用新型的二極管包括：Ｐ電極加厚電極（１），金屬高反鏡（３），Ｐ電極歐姆接觸層（４），Ｐ型半導體（５），多量子阱有源區（６...

一種微射流陣列冷卻熱沉，其特征在于，包括有依次封裝在一起的過流片（１），射流入口腔片（２），射流噴嘴片（３），射流出口片（４），傳熱片（５）；過流片（１）上開有與外部管路連接的進液口（６）和出液口（７）；射流入口腔片（２）上設有射流入口...

一種溫度可控恒溫平板裝置屬半導體測量領域。目前恒溫裝置恒溫過程長。特征在于：將半導體冷堆（２０２）上下面涂導熱脂，分別與導熱材料平臺（２０１）、水套平臺（２０５）粘接；水套平臺中流有換熱循環水，通過水泵（２０３）和水箱（２０４）將半導體...

本實用新型屬于光電子器件制造技術領域，具體涉及半導體發光二極管的電極結構。低壓降高取光ＬＥＤ電極，其結構包括：半導體基底（１），歐姆接觸層（２），透明電流擴展層（３），壓焊電極（４）；歐姆接觸層與半導體基底接觸，覆蓋在半導體基底的上面；...

ｎ－ｐｉｎ結構的發光二極管，屬于半導體光電子領域。針對現有技術中紅色發光二極管制備方法生產成本高，且在進行二次外延時界面會引起問題，藍色發光二極管方法制備的電流擴展層大大降低了器件的亮度，而且沒有得到良好的電流擴展效應。本實用新型如所示...

一種高速雙極功率開關晶體管發射區結構。從剖面結構上看，這種發射區由輕摻雜的中心區域和分布在兩側的高摻雜的周邊區域構成。該結構能夠加速晶體管的關斷過程，有效地改善雙極功率晶體管的開關時間和開關損耗，提高晶體管關斷時的熱電穩定性，使之能夠在...

一種用于微電子器件的無泵液體散熱裝置，包括有散熱器、盛裝液體的容器，本實用新型的特征在于：它是由末端散熱器、連接管（２）、及內置載熱液體（４）的吸熱容器（３）組成；吸熱容器（３）與末端散熱器通過連接管（２）連為一體并使內部形成密閉空間。

一種微波晶體管金屬化布線加固結構，屬于微波晶體管制造技術領域。包含發射區、覆蓋于發射區上的歐姆接觸層，部分覆蓋發射區并在歐姆接觸層下部的絕緣層，覆蓋于歐姆接觸層上的阻擋層和覆蓋于阻擋層上的上金屬化層，其特征在于：距歐姆接觸層引出部分邊緣...

本實用新型涉及半導體光電子器件制造技術領域，尤其涉及一種納米結構出光面的半導體發光二極管ＬＥＤ。本實用新型是在常規ＬＥＤ的ＧａＰ層（２）上表面沒有Ｐ型電極（１１）的表層刻蝕出納米級的凹凸結構層面；也可以在凹凸結構層面和Ｐ型電極（１１）的...

這是一種可在全溫區工作的硅晶體管的制造技術，據此制出的晶體管電流放大倍數隨溫度變化很小，可在－６５℃－＋２００℃范圍內正常工作．它是一種由常截止型結型場效應晶體管和雙極晶體管混合為一體的新型晶體管．其很寬溫度變化范圍內的高溫度穩定性是通...

高熱穩定性的功率器件的封裝方法，可用于制造具有高溫度穩定性的功率器件和穩壓二極管等半導體器件．與傳統的封裝方法相比，本發明的特征是：在芯片內充了一種高穩定性的、沸點（或熔點）一定的物質，或者也可以在芯片內部加一個有源熱源．一旦芯片接通電...

功率器件的封裝方法，是為解決功率器件抗燒毀用的．與傳統的功率器件封裝方法相比，本發明的特征在于：在管殼內充以高熱導率的流體，或者也可以在芯片表面涂敷高熱導率的薄膜．這種封裝方法具有熱導率高、抗電穿能力強、可防止由于內部引線斷裂或金屬殘余...

一種應用于氫冷發電機漏氫監測裝置中的新型氫敏半導體器件，是由集成在一個硅片上的氫氣測量管、加熱電阻和控溫二極管組成。該器件共四根引線，漏極與柵極共用一根，源極、加熱電阻Ｒ－［２］端、控制二極管Ｐ極共用一根，其它為單獨引出。該器件制造方法...

一種主要用于氨氣報警、探漏、監測及定量測量等場合的新型氨敏半導體器件，是由集成在一個硅片上的氨氣測量管，加熱電阻和溫控二極管組成。該器件共四根電極引線，漏極和柵極共用一根；源極，加熱電阻Ｒ↓［２］極和溫控二極管的Ｎ極各單獨一根引線。該器...

一種高電遷徙阻力的多層金屬化結構及其設計方法屬于ＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ及微波器件金屬化結構的制造技術領域，其特征在于：在離ＳｉＯ↓［２］絕緣層歐姆接觸窗口的一個回流長度處在底層導電層Ａｌ－１％Ｓｉ上開有一個盡可能小的縫隙，并給出了臨界回流長...

一種紅外探測器包括有硅基襯底、充有特殊氣體的密閉腔、覆蓋于密閉腔上的透紅外窗口薄膜及形變薄膜、及測量元件等。它利用特殊氣體對某一波段紅外線的較強吸收性，當該氣體吸收該波段紅外輻射后受熱膨脹產生的壓力作用于覆蓋膜上時，覆蓋膜產生形變導致與...

本發明涉及一種多晶織構銀基帶及其制備方法和應用，屬于高溫超導涂層韌性基帶及超導薄膜的制備技術領域。本發明多晶織構銀基帶具有單組分｛１１０｝雙軸織構或立方織構。對于單組分｛１１０｝雙軸織構，采用冷軋及再結晶退火的方法，對于單組分立方織構，...

一種量子阱基區異質結雙極型晶體管，屬于高速微電子技術領域，其特征是，沿基區縱向生長一個或多個非摻雜量子阱層，使基區內的多數載流子主要處在量子阱中作橫向輸運，從而大大提高多數載流子的橫向遷移率，并同時形成對少數載流子的縱向漂移場，加速少數...