本實用新型為用于大功率半導體激光陣列相干耦合的光纖整形器，屬于激光技術領域。特征在于：光纖整形器放置在半導體激光陣列（１）和外腔鏡（６）之間，包括有對準固定套（３）、光纖（４）和重排固定套（５）；其中，對準固定套（３）靠近半導體激光陣列...

本實用新型是一種半導體激光陣列快慢軸光束參數乘積均勻化裝置，屬于激光技術應用領域。包括一組半導體激光陣列快慢軸準直微透鏡單元、平板玻璃堆Ａ、Ｂ和聚焦透鏡組。經快慢軸準直微透鏡后的光垂直入射到平板玻璃堆Ａ，光束被分割成多份并在各自對應的平...

大功率半導體激光縱向泵浦固體激光器，包括有半導體激光器，激光經過的聚集透鏡，入射激光的激光晶體，折疊鏡，輸出鏡，以布儒斯特角放置的補償板，特征在于，在諧振腔內激光晶體與折疊鏡之間加入一個補償透鏡。該補償透鏡與在激光晶體內產生的熱透鏡間的...

一種激光脈沖四通放大器，可廣泛用于大信號超短激光脈沖的能量放大。利用激光的偏振特性，由法拉第光學旋轉器（３）、第二偏振棱鏡（４）、第一全反鏡（５）、激光增益介質（６）、１／４波片（９）和全反鏡（１０）組成，其中，１／２波片、法拉第光學旋...

本實用新型是一種帶指示光的高功率單腔Ｌ型綠光激光器，屬于綠光激光倍頻裝置技術領域。包括鍍有對基頻光１０６４ｎｍ全反膜的全反鏡，在全反鏡沿光路到激光棒之間加一Ｑ開關，Ｑ開關之后是包含激光棒和泵浦源的泵浦腔，激光棒兩端鍍有對基頻光的增透膜，...

雙棒串接大功率固體激光器屬于大功率固體激光器技術領域。目前國內已有的Ｎｄ∶ＹＡＧ激光器采用兩４００Ｗ單棒激光器模塊串接時的輸出功率只有５００－７００Ｗ，電光轉換效率只有３％。本實用新型特征在于，同時滿足以下條件：選擇平均有效熱焦距ｆ、徑...

本實用新型公開了一種高功率燈泵浦大功率固體激光器，其諧振腔為全反鏡和部分反射耦合輸出鏡構成，激光腔為全腔水冷雙燈泵浦陶瓷漫反射腔，由聚光腔、激光晶體、泵浦燈、濾光管組成；所述的諧振腔的腔體中心放置激光晶體；其外套設有濾光管；兩側對稱位置...

本實用新型是一種大功率固體激光器泵浦光的反射面，屬于激光技術領域。該反射面相對于長軸對稱，包括上反射面（１２）和下反射面（１３），下反射面１３中間為兩段橢圓弧反射面（１），兩端為圓弧反射面（２），橢圓弧反射面（１）和圓弧反射面２的交點為...

本實用新型涉及一種應用光纖耦合的半導體激光器的外腔相干鎖相裝置，屬于激光多光束整形、耦合及相干光模式鎖定技術領域。本裝置中半導體激光器陣列（１）前面設置有聚焦準直透鏡（２），在聚焦透鏡準直透鏡（２）的另一面并對應半導體激光器陣列（１）的...

本實用新型為實現大功率激光二極管堆光束并合的耦合裝置，屬于激光技術領域。本裝置由激光二極管堆（１）、非球面快軸準直鏡（２）、啁啾體布拉格光柵（３）、柱透鏡（４）、全息光柵（５）、全反鏡（６）、半波片（７）、雙折射晶體（８）構成。通過啁啾...

高效大功率多波長隧道級聯多有源區垂直腔面發射激光器，屬半導體光電子領域，如圖所示，包括有上分布布拉格反射鏡（１），下分布布拉格反射鏡（６），襯底（７），特征在于還包括在上、下分布布拉格反射鏡（１）和（６）之間的Ｎ個重復排列的有源區部分（...

無水冷ＣＯ２激光器是一種電光轉換元件．與一般的無水冷ＣＯ２激光器相比，其特點是：采用鋁作傳熱和散熱介質，采用了與放電管并聯的儲氣套和沿著管長方向配置的Ｕ字形回氣管．因而其散熱性能好（在額定功率下鋁散熱套的表面溫度在５０～６０℃之間）、結...

側面泵浦薄片激光器屬固體激光領域。目前薄片激光器散熱效果差或激光器效率不高。本實用新型包括ＬＤ陣列（８）、貼熱沉晶體薄片、耦合輸出鏡（１５），特征在于，該晶體薄片正視：中心為摻雜增益介質圓柱狀薄片晶體（１７），外部為正ｎ邊形非摻雜非規結...

一種可產生寬帶激光束的轉鏡裝置屬于金屬激光表面強化用的寬帶激光束發生器領域。其特征在于：其可調光路部分包括對入射激光束進行聚焦的凹面鏡、對其發出的激光束進行調整的凸面鏡、對調整后的激光束進行展寬的轉鏡、對寬帶激光束作二次聚焦的柱面鏡以及...

寬帶可調諧超短脈沖激光系統是一種全固態的脈沖激光器。本發明的特點在于：它采用棱鏡提高了泵浦光的頻譜純度，使產生的信號光純度高、功率大，用光壓縮透鏡來獲得最佳泵浦光斑面積并提高了光束的能量和質量，用ＢＢＯ晶體制成的參量寬帶調諧發生和放大裝...

寬帶可調諧超短脈沖激光系統是全固態的脈沖激光器。本發明的特征在于：它采用棱鏡提高了泵浦光的頻譜純度，用光壓縮透鏡組獲得了最佳泵浦光斑面積且提高了光束的能量和質量，用一塊ＢＢＯ晶體制成既起參量發生又起參量放大作用的寬帶調諧裝置來進行角度調...

一種高效逐級增強高亮度發光二極管及其設計方法，屬于半導體光電子技術領域，其特征是發光二極管中的發光區由多個重復排列的單元大發光區構成，每一個單元大發光區包括前級發光區和后級發光區以及位于前后兩級發光區之間的Ｐ↑［＋］－Ｎ↑［＋］隧道結。...

一種高效大功率大光腔半導體激光器，屬于半導體光電子技術領域，其特征是，采用了由多個重復排列的單元發光區及位于每相鄰兩單元發光區之間的Ｐ↑［＋］－Ｎ↑［＋］隧道二極管所構成的多級耦合整體大光腔式發光區結構，通過各單元發光區間的隧道二極管為...

本發明涉及一種釩酸鹽及摻雜單晶的浸蝕方法，特別是一種用于位錯密度測定的釩酸鹽及摻雜單晶的浸蝕方法。本發明的特征在于：將釩酸鹽及摻雜稀土單晶拋光后置于浸蝕液中，浸蝕液成份為濃磷酸和氫氟酸，其體積比為濃磷酸∶氫氟酸＝１００∶０～１０，在溫度...

一種兩端無摻雜激光棒的制備工藝，其特征在于，它包括以下步驟：　　　　（１）、按照常規加工方法加工好激光棒；　　　　（２）、將上述激光棒從頂部放入與該激光棒中的激光基質相同介質的熔融液體中，激光棒邊緣微熔后，以常規的單晶生長工藝生長出所需...