一種高頻低功耗功率結(jié)型場效應(yīng)晶體管，是由溝道區(qū)、源區(qū)、漏區(qū)、柵區(qū)和源電極、柵電極、漏電極組成，特征在于，在各個柵電極下面的半導(dǎo)體中隱埋有相互有一定間距的局域絕緣區(qū)，絕緣區(qū)的絕緣材料可以是氧化硅，氮化硅或其他絕緣材料。本發(fā)明的結(jié)型場效應(yīng)晶...

本發(fā)明屬于光電子器件領(lǐng)域。傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)光提取效率低，熱可靠性差，絕緣層一次生長完成，易造成ＰＮ結(jié)漏電。結(jié)構(gòu)包括：Ｐ電極加厚電極（１），高反鏡保護(hù)層（２），金屬高反鏡（３），Ｎ電極（４），Ｎ型半導(dǎo)體（５），多量子阱有源區(qū)ＭＱＷ（６），Ｐ型半導(dǎo)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光二極管表面鈍化方法，適于多種波長的ＬＥＤ。現(xiàn)用在ＬＥＤ上的鈍化層是ＳｉＯ↓［２］和ＳｉＮ↓［ｘ］，不能很好改善ＬＥＤ光特性。本發(fā)明步驟：已經(jīng)制備好Ｎ電極（５）和Ｐ電極（２）的ＬＥＤ樣品放入到ＰＥＣＶＤ設(shè)備的腔室；Ｎ↓...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電子技術(shù)領(lǐng)域。現(xiàn)有二極管或封裝難度大且成本高，或工藝復(fù)雜，成品率低。本發(fā)明結(jié)構(gòu)：ｐ電極加厚電極（１）、ｐ電極歐姆接觸層（２）、ｐ型層（６）、有源區(qū)一（３０１）、ｎ型層（７）、緩沖層（８）、襯底（９）、ｎ電極（１０）和ｎ...

高效高亮全反射發(fā)光二極管及其制作方法屬于半導(dǎo)體光電子技術(shù)領(lǐng)域。依次包含圖形電極（５１７），第一導(dǎo)電型歐姆接觸層（３０４），第一導(dǎo)電型電流擴(kuò)展層（３０５），第一導(dǎo)電型下限制層（３０６），非摻雜的有源區(qū)（３０７），第二導(dǎo)電型上限制層（３０８...

本發(fā)明公開了一種基于鎵氮／藍(lán)寶石透明襯底發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及制備方法，該二極管包括有依次縱向?qū)盈B的ｎ型歐姆接觸電極（７）、ｎ型載流子限制層（５）、有源區(qū)（４）、ｐ型載流子限制層（３）：在ｐ型載流子限制層（３）的下面依次包括隧道結(jié)結(jié)構(gòu)（８）、...

一種二步光刻法制作ＧａＮ基ＬＥＤ的制備方法，屬于光電子器件制造技術(shù)領(lǐng)域。傳統(tǒng)方法的ＧａＮ基ＬＥＤ制作一般共用到了六步光刻，浪費(fèi)電極材料和化學(xué)試劑，提高了工時和設(shè)備損耗。本發(fā)明提出了ＬＥＤ的兩步光刻制作法，即第一次光刻后利用感應(yīng)耦合等離子...

高提取效率的半導(dǎo)體發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制備方法屬于光電子器件制造技術(shù)領(lǐng)域，適合于多種波長的半導(dǎo)體ＬＥＤ。現(xiàn)有ＬＥＤ雖然內(nèi)量子效率高，但是外量子效率很低，只有很少的一部分光子能夠從ＬＥＤ出射。本發(fā)明提出在ＬＥＤ外延片上生長ＩＴＯ透明導(dǎo)電膜與...

隧道補(bǔ)償多有源區(qū)紅外探測器屬于半導(dǎo)體光電子領(lǐng)域。傳統(tǒng)紅外探測器件，光電流的大小與量子阱的個數(shù)無關(guān)，暗電流大；響應(yīng)速度低，噪聲較大，吸收譜帶寬較窄。本發(fā)明襯底上生長下接觸層，然后生長多量子阱區(qū)，上接觸層，制作臺面和電極，特征在于多量子阱區(qū)...

本發(fā)明為一種具有內(nèi)透明集電極的絕緣柵雙基晶體管（ＩＧＢＴ），它是一種功率半導(dǎo)體開關(guān)器件，它是在現(xiàn)有ＰＴ－ＩＧＢＴ結(jié)構(gòu)中的Ｐ↑［＋］型襯底與Ｎ型緩沖層之間加入一層厚度很薄、摻雜濃度低于Ｐ↑［＋］襯底的Ｐ型內(nèi)透明集電區(qū)并且在內(nèi)透明集電區(qū)中或...

本發(fā)明涉及一種Ｐ型透明導(dǎo)電氧化物ＣｕＡｌＯ↓［２］薄膜的制備方法。該方法的步驟為：將化學(xué)純的Ｃｕ↓［２］Ｏ粉和分析純的Ａｌ（ＯＨ）↓［３］粉經(jīng)５００～５５０℃預(yù)燒１～１．５ｈ，在１０５０～１１５０℃保溫８～１２ｈ，生成純相的ＣｕＡｌＯ↓...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電子器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種納米結(jié)構(gòu)出光面的半導(dǎo)體發(fā)光二極管ＬＥＤ。本發(fā)明是通過在常規(guī)ＬＥＤ的ＧａＰ層（２）上生長介質(zhì)層（１２）及金屬層（１３）后，依次利用金屬層（１３）作掩膜刻蝕介質(zhì)層（１２）和ＧａＰ層（２）上...

硅材料高頻低功耗功率結(jié)型場效應(yīng)晶體管（ＪＦＥＴ）制造方法，能夠在溝槽柵、表面柵和隱埋柵型功率ＪＦＥＴ結(jié)構(gòu)中柵極區(qū)的下方形成隱埋的局域絕緣層。其技術(shù)方案是：將ＳＯＩ工藝中的ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ技術(shù)思路以局域化的方式用于縱向?qū)щ姷墓β势骷?..

用于相變存儲器的Ｓｉ－Ｔｅ－Ｓｂ系列相變薄膜材料屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。目前Ｇｅ↓［２］Ｔｅ↓［５］Ｓｂ↓［２］材料的結(jié)晶溫度較低（約為１６５度）面臨著數(shù)據(jù)丟失的危險。本發(fā)明提供的一種用于相變存儲器的硅－碲－銻存儲材料，組成通式為Ｓｉ↓［ａ...

本發(fā)明涉及一種ｐ型透明氧化物半導(dǎo)體ＣｕＣｒＯ↓［２］薄膜材料的制備方法。該方法是將純度均為９９．９％的Ｃｕ↓［２］Ｏ粉體和Ｃｒ↓［２］Ｏ↓［３］粉體按Ｃｕ與Ｃｒ的原子比為１∶１配料，然后球磨混合，烘干后在１１５０℃煅燒１２ｈ，生成純相的...

一種電子顯微鏡樣品盒屬于顯微鏡領(lǐng)域。一種電子顯微鏡樣品盒，包括樣品支持底座和樣品盒蓋兩部分，其特征在于：在樣品支持底座上分布著若干行整齊排列的樣品圓孔，樣品圓孔的直徑為３－４ｍｍ，樣品圓孔的深度為１０－１０００μｍ。本實(shí)用新型可以利用吸...

一種熱雙金屬片驅(qū)動的透射電子顯微鏡載網(wǎng)屬納米材料微區(qū)變形原位表征領(lǐng)域。現(xiàn)有透射電子顯微鏡原位納米材料力學(xué)性能測試不能實(shí)現(xiàn)大角度傾轉(zhuǎn)。載網(wǎng)包括支撐部分和驅(qū)動部分，支撐部分是金屬環(huán)（１），驅(qū)動部分是兩個對稱排列的不同線膨脹系數(shù)組成的熱雙金屬...

透射電鏡中一維納米材料測試載片屬于納米材料性能原位檢測領(lǐng)域。該載片包括中心金屬片（１）、兩個附耳（２）、狹縫（３）、扇形燕尾槽（４）、沿狹縫（３）對稱分布的至少２０個圓形柵孔（５）；分布于中心金屬片（１）左右兩側(cè)且處于同一直徑上的兩個附...

本發(fā)明公開了一種Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］－Ｌｕ↓［２］Ｏ↓［３］體系復(fù)合稀土－鉬電子發(fā)射材料及其制備方法，屬于稀土難熔金屬陰極材料技術(shù)領(lǐng)域。現(xiàn)有陰極材料無法滿足較高的電子發(fā)射要求。本發(fā)明特征在于：使用稀土元素釔和镥作為添加元素，按任意比例摻...

本發(fā)明公開了一種Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］－Ｇｄ↓［２］Ｏ↓［３］體系復(fù)合稀土－鉬電子發(fā)射材料及其制備方法，屬于二次電子發(fā)射材料技術(shù)領(lǐng)域。現(xiàn)有二次電子發(fā)射材料無法滿足較高的電子發(fā)射要求。本發(fā)明特征在于：使用稀土元素釔和釓作為添加元素，按不同比...