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        北京華大九天科技股份有限公司專利技術(shù)

        北京華大九天科技股份有限公司共有168項(xiàng)專利

        • 本發(fā)明公開一種模擬電路仿真中解決高阻態(tài)節(jié)點(diǎn)不收斂的方法及裝置,該方法包括:在求解瞬態(tài)分析一個(gè)時(shí)間點(diǎn)的電路方程過程中,連續(xù)多次迭代過程中節(jié)點(diǎn)的解|ΔX|amp;gt;tolerence或者ΔX不收斂但是右端項(xiàng)收斂時(shí),檢查是否有高阻態(tài)的節(jié)點(diǎn)...
        • 一種PWM邏輯高低電平切換區(qū)域的電流監(jiān)控方法,包括以下步驟:提取PWM邏輯結(jié)構(gòu)的整體寄生網(wǎng)絡(luò);抓取PWM邏輯Cross Section區(qū)域,獲得抓取PWM邏輯Cross Section時(shí)間;分時(shí)獲取分段電流分布信息,并進(jìn)行顯示。本發(fā)明的...
        • 一種利用矢量擬合進(jìn)行數(shù)據(jù)校正的方法,包括以下步驟:將給定的原始數(shù)據(jù)集設(shè)定為矢量擬合對(duì)象;建立矢量擬合的數(shù)據(jù)集,進(jìn)行矢量擬合的一次迭代,生成迭代后的新數(shù)據(jù)集;判斷所述新數(shù)據(jù)集是否滿足收斂條件,滿足收斂條件時(shí),輸出所述新數(shù)據(jù)集為因果性校正后...
        • 一種選取電路仿真中牛頓迭代的初值的方法,包括以下步驟:建立電路中器件的拓?fù)溥B接關(guān)系;根據(jù)所述電路中器件的拓?fù)溥B接關(guān)系,標(biāo)記節(jié)點(diǎn)屬性;根據(jù)所述節(jié)點(diǎn)屬性,確定牛頓迭代初值。本發(fā)明的選取電路仿真中牛頓迭代的初值的方法,可根據(jù)節(jié)點(diǎn)屬性可以采取不...
        • 一種電路仿真中減少矩陣分解的方法,包括以下步驟:建立Newton
        • 解決電路仿真中牛頓迭代算法死循環(huán)的方法,包括以下步驟:1)計(jì)算每次迭代對(duì)應(yīng)的殘差;2)根據(jù)殘差的大小,判斷迭代是否正常;3)確定新的迭代電壓;其中,如果迭代正常,則取當(dāng)前電壓為新的迭代電壓;如果迭代異常,則計(jì)算兩次循環(huán)的節(jié)點(diǎn)電壓的算術(shù)平...
        • 一種集成電路分析中進(jìn)行整體回代求解和收斂性判定方法,包括以下步驟:將電路進(jìn)行層次劃分,并在底層矩陣記錄有需要檢查阻尼系數(shù)的支路;對(duì)所有矩陣進(jìn)行分解獲得所有的層次矩陣;對(duì)所述層次矩陣進(jìn)行回代求解,并檢查解的收斂性;并行檢查底層矩陣是否需要...
        • 一種Trap?Gear時(shí)間離散格式的時(shí)間步長(zhǎng)設(shè)定方法,包括以下步驟:獲取當(dāng)前時(shí)間點(diǎn)電荷變量在每個(gè)電路網(wǎng)格點(diǎn)上的電荷三階導(dǎo)數(shù);根據(jù)仿真所要求的誤差閾值和所述電荷三階導(dǎo)數(shù),獲取當(dāng)前時(shí)間點(diǎn)的下一時(shí)間步的步長(zhǎng);將當(dāng)前時(shí)間點(diǎn)的下一時(shí)間步的步長(zhǎng)作為...
        • 本發(fā)明提供一種電路仿真中牛頓迭代的收斂判定的改進(jìn)方法,包括以下步驟:1)計(jì)算電路仿真中牛頓迭代的殘差和間隙;2)根據(jù)收斂準(zhǔn)則判斷牛頓迭代的收斂性;其中,電路仿真中牛頓迭代的殘差為節(jié)點(diǎn)k的所有支路的電流和,記作I(v
        • 本公開提供了一種圖形處理方法、電子設(shè)備、服務(wù)器和存儲(chǔ)介質(zhì),能根據(jù)器件的版圖信息設(shè)置布線之間填充圖形的適配參數(shù),并以此選取出滿足該適配參數(shù)相應(yīng)設(shè)定條件的填充區(qū)域,通過對(duì)Fanout圖形中該填充區(qū)域的篩選操作得到該填充區(qū)域中相鄰布線之間可進(jìn)...
        • 本發(fā)明公開一種用于集成電路系統(tǒng)的無(wú)源性校正方法,包括:計(jì)算S參數(shù)矢量擬合輸出的各極點(diǎn)在各頻率下的頻率響應(yīng);根據(jù)各極點(diǎn)的所述頻率響應(yīng),確定對(duì)應(yīng)于所述各頻率的約簡(jiǎn)的留數(shù)梯度矢量;根據(jù)所述留數(shù)梯度矢量,確定對(duì)應(yīng)于所述各頻率的全頻率的二次項(xiàng)矩陣...
        • 本公開涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種基于參數(shù)化單元的掩模信息處理方法,其首先通過獲取數(shù)據(jù)庫(kù)中半導(dǎo)體器件的參數(shù)化單元的圖形數(shù)據(jù),該參數(shù)化單元的圖形數(shù)據(jù)包括前述半導(dǎo)體器件在不同結(jié)構(gòu)層的工藝圖形信息;其次根據(jù)該參數(shù)化單元的圖形數(shù)據(jù)構(gòu)建處理圖...
        • 本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種應(yīng)用于異形劉海屏的電容補(bǔ)償布線方法、裝置、服務(wù)器和存儲(chǔ)介質(zhì),通過確定位于顯示區(qū)臨近劉海區(qū)邊緣的第一像素單元中第一端口的位置,并依次標(biāo)記排序;以及確定該劉海區(qū)中對(duì)應(yīng)臨近每個(gè)第一像素單元的GOA單元中第二端...
        • 本公開提供了集成電路的總體布線方法及設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì),該方法包括:獲取集成電路的網(wǎng)表信息和各電路層內(nèi)元件的位置信息;構(gòu)造三維網(wǎng)格并確定三維網(wǎng)格內(nèi)的各個(gè)網(wǎng)格的擁塞值;基于網(wǎng)表信息和位置信息確定集成電路的初始布線結(jié)果;根據(jù)擁塞值,通過拆線重布...
        • 本發(fā)明公開了一種用于電路仿真模型的異常檢測(cè)方法及裝置,該方法包括:?jiǎn)?dòng)電路仿真模型的仿真流程;根據(jù)所述電路仿真模型的類型,確定與綜合結(jié)果有關(guān)的檢測(cè)參數(shù),根據(jù)所述檢測(cè)參數(shù)執(zhí)行與偏壓無(wú)關(guān)的異常檢測(cè);根據(jù)所述電路仿真模型的雅克比矩陣和右端項(xiàng),...
        • 一種求解非線性直流分析的混合延拓方法,包括以下步驟:1)將所有獨(dú)立電壓源、電流源進(jìn)行分組,調(diào)用source
        • 一種基于多重掩膜版的版圖布線方法,包括以下步驟:對(duì)布線資源進(jìn)行初始化;構(gòu)建節(jié)點(diǎn)圖模型,得到布線網(wǎng)格的擴(kuò)展網(wǎng)格;在所述擴(kuò)展網(wǎng)格上進(jìn)行最短路徑搜索和擴(kuò)展,進(jìn)行線網(wǎng)布線。本發(fā)明的基于多重掩膜版的版圖布線方法,在超大規(guī)模集成電路詳細(xì)布線過程中,...
        • 一種存儲(chǔ)器電路中存儲(chǔ)單元的識(shí)別方法,包括以下步驟:解析電路網(wǎng)表,并將輸入電路建模為二部圖;根據(jù)所述二部圖,進(jìn)行電阻網(wǎng)絡(luò)的識(shí)別;將電阻網(wǎng)絡(luò)識(shí)別為字線或位線;從字線或位線中,提取連通分量;對(duì)連通分量進(jìn)行聚集,識(shí)別出存儲(chǔ)單元并輸出。本發(fā)明的存...
        • 一種集成電路版圖布線中線網(wǎng)開路檢測(cè)方法,包括以下步驟:收集線網(wǎng)中的布線圖形數(shù)據(jù),并制作成元件存儲(chǔ)到元件數(shù)組中;收集所述元件數(shù)組中的圖形數(shù)據(jù)并進(jìn)行排序;從排序后的圖形數(shù)據(jù)中獲取成對(duì)的相交圖形并進(jìn)行合并;根據(jù)合并成對(duì)的相交圖形的數(shù)量,確定線...
        • 本公開提供了R角自動(dòng)化布局布線方法及設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì),該方法包括:將R角布局規(guī)劃為GOA單元和CLK單元形成的兩圈結(jié)構(gòu),且GOA單元位于CLK單元和像素區(qū)之間;將GOA單元進(jìn)行正交布局;將CLK單元進(jìn)行旋轉(zhuǎn)布局;在像素區(qū)和GOA單元之間、...
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