一種室溫下制備超細銅粉的方法，屬于材料技術領域。本發明采用乙酸銅和抗壞血酸為主反應物，采用乙二醇為反應介質，以聚乙烯吡咯烷酮為保護劑，在室溫條件下將乙酸銅的乙二醇銅鹽溶液與溶有抗壞血酸和聚乙烯吡咯烷酮的還原性保護溶液按照乙酸銅∶抗壞血酸...

本發明公開了基于外信息并行更新的Turbo譯碼器，包括第一分量譯碼器和第二分量譯碼器，每個分量譯碼器中均含有數量與碼字長度K相等的網格及外信息更新單元；每個譯碼時鐘，兩個分量譯碼器均以慣序的方式進行網格信息更新，并分別產生K個外信息；所...

基于精確反解記憶多項式模型方程的預失真裝置及方法，屬于通訊領域中的預失真技術，旨在解決傳統的基于多項式模型辨識的預失真算法由于計算誤差過大而導致系統性能降低的問題。本發明的裝置包括數字預失真器（100）、功放模型參數估計模塊（106）與...

一種鋰離子電池復合正極材料，屬于復合功能材料技術領域。所述鋰離子電池復合正極材料由LiFePO4化合物和單質硫復合而成；其中LiFePO4化合物為具有納米級孔隙的多孔狀化合物，單質硫存在于所述LiFePO4化合物的納米級孔隙中。本發明利...

一種C波段靜磁表面波4路信道器，屬于射頻及微波器件技術領域，尤其涉及靜磁表面波器件。發明了一種C波段(5～6GHz)靜磁表面波4路信道器的制作，其是一種利用靜磁表面波技術實現的帶通濾波器組。本發明C波段靜磁表面波信道器的內容包括功分器的...

本發明涉及一種草魚白細胞介素10(IL-10)競爭抑制酶聯免疫檢測(ELISA)方法。用重組表達的草魚白細胞介素10蛋白作為免疫原免疫健康的新西蘭大白兔得到多克隆抗體，再用辣根過氧化物酶標記該抗體，最后以重組草魚IL-10蛋白為包被抗原...

本發明公開了一種基于動態規劃和后像投影算法的相參檢測前跟蹤積累方法，它是通過動態規劃得到目標的預測航跡，然后通過后像投影算法進行能量積累來提高輸出信噪比，實現對低可觀測目標的檢測。與非相參TBD算法相比，本發明在幀間積累時利用了回波信號...

本發明公開了一種變換域通信系統及其實現方法，具體在發射端包括第一隨機相位頻譜序列生成模塊、第一隨機相位頻譜序列分配模塊、調制模塊和支路信號疊加模塊。本發明的系統和方法通過結合CCSK調制的技術特點和空閑頻譜之間嚴格正交的條件，根據系統設...

一種砷化鎵單片微波功放的電應力極限評估方法，包括如下步驟：對砷化鎵單片微波功放進行分析，獲得對器件可靠性影響因子較大的電參數；根據極限評估電應力試驗參數設計方法考察器件的電應力極限能力，按照評判標準給出判據。本發明的有益效果是：采用電壓...

本發明公開了一種基于上下文感知和用戶偏好的空間信息服務匹配方法，在用戶的服務請求和候選空間信息服務的功能性匹配和非功能性匹配的基礎上，考慮上下文敏感的用戶偏好，計算出用戶服務需求與智能空間中的各候選空間信息服務的匹配度，然后依據匹配度將...

本發明公開了一種用于多參數儀表檢定的數據融合方法，包括對多次測量的多組歷史數據，進行去噪處理，根據校準規則提取每組歷史數據儀表校準項的特征參數；根據得到的特征參數建立并訓練人工蜂群數據融合模型；根據得到的人工蜂群神經網絡結構的權值參數對...

一種具有P型埋層結構的槽柵二極管，屬于半導體器件技術領域。包括N+襯底、背面的金屬化陰極和正面的N-漂移區；N-漂移區頂部兩側之外是槽型柵電極和柵氧化層；N-漂移區頂部兩側分別具有一個N型重摻雜區，兩N型重摻雜區之間具有一個P型重摻雜區...

一種復合功率半導體器件，屬于半導體器件技術領域。該器件將將LIGBT、LDMOS以及JFET集成在一起，其中LIGBT與LDMOS形成混合并聯結構，LIGBT/LDMOS混合結構與JFET級聯。LIGBT/LDMOS混合結構中，LIGB...

本發明涉及編隊衛星SAR的波形設計，提供了一種通過對線性調頻(LFM)信號進行相位編碼的正交波形設計方法。首先生成線性調頻信號，將線性調頻信號按等時間間隔進行N等分，形成N個子脈沖，根據編隊衛星的個數M對每個子脈沖進行M次隨機相位編碼，...

本發明給出一種無線測量基站靈敏度的方法及裝置。本發明技術要點：檢測被測基站的信道列表；在所述列表的一個信道上，通過功率調節器改變測試終端1的發射功率并在測試終端2上統計誤碼率；用某一設定誤碼率下對應測試終端1的發射功率以及無線信道傳輸特...

本發明公開了一種面向電力系統的高精度無線時鐘同步系統，采用了在物理層中添加硬件輔助時間戳電路，將時間戳的標識從傳統的應用層或者數據鏈路層(MAC)轉移到物理層(PHY)中，將時間戳信息傳送給中央處理器，相對現有技術的硬件時間戳方法，由于...

本發明公開了一種帶隙基準電壓源，包括啟動電路、核心帶隙基準電路和高階補償電路，其中，核心帶隙基準電路包括：PMOS管M1、M2、M3，NPN三極管Q1、Q2，以及電阻單元R1、RB1、RB2、RA；高階補償電路包括：PMOS管M4、M5...

一種染料敏化太陽能電池用石墨烯對電極，屬于太陽能電池技術領域。所述對電極包括透明襯底、位于透明襯底表面的石墨烯導電層和位于石墨烯導電層表面的石墨烯催化層；石墨烯催化層由石墨烯(或摻雜石墨烯)粉末、羥乙基纖維素和揮發性有機溶劑混合所得漿料...

本發明公開了一種低壓差線性穩壓器，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管及第一電阻單元、第二電阻單元、第三電阻單元、第四電阻單元、第五電阻單元、第一電容、第二電容和第一放大器、第二放大器。本發明的低壓差線性...

一種黑硅材料表面金屬電極的制備方法，屬于半導體光電子材料與器件技術領域。該方法包括：步驟1：化學鍍前預處理；步驟2：用化學鍍工藝在黑硅材料表面沉積一層過渡層；步驟3：干燥；步驟4：用蒸發或濺射工藝在過渡層上沉積金屬電極層；步驟5：退火；...