本發明提供基于譜峰突出指數的譜峰個數識別方法，通過對數據信號的離散譜進行譜峰突出指數的運算，得出了數據信號離散譜中突出譜線的條數，避免了人為的尋找數據信號突出譜線的條數和突出譜線判決門限的復雜計算，只要知道譜峰個數就能確定譜峰所在范圍，...

本發明公開了一種電解電容器的制備方法，該電容器采用金屬納米粒子多孔燒結體為陽極基體，首先通過電化學沉積方法在多孔燒結陽極體表面沉積金屬氧化物納米薄膜作為電容器介電材料，然后通過化學溶液自組裝方法在介電材料表面制備導電聚合物薄膜，最后在導...

本發明公開了一種納米電容器的制備方法，首先通過Langmuir-Blodgett（LB）膜方法在基底上制備高密度中空納米粒子薄膜作為電容器一個電極，然后在中空納米粒子表面采用原子沉積（ALD）方法沉積介電納米薄膜作為電容器介質材料，最后...

本發明公開了一種高能量密度電容器的制備方法，首先通過真空沉積方法在多孔聚碳酸酯材料內制備金屬薄膜，然后在金屬膜表面通過原子層沉積的方法制備納米介電薄膜作為電容器電介質材料，最后在介電薄膜上通過原子層沉積方法獲得納米薄膜作為電極，形成一種...

本發明公開了一種基于氧化鋁有序納米孔結構的電容器的制備方法，對多孔氧化鋁基體材料進行表面等離子體處理；采用原子層沉積的方法制備金屬納米薄膜作為電容器的一個電極；采用原子層沉積方法沉積介電納米薄膜作為電容器的介質材料；采用化學靜電自組裝方...

本發明公開一種電導型敏感膜三層結構，屬于傳感技術領域，一種電導型敏感膜三層結構，包括基板和設置在基板上的叉指電極傳感功能結構，其特征在于，還包括設置在叉指電極傳感功能結構上且與叉指電極傳感功能結構平行的敏感膜三層結構，所述三層結構包括自...

本實用新型涉及一種零中頻接收機的直流漂移抑制電路，包括運算放大單元，其特征在于，還包括兩兩依次串聯的電阻電容RC微分單元、正負脈沖分離單元和觸發還原單元，所述運算放大單元與電阻電容RC微分單元串聯，中頻信號從運算放大單元輸入并經過電阻電...

本發明涉及無刷直流電動機定子繞組相序及其與編碼器對應關系確定方法及檢測裝置。本發明的方法以定子繞組間反電動勢電勢過零點及換相點(編碼器輸出信號上升沿和下降沿)為基礎，根據定子繞組間電壓過零點順序確定定子繞組相序；根據定子繞組過零點與編碼...

本發明提供一種事件自適應的傳感器節點，采用傳感模塊與通信模塊分離的方式，將數據采集功能與通信功能分開獨立設置，解決傳感設備面向復雜環境的專業性需求和通信組網中的適用性、兼容性需求。另外，提出了通信模塊的自適應休眠機制，通過預測下一個事件...

本發明涉及無刷直流電動機定子繞組相序及其與編碼器對應關系確定方法及檢測裝置。本發明的方法以定子繞組間反電動勢電勢過零點及換相點(編碼器輸出信號上升沿和下降沿)為基礎，根據定子繞組間電壓過零點順序確定定子繞組相序；根據定子繞組過零點與編碼...

該發明屬于雷達、微波通信技術中的一種可對高次諧波進行抑制的同軸低通濾波器，包括套筒，位于套筒兩端的帶高次諧波抑制腔和接頭匹配腔的高次諧波抑制筒，設于套筒及高次諧波抑制筒內含高、低阻抗段、高次諧波阻抗匹配段、高次諧波抑制段和接頭匹配段在內...

本發明公開了一種多層陶瓷天線及其制備方法。所述陶瓷天線包括陶瓷介質和位于陶瓷介質中的多層輻射導體帶，其特征在于，還包括外圍封端金屬和邊緣隔離孔，所述的邊緣隔離孔將多層輻射導體帶的垂直交疊部分突出于陶瓷介質表面并用于隔離相鄰的外圍封端金屬...

本發明公開了一種多層陶瓷天線及其制備方法。所述陶瓷天線包括陶瓷介質和位于陶瓷介質中的多層輻射導體帶，其特征在于，還包括第一外圍封端金屬，所述多層輻射導體帶共同延伸至陶瓷介質的某一側面，所述第一外圍封端金屬對所述側面進行封端使得多層輻射導...

本發明公開一種基于陣元間互耦控制技術的、低成本、全新的相控陣天線方案，在不降低天線陣性能的基礎上，可以大大減小相控陣雷達的總體成本和重量。本方案中的部分陣元通過連接到饋電網絡輸出端口上進行直接饋電，另一部分陣元則由可以靈活控制的互耦進行...

本發明公開了一種縮短抗毀光網絡內故障恢復時間的方法，通過考慮保護路徑上的OXC設備的開關預配置狀態，根據OXC設備開關的預置狀態設置保護路徑，在光網絡恢復時，打交叉的OXC設備數量減少，所耗費的時間也相應減少，縮短了故障恢復的時間。本發...

一種極化SAR圖像的自適應相干變化檢測方法，屬于合成孔徑雷達信號處理領域。首先計算參考圖像和待檢測圖像的相干系數矩陣，然后建立相干系數分布模型，再基于N-P準則確定自適應門限x0，最后根據自適應門限x0確定待檢測圖像中的變化區域。本發明...

一種漸變脊加載曲折波導慢波線，屬于微波真空電子技術領域。由一系列圓弧彎曲波導(或直角彎曲波導)和直波導首尾相間連接而成，等同于由矩形波導(1)沿電場面周期性彎曲成曲折波導結構。每個曲折單元的直波導內壁加載有漸變型金屬脊片(4)；在波導壁...

一種具有高鍺組分的鍺硅溝道的PMOS的制備方法，屬于半導體器件領域，尤其涉及一種提高鍺硅(SiGe)PMOS溝道中鍺(Ge)組分的方法，來提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)薄膜在硅(Si)中引入應變形成應變硅(Si)，并利用淺...

一種阻變突觸權值調整電路，涉及集成電路和神經網絡領域，用于對阻變突觸進行權值調整。該電路由權值增強調整子電路A(LTP調整)和權值抑制調整子電路B(LTD調整)構成，兩子電路都包含充電級、放電級、電荷存儲級和輸出級。本電路的核心采用模擬...

本發明提供一種基于背包體制的安全網絡編碼數據傳輸方法，利用背包體制為每個數據包生成安全的網絡編碼系數，將數據包所經過的路徑標志序列進行背包加密，將加密后形成的密文作為對應數據包參與網絡編碼的系數，接收節點收到編碼數據包后，不僅可以用密文...