本發(fā)明公開了一種溫度感知集成電路，具體包括基準(zhǔn)電壓源模塊、PTAT延遲模塊、CTAT延遲模塊、加法器和波紋計(jì)數(shù)器。本發(fā)明的溫度感知集成電路通過基準(zhǔn)電壓源模塊產(chǎn)生一個(gè)正溫度系數(shù)電壓和一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)電壓，通過PTAT延遲模塊和CTAT延遲模...

本發(fā)明涉及周期結(jié)構(gòu)指定頻率的本征分析方法，包括步驟：A.建立考慮導(dǎo)體和介質(zhì)損耗周期結(jié)構(gòu)內(nèi)的電磁場(chǎng)邊值問題，通過有限元法的標(biāo)準(zhǔn)變分原理得到電磁場(chǎng)邊值問題的泛函方程。B.采用四面體網(wǎng)格剖分求解域，并保證周期邊界主面和從面上的網(wǎng)格匹配。C.選...

本發(fā)明公開了一種新的超聲信號(hào)最小熵解卷積方法，其特點(diǎn)是將L0范數(shù)約束思想引入超聲信號(hào)最小熵解卷積方法中，在沒有關(guān)于測(cè)量信號(hào)任何先驗(yàn)信息的情況下，僅根據(jù)所獲取的觀測(cè)信號(hào)，利用其稀疏性；L0范數(shù)約束及最小熵約束恢復(fù)出觀測(cè)回波信號(hào)的原始脈沖序...

本發(fā)明提供一種基于脈沖再生的峰均功率比抑制方法以及實(shí)現(xiàn)該方法的中頻削峰模塊。本發(fā)明在中頻通過對(duì)信號(hào)進(jìn)行簡(jiǎn)單的限幅處理，將超出閾值的部分生成噪聲信號(hào)；再將噪聲信號(hào)通過調(diào)制解調(diào)的方式進(jìn)行濾波處理，從而以較低的實(shí)現(xiàn)成本得到較好的濾波效果；最終...

本發(fā)明具體涉及突發(fā)OFDM系統(tǒng)的幀同步方法，本發(fā)明提出的方法，通過判斷若干段接收到的數(shù)據(jù)序列的信噪比的平均值是否超過預(yù)設(shè)門限的辦法，進(jìn)而確定幀的起始位置。本發(fā)明提出的方法，很好的解決了SC算法的平臺(tái)效應(yīng)，并且不用計(jì)算較復(fù)雜的相關(guān)性，比起...

本發(fā)明公開了基于SAW傳感器的嵌入式電子鼻測(cè)試系統(tǒng)和測(cè)試方法，包括如下步驟：（1）微控制器獲取相關(guān)訓(xùn)練數(shù)據(jù)和測(cè)試數(shù)據(jù)；（2）若所獲取的數(shù)據(jù)格式不符合規(guī)范，則進(jìn)行處理，否則跳過此步；（3）若收到設(shè)置參數(shù)信號(hào)，則跳至第（6）步，否則自動(dòng)設(shè)置...

本發(fā)明公開了一種基于微井結(jié)構(gòu)的氣體傳感器陣列及其制作方法，包括至少4個(gè)獨(dú)立的傳感器單元，所述傳感器單元采用微井結(jié)構(gòu)，在各微井間設(shè)有聚酰亞胺隔離層；在所述微井井內(nèi)沉積有以有機(jī)薄膜、有機(jī)/無機(jī)復(fù)合薄膜或有機(jī)-無機(jī)多層膜構(gòu)成的敏感膜，微井表面...

本發(fā)明涉及一種基于共形有源頻率選擇表面的可重構(gòu)天線，由圓柱上下表面控制電路(5)產(chǎn)生的偏置電壓加在每列十字架兩端，從而控制二極管(3)的通斷狀態(tài)。在二極管接通和斷開狀態(tài)下，頻率選擇表面的頻響特性分別為高反射和高透射。共形有源頻率選擇表面...

一種積累型槽柵二極管，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。包括N+襯底，N+襯底背面的金屬化陰極，N+襯底正面的N-漂移區(qū)；N-漂移區(qū)頂部?jī)蓚?cè)之外是槽型柵電極和二氧化硅柵氧化層；N-漂移區(qū)頂部?jī)蓚?cè)分別具有兩個(gè)N型重?fù)诫s區(qū)，兩個(gè)N型重?fù)诫s區(qū)之間具有一...

本實(shí)用新型涉及一種用于接收捕獲二次直接序列擴(kuò)頻信號(hào)的裝置。該裝置包括相位-載波二維估計(jì)點(diǎn)搜索模塊、本地載波生成模塊、擴(kuò)頻碼序列生成模塊、載波剝離模塊、相關(guān)解擴(kuò)模塊和解擴(kuò)結(jié)果判決模塊，相位-載波二維估計(jì)點(diǎn)搜索模塊的輸出分別連接到本地載波生...

本發(fā)明公開了一種自適應(yīng)的家庭基站功率控制方法，針對(duì)在LTE異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)中對(duì)CSGHeNB較高的干擾抑制要求，本發(fā)明通過自適應(yīng)地閉環(huán)調(diào)整HeNB的功率降低其對(duì)網(wǎng)絡(luò)中非封閉用戶組用戶non-CSG?UE的干擾，盡量減小微小區(qū)的性能損失。

本發(fā)明提供一種LTE異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)中基于注冊(cè)的干擾控制啟動(dòng)方法，通過利用non-CSG?UE利用測(cè)量到的相鄰小區(qū)信息評(píng)估該non-CSG?UE是否受到了CSG?HeNB的干擾。如果non-CSGUE確實(shí)受到了CSG?HeNB的干擾，那么該no...

一種基于環(huán)氧樹脂類粘合劑的芯片封裝方法，屬于電子元器件封裝技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用掃頻振動(dòng)，對(duì)用環(huán)氧樹脂類粘合劑將芯片粘合在封裝襯底上芯片，進(jìn)行接觸振動(dòng)和去應(yīng)力振動(dòng)處理。片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)通過掃頻振動(dòng)處理，使得芯片和封裝襯底最大程度地與環(huán)氧樹脂類...

本發(fā)明公開了一種EIRP受限系統(tǒng)中的波束成形方法，是為解決現(xiàn)有的波束成形方法誤碼率性能較低的問題而提出的。本發(fā)明的方法首先進(jìn)行天線選擇和壓縮初始波束矢量，然后通過窮舉搜索的方法得到數(shù)值解來逼近最優(yōu)解。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的波束成形方法...

本發(fā)明涉及LDMOS器件。本發(fā)明公開了一種利用應(yīng)力提高器件性能，并降低其不良影響的引入了局部應(yīng)力的LDMOS器件。本發(fā)明的技術(shù)方案是，引入了局部應(yīng)力的LDMOS器件，包括體襯底，在襯底上形成相互鄰接的阱區(qū)和漂移區(qū)，在阱區(qū)和漂移區(qū)中分別形...

一種鋰離子電池負(fù)極材料及其制備方法，屬于鋰離子電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明針對(duì)鋰離子電池高容量硅負(fù)極材料在電化學(xué)嵌脫鋰過程中產(chǎn)生的嚴(yán)重的體積效應(yīng)以及該類材料低導(dǎo)電特性，提供一種具有高庫(kù)侖效率、高循環(huán)性能的鋰離子電池負(fù)極材料及其制備方法。本發(fā)明采...

本實(shí)用新型提供了一種雙向多通道光控光信息處理裝置，其組成包括輸入/輸出模塊、光泵浦模塊、磁可調(diào)非線性模塊，所述輸入/輸出模塊的第二偏振控制器與光泵浦模塊的高功率光放大器通過光纖連接，輸入/輸出模塊的光環(huán)行器與磁可調(diào)非線性模塊通過光纖連接...

本發(fā)明公開了一種行波管線性化器，包括：第一混合接頭、第二混合接頭、線性支路和非線性支路，射頻輸入信號(hào)經(jīng)第一混合接頭分為兩路，記為第一支路信號(hào)和第二支路信號(hào)，第一支路信號(hào)和第二支路信號(hào)分別輸入到所述的線性支路和非線性支路，線性支路和非線性...

本發(fā)明公開了一種彩色圖像邊緣檢測(cè)方法，具體包括提取各顏色通道圖像、生成顏色拮抗圖像、計(jì)算邊緣信息分布圖像和邊緣細(xì)化處理。本發(fā)明的方法首先將彩色圖像分解到紅色、綠色、藍(lán)色和黃色四個(gè)通道圖像，然后分別計(jì)算紅綠、藍(lán)黃拮抗圖像，并在拮抗圖像上計(jì)...

提高Fe-Si-Al粉體電磁波吸收性能的方法，涉及電磁波吸波技術(shù)。本發(fā)明包括下述步驟：1)對(duì)Fe-Si-Al軟磁合金粉體作球磨扁平化處理；2)將步驟1)所得粉體快速機(jī)械攪拌分散于水中并從容器底部通入空氣；3)根據(jù)所要包覆尖晶石鐵氧體，分...