作為在將使用有改性金屬氧化物粒子的涂布劑涂布于基材時能夠具有透明性、高粒子折射率和良好的涂膜電阻率值的改性金屬氧化物粒子溶膠，提供下述改性金屬氧化物溶膠，其為包含改性金屬氧化物粒子(iii)、該改性金屬氧化物粒子在有機溶劑中分散的溶膠，...

提供一種固化膜形成用組合物以及使用由該固化膜形成用組合物得到的固化膜形成的取向材和相位材材，該固化膜形成用組合物能夠通過低于100℃的低溫燒成形成具有優異的液晶取向性和密合性的固化膜。一種固化膜形成用組合物，含有：(A)具有光取向性基團...

一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其特征在于，含有聚合物和溶劑、所述聚合物具有下述式(1)所示的重復單元(1)和所述重復單元(1)以外的重復單元(2)，包含所述聚合物的聚合物溶液中的所述聚合物的平均粒徑為50nm以下。(式(1)中，R<...

本申請涉及一種催化劑組合物，其包含具有下述通式(I)所示的結構的高分子化合物、催化劑和催化劑載體，以及具有下述通式(I)所示的結構的高分子化合物。在通式(I)中，n為1～2，o為1～3，p為0～3，o+p≤4，B和C各自獨立地為選自烷基...

提供即使沒有交聯劑、交聯催化劑，也可以在更低溫下形成熱固化膜的聚合物樹脂材料。一種自交聯性聚合物，是包含具有芳香族環的單元結構A、和作為具有連接碳原子的有機基的單元結構B的自交聯性聚合物，至少一種單元結構A為(i)?NR?鍵連接著至少2...

提供對高低差基板的埋入性和平坦化性優異，并且作為抗蝕劑下層膜的主要成分的聚合物的保存穩定性高的抗蝕劑下層膜形成用組合物、使用了該抗蝕劑下層膜形成用組合物的抗蝕劑圖案形成法、和使用了該組合物的半導體裝置的制造方法。一種抗蝕劑下層膜形成用組...

一種空腔形成用組合物，其是用于在半導體基板上的導電布線圖案間形成空腔的空腔形成用組合物，所述空腔形成用組合物含有具有烯屬不飽和鍵的單體中的2種以上單體的加聚物和溶劑，所述加聚物含有具有熱固性部位的重復單元(R1)和具有易熱分解性部位的重...

本發明的課題是提供根據基板表面的材質而能夠選擇性地掩蔽的材料。解決手段是下述高分子膜形成用組合物、和使用該高分子膜形成用組合物的向基板的表面選擇性形成高分子膜的方法，上述高分子膜形成用組合物是用于在具有表面由金屬(I)形成的區域(R?I...

一種刷形成用組合物，其用于使在基板上形成的包含嵌段共聚物的層的所述嵌段共聚物相分離，其中，所述刷形成用組合物含有刷狀聚合物、有機堿和溶劑。

作為可適合用于在有機EL元件等中使用的電荷傳輸性薄膜的形成的聚合物，例如提供下述聚合物，其特征在于，包含由下述式表示的重復單元。

具有下述式(1)所示的部分結構、下述式(2)所示的部分結構和下述式(3)所示的部分結構的聚合物。(在式(2)中，Q1表示具有芳香族烴環或脂肪族烴環的2價有機基。在式(3)中，R11表示碳原子數1～10的亞烷基。)

本發明提供一種EB或EUV光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，其含有：包含芴結構的聚合物和溶劑。

提供用于得到即使使用了負型液晶的情況下，也不會產生亮點，得到良好的殘像特性的光取向法用液晶取向膜的液晶取向劑、液晶取向膜及液晶表示元件。一種液晶取向劑，其含有選自由主鏈中具有式(1)所示的結構的聚酰亞胺前體和該聚酰亞胺前體的酰亞胺化聚合...

本發明的課題是提供使用高低差基板被覆用組合物制造被覆基板的制造方法和制造半導體裝置的制造方法。所述光固化性高低差基板被覆用組合物，其包含：包含部分結構(I)和部分結構(II)的化合物(E)；溶劑(F)；以及交聯性化合物(H)，并且該部分...

本發明提供一種相位差膜用組合物，其包含(A)側鏈型聚合物和(B)有機溶劑，所述(A)側鏈型聚合物具有下述式(a)所示的具備光反應性部位的側鏈和具有下述式(b)所示的部位的側鏈，該相位差膜用組合物能夠通過更簡單的工藝制作NZ系數為0.4≤...

一種半導體制造用晶片端部保護膜形成用組合物，其包含具有交聯性基的聚合物或化合物、以及溶劑，上述溶劑包含第1溶劑和第2溶劑，在將乙酸正丁酯的蒸發速度設為1的情況下，上述第1溶劑的蒸發速度為0.10以上，并且上述第2溶劑的蒸發速度為0.05...

本申請提供一種弱錨定液晶取向劑，其用于具有液晶和液晶取向膜的液晶單元的所述液晶取向膜的形成，所述弱錨定液晶取向劑含有由具有能夠聚合的不飽和烴基的化合物得到的聚合物(P)、以及直鏈或支鏈的烷二醇。

一種前處理用組合物，是在使用保護膜形成用組合物在半導體基板上形成保護膜前，涂布在上述半導體基板上的前處理用組合物，其含有選自具有芳香族環和芳香族性羥基的化合物、有機還原劑、和螯合劑中的至少1種化合物(A)、以及溶劑(B)。

本發明提供一種聚合物組合物，其為提供即使低溫燒成且為薄膜也顯示出高相位差值的單層相位差材料的聚合物組合物，含有(A)側鏈型高分子以及(B)有機溶劑，所述(A)側鏈型高分子具備具有光反應性部位的側鏈(a1)和具有下述式(b)所示的部位的側...

本發明的課題是提供用于在半導體裝置制造的光刻工藝中使用的具備耐熱性的抗蝕劑下層膜形成用組合物。解決手段是抗蝕劑下層膜形成用組合物，包含具有下述式(I)或式(I’)(在式(I)或式(I’)中，n1、n2和n3為0，并且環A和環B為苯環或萘...