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        日產化學株式會社專利技術

        日產化學株式會社共有1016項專利

        • 本申請涉及一種樹脂組合物,其包含選自聚酰亞胺、聚苯并惡唑和它們的前體中的至少一種樹脂、下述式(A)所示的化合物、以及溶劑。[式(A)中,Ra表示氫原子、羥基、羥甲基、或碳原子數(shù)1~30的烷基。Rb表示碳原子數(shù)1~30的烷基。m表示0~3...
        • 本發(fā)明提供一種聚合物組合物,其中,包含(A)側鏈型聚合物以及(B)有機溶劑,上述(A)側鏈型聚合物具有:具有以下式(a)表示的光反應性部位的側鏈和具有以下式(b)表示的部位的側鏈。
        • 本發(fā)明提供能夠形成所期望的抗蝕劑圖案的抗蝕劑下層膜形成用組合物、及使用該抗蝕劑下層膜形成用組合物的抗蝕劑圖案制造方法、半導體裝置的制造方法。該抗蝕劑下層膜形成用組合物包含具有下述式(I)表示的單元結構的聚合物、和溶劑,式(I)中,A1、...
        • 本發(fā)明提供電荷傳輸性清漆,其包含苯胺衍生物、噻吩衍生物等電荷傳輸性物質、由下述式表示的氟代烷基磷酸鎓鹽和有機溶劑。
        • 本發(fā)明的課題是提供一種熱固化性的非感光性樹脂組合物。作為解決手段是一種非感光性樹脂組合物,其含有:具有下述式(1)和式(2)所示的結構單元的共聚物、下述式(3)所示的化合物和溶劑。(式(1)、式(2)和式(3)中,R<supgt;...
        • 本發(fā)明提供能夠形成對半導體用濕蝕刻液的耐性優(yōu)異的保護膜的保護膜形成用組合物,其也能夠有效地用作抗蝕劑下層膜形成用組合物。該組合物是針對半導體用濕蝕刻液的保護膜形成用組合物,其包含(A)具有能夠在堿的存在下進行交聯(lián)反應的反應基團的化合物或...
        • [課題]提供抑制酰胺交換反應且對AC殘影的耐性優(yōu)異的含有2種以上聚酰胺酸的液晶取向劑、由該液晶取向劑得到的液晶取向膜和液晶表示元件。[解決手段]提供抑制酰胺交換反應且對AC殘影的耐性優(yōu)異的含有2種以上聚酰亞胺前體的液晶取向劑、液晶取向膜...
        • 作為形成波長轉換效率優(yōu)異的波長轉換膜、同時保存穩(wěn)定性也優(yōu)異的顯示器用波長轉換膜形成用組合物,提供如下的顯示器用波長轉換膜形成用組合物,其含有(A)熒光體、(B)氧化鈦粒子和(C)粘結劑,上述(B)氧化鈦粒子的表面可被無機化合物被覆,其平...
        • 本發(fā)明提供用于形成半導體制造用晶片端部保護膜的有用的光固化性樹脂組合物。一種光固化性樹脂組合物,其包含:含有來自萘、蒽、菲、芘等的多環(huán)芳香族烴基的化合物和/或聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚酰胺酸、聚羥基苯乙烯、聚羥基苯乙...
        • 本發(fā)明提供傾角表現(xiàn)能力高的液晶取向膜、具有該液晶取向膜的液晶表示元件和提供該液晶取向膜的液晶取向劑。本發(fā)明提供一種液晶取向劑,其中,包含具有下述式(pa?1)所示的光取向性基團、噁唑啉骨架和羧基的聚合物作為(A)成分。(式中,A表示亞苯...
        • 一種EB或EUV光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物,其含有膜形成成分和溶劑,上述膜形成成分包含20質量%以上的含有特定結構的成分,上述含有特定結構的成分包含含有芳香族環(huán)的第1結構和含有氮原子的第2結構中的至少任一者,上述第1結構包含與上述芳...
        • 包含下述式(1)所示的化合物和溶劑的、抗蝕劑下層膜形成用組合物。(在式(1)中,X各自獨立地表示鹵原子、或具有至少1個鹵原子的1價有機基。Y表示n價基團。n表示2~6的整數(shù)。)
        • 本發(fā)明提供取得了所期望性能的均衡性的涂覆膜。本發(fā)明提供涂覆膜形成用組合物、作為其固化物的涂覆膜及其制造方法、以及固化物及其制造方法,所述涂覆膜形成用組合物包含(1)單體混合物的聚合物、以及(2)含有下述式(E)表示的結構的聚碳化二亞胺,...
        • 本發(fā)明的課題是提供能夠形成使用于液晶顯示元件、有機EL顯示元件等,在固化后也維持良好的圖像并且即使不進行等離子體處理、UV臭氧處理等,固化膜表面也具有高疏水性和高疏油性,此外殘渣少,基板具有高親液性和高親油性的固化膜的圖像的感光性樹脂組...
        • 一種EB或EUV光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物,其含有聚合物和溶劑,上述聚合物包含下述式(1)所示的重復單元。(在式(1)中,R1表示碳原子數(shù)1~20的1價有機基。R2表示氫原子或碳原子數(shù)1~6的烷基。)
        • 一種層疊體,其具有:半導體基板、透光性的支承基板、以及設于所述半導體基板與所述支承基板之間的粘接層和剝離層,所述層疊體用于:在所述剝離層吸收了從所述支承基板側照射的光后所述半導體基板與所述支承基板分離,所述剝離層是由剝離劑組合物形成的層...
        • 本發(fā)明提供一種用于形成抗蝕劑下層膜的含硅抗蝕劑下層膜形成用組合物,其在半導體基板等的加工工序中,不僅能夠利用以往的干式蝕刻的方法,還能夠利用使用稀氫氟酸、緩沖氫氟酸和堿性藥液等藥液的濕式蝕刻的方法進行剝離,特別是對堿性藥液(堿性藥液)顯...
        • 本發(fā)明提供分散在含氮溶劑中的硅溶膠、與含氮原子的聚合物混配的二氧化硅混配樹脂組合物、尤其是絕緣性樹脂組合物。本發(fā)明的硅溶膠,是將含有鋁原子的平均一次粒徑5~100nm的二氧化硅粒子分散在含氮溶劑中而成的,通過將二氧化硅粒子在選自硫酸、硝...
        • 本發(fā)明的課題是提供為了使與有機物的相容性提高而分散于非水系溶劑、特別是疏水性溶劑的二氧化硅溶膠及其制造方法。解決手段是一種二氧化硅溶膠,其以二氧化硅粒子作為分散質,其中,在進行了硅烷被覆的該二氧化硅粒子的表面或附近存在作為Si?OCH3...
        • 本發(fā)明涉及一種羥基烷基酰胺化合物。該化合物由下述式(Add-1)或(Add-2)表示,
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