本發明公開了一種空間可展開屏蔽面裝置。包括：折疊式環桿、環桿連接關節、折疊式肋桿、肋桿連接關節、環肋連接關節和肋框連接關節。折疊式環桿、肋桿通過環桿連接關節、肋桿連接關節可由豎直的收攏狀態展開到水平的工作狀態。環肋連接關節和肋框連接關節...

本發明公開了一種空間可展開反射面系統。包括：折疊式環桿、折疊式肋桿、連接關節、中心圓筒、充氣圓環和牽引繩。其中：折疊式環桿（１）、折疊式肋桿（３）分別與環桿連接關節（２）和肋桿連接關節（４）連接，構成環、肋結構，該環、肋結構通過環肋連接...

本發明公開了一種基于自支撐ＳｉＣ的ＧａＮ器件及制作方法。主要解決現有ＧａＮ器件尺寸小、電學性能差、熱導率低等問題。其方法是：首先在Ｓｉ片上制作掩埋氧化層ＢＯＸ及表層硅ＳＯＬ形成絕緣層上的硅ＳＯＩ結構；再在ＳＯＬ上外延生長ＳｉＣ材料層；接...

本發明公開了一種化合物半導體微波大功率器件中的空氣橋制作方法。主要解決現有技術制作空氣橋拱形高度低，寬度窄，器件可靠性差的問題。其工藝過程是：在基片上分別涂前烘溫度不同的剝離膠和光刻膠，并光刻出橋區及電極的區域，形成犧牲層；再將涂有兩種...

本發明公開了一種ＳＯＩ三維ＣＭＯＳ集成器件及其制作方法，它是微電子技術領域，主要解決現有三維集成電路速度低的問題。其方案是采用ＳＳＯＩ和ＳＳＧＯＩ襯底構建新的三維ＣＭＯＳ集成器件的兩個有源層。其中，下層有源層采用ＳＳＯＩ襯底，利用ＳＳＯ...

本發明公開了一種Ｐｏｌｙ－ＳｉＧｅ柵三維應變ＣＭＯＳ集成器件及其制作方法，它涉及微電子技術領域，主要解決現有三維集成電路速度低的問題。其方案是采用ＳＳＯＩ和ＳＳＧＯＩ構建新的三維集成器件的兩個有源層。其中，下層有源層采用ＳＳＯＩ襯底，利...

本發明公開了一種三維量子阱ＣＭＯＳ集成器件及其制作方法，它涉及微電子技術領域，主要解決現有三維集成電路速度低的問題。其方案是采用ＳＳＯＩ和ＳＳＧＯＩ襯底構建新的三維集成器件的兩個有源層。其中，下層有源層采用ＳＳＯＩ襯底，利用ＳＳＯＩ襯底...

本發明公開了Ｐｏｌｙ－ＳｉＧｅ柵三維量子阱ＣＭＯＳ集成器件及其制作方法，它是微電子技術領域，主要解決現有三維集成電路速度低的問題。其方案是采用ＳＳＯＩ和ＳＳＧＯＩ襯底構建新的三維器件的兩個有源層。其中，下層有源層采用ＳＳＯＩ襯底，利用Ｓ...

本發明公開了一種三維應變ＮＭＯＳ集成器件及其制作方法，它涉及微電子技術領域，主要解決現有三維集成電路速度低的問題。其方案是分別采用ＳＳＯＩ和ＳＧＯＩ襯底構建新的三維集成器件的兩個有源層。其中，下層有源層采用ＳＳＯＩ襯底，利用ＳＳＯＩ襯底...

本發明公開了一種三維量子阱ＮＭＯＳ集成器件及其制作方法，它涉及微電子技術領域，主要解決現有三維集成電路速度低的問題。其方案是分別采用ＳＳＯＩ和ＳＧＯＩ襯底構建新的三維集成器件的兩個有源層。其中，下層有源層采用ＳＳＯＩ襯底，利用ＳＳＯＩ襯...

本發明公開了一種基于源場板和漏場板的復合場板異質結場效應晶體管，該器件自下而上包括襯底（１）、過渡層（２）、勢壘層（３）、源極（４）、漏極（５）、柵極（６）、鈍化層（７）、源場板（８）、漏場板（１０）和保護層（１１），該源場板（８）與源...

一種槽柵型柵－漏復合場板高電子遷移率晶體管，包括襯底（１）、過渡層（２）、勢壘層（３）、源極（４）、漏極（５）、槽柵（７）、鈍化層（８）、柵場板（９）、漏場板（１１）和保護層（１２），該漏場板（１１）與漏極（５）電氣連接，該槽柵（７）與...

本發明公開了一種槽柵型源－漏復合場板異質結場效應晶體管及其制作方法，該器件自下而上包括襯底（１）、過渡層（２）、勢壘層（３）、源極（４）、漏極（５）、槽柵（７）、鈍化層（８）、源場板（９）、漏場板（１１）和保護層（１２），該漏場板與漏極...

本發明公開了一種絕緣柵型柵－漏復合場板功率器件，該器件自下而上包括襯底（１）、過渡層（２）、勢壘層（３）、源極（４）、漏極（５）、絕緣柵極（７）、鈍化層（８）、柵場板（９）、漏場板（１１）和保護層（１２），該柵場板與絕緣柵極電氣連接，該...

一種絕緣柵型源－漏復合場板高電子遷移率晶體管，包括襯底（１）、過渡層（２）、勢壘層（３）、源極（４）、漏極（５）、絕緣柵極（７）、鈍化層（８）、源場板（９）、漏場板（１１）和保護層（１２），所述的源場板與源極電氣連接，所述的漏場板與漏極...

本發明公開了一種凹槽絕緣柵型柵－漏復合場板功率器件及其制作方法，該器件自下而上包括襯底（１）、過渡層（２）、勢壘層（３）、源極（４）、漏極（５）、絕緣介質層（７）、絕緣槽柵（８）、鈍化層（９）、柵場板（１０）、漏場板（１２）和保護層（１...

本發明公開了一種凹槽絕緣柵型源－漏復合場板高電子遷移率晶體管，該器件自下而上包括襯底（１）、過渡層（２）、勢壘層（３）、源極（４）、漏極（５）、絕緣介質層（７）、絕緣槽柵（８）、鈍化層（９）、源場板（１０）、漏場板（１２）和保護層（１３...

本發明公開了一種Γ柵異質結場效應晶體管及其制作方法，該器件自下而上包括襯底（１）、過渡層（２）、勢壘層（３）、源極（４）、漏極（５）、鈍化層（６）、Γ柵（８）和保護層（１０），該鈍化層（６）上開有凹槽（７），其中，鈍化層（６）上Γ柵（８...

本發明公開了一種凹槽Γ柵高電子遷移率晶體管及其制作方法，該器件自下而上包括襯底（１）、過渡層（２）、勢壘層（３）、源極（４）、漏極（５）、鈍化層（７）、Γ柵（９）和保護層（１１），該勢壘層（３）上開有第一凹槽（６），該鈍化層（７）上開有...

本發明公開了一種凹槽絕緣柵型復合柵場板高電子遷移率器件，該器件自下而上包括襯底、過渡層、勢壘層、源極、漏極、絕緣介質層、絕緣槽柵、鈍化層、柵場板和保護層，勢壘層上開有凹槽，絕緣槽柵位于凹槽上部的絕緣介質層上，柵場板位于鈍化層的上面，絕緣...