本發(fā)明公開了一種半絕緣ＳｉＣ半導(dǎo)體器件的歐姆接觸制作方法，主要解決歐姆接觸的比接觸電阻大的問題。其過程是：對ＳｉＣ襯底進行預(yù)處理，并在ＳｉＣ襯底上外延ＧａＮ重摻雜層或ＳｉＣ∶Ｇｅ過渡層；在ＧａＮ重摻雜層或ＳｉＣ∶Ｇｅ過渡層上確定歐姆接觸...

本發(fā)明公開了一種ｎ型ＳｉＣ半導(dǎo)體器件的歐姆接觸制作方法，主要解決ｎ型ＳｉＣ材料歐姆接觸退火溫度高和界面上存在匹配不好的問題。其過程是：對ｎ型ＳｉＣ襯底進行預(yù)處理，并在ＳｉＣ襯底上通過兩次Ｐ↑［＋］離子注入形成ｎ阱；在ｎ阱上通過四次Ｇｅ↑...

本發(fā)明公開了一種ＡｌＧａＮ材料表面淀積Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］界面過渡層的抑制方法。其過程是：對淀積有ＡｌＧａＮ外延層的基片進行有機超聲清洗，并用流動的去離子水沖洗吹干；放入ＨＣｌ∶ＨＦ∶Ｈ↓［２］Ｏ＝１∶１∶８的溶液中進行２０～４０ｓ的...

本發(fā)明公開了ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＭＩＳＨＥＭＴ器件的制備方法，主要解決ＡｌＧａＮ外延層與Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］介質(zhì)薄膜界面處過渡層較厚的問題。該制備方法包括：在ＡｌＧａＮ／ＧａＮ外延層上制備源漏歐姆接觸；對ＡｌＧａＮ／ＧａＮ外延層進行刻...

本發(fā)明公開了一種基于多層輔助結(jié)構(gòu)制備具有多晶ＳｉＧｅ柵納米級ＣＭＯＳ集成電路方法。其過程為：制造出Ｎ／Ｐ阱，并在Ｎ／Ｐ阱上生長Ｐｏｌｙ－ＳｉＧｅ／ＳｉＯ↓［２］／Ｐｏｌｙ－Ｓｉ多層結(jié)構(gòu)；將最上層的Ｐｏｌｙ－Ｓｉ刻蝕成一個窗口，再淀積一層...

本發(fā)明公開了一種用微米級工藝制備納米級ＣＭＯＳ集成電路的方法。其過程為：制造出Ｎ／Ｐ阱，并在Ｎ／Ｐ阱上生長Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＮ／Ｐｏｌｙ－Ｓｉ多層結(jié)構(gòu)；將最上層的Ｐｏｌｙ－Ｓｉ刻蝕成一個窗口，再淀積一層ＳｉＯ↓［２］；刻蝕掉表面的Ｓｉ...

本發(fā)明公開了一種ＳｉＮ掩蔽技術(shù)制備多晶ＳｉＧｅ柵納米級ＣＭＯＳ集成電路方法。其過程為：制造出Ｎ／Ｐ阱，并在Ｎ／Ｐ阱上生長Ｐｏｌｙ－ＳｉＧｅ／ＳｉＮ／Ｐｏｌｙ－Ｓｉ多層結(jié)構(gòu)；將上層的Ｐｏｌｙ－Ｓｉ刻蝕成一個窗口，再淀積一層ＳｉＮ；刻蝕掉表...

本發(fā)明公開了一種基于ＳｉＮ／ＳｉＯ↓［２］掩蔽技術(shù)的納米級ＣＭＯＳ集成電路制備方法。其過程為：制造出Ｎ／Ｐ阱，并在Ｎ／Ｐ阱上生長Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ↓［２］／Ｐｏｌｙ－Ｓｉ多層結(jié)構(gòu)；將最上層的Ｐｏｌｙ－Ｓｉ刻蝕成一個窗口，再淀積一層Ｓ...

本發(fā)明公開了一種基于ＳｉＯ↓［２］掩蔽技術(shù)的多晶ＳｉＧｅ柵納米級ＣＭＯＳ集成電路制備方法。其過程為：制造出Ｎ／Ｐ阱，并在Ｎ／Ｐ阱上生長Ｐｏｌｙ－ＳｉＧｅ／ＳｉＯ↓［２］／Ｐｏｌｙ－Ｓｉ多層結(jié)構(gòu)；將最上層的Ｐｏｌｙ－Ｓｉ刻蝕成一個窗口，再...

本發(fā)明公開了一種ＳｉＯ↓［２］掩蔽技術(shù)制備納米級ＣＭＯＳ集成電路的方法。其過程為：制造出Ｎ／Ｐ阱，并在Ｎ／Ｐ阱上生長Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ↓［２］／Ｐｏｌｙ－Ｓｉ多層結(jié)構(gòu)；將最上層的Ｐｏｌｙ－Ｓｉ刻蝕成一個窗口，再淀積一層ＳｉＯ↓［２］...

本發(fā)明公開了一種用微米級工藝制備多晶ＳｉＧｅ柵納米級ＣＭＯＳ集成電路方法。其過程為：制造出Ｎ／Ｐ阱，并在Ｎ／Ｐ阱上生長Ｐｏｌｙ－ＳｉＧｅ／ＳｉＮ／Ｐｏｌｙ－Ｓｉ多層結(jié)構(gòu)；將最上層的Ｐｏｌｙ－Ｓｉ刻蝕成一個窗口，再淀積一層ＳｉＯ↓［２］；...

本發(fā)明公開了一種ＳｉＮ掩蔽技術(shù)制備納米級ＣＭＯＳ集成電路的方法。其過程為：制造出Ｎ／Ｐ阱，并在Ｎ／Ｐ阱上生長Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＮ／Ｐｏｌｙ－Ｓｉ多層結(jié)構(gòu)；將最上層的Ｐｏｌｙ－Ｓｉ刻蝕成一個窗口，再淀積一層ＳｉＮ；刻蝕襯底表面上的ＳｉＮ...

本實用新型屬于鋁電解電容器脈沖電壓老練裝置，其目的在于克服直流電壓老練時間長，次、廢品率高等缺點，同時用于克服現(xiàn)有脈沖電壓老練技術(shù)只能老練低壓產(chǎn)品，老練產(chǎn)品的總?cè)萘坎淮笠约靶Ч芳训牟蛔恪１緦嵱眯滦偷募夹g(shù)特征是由組成老練裝置的單片控制機...

本發(fā)明屬于鋁電解電容器脈沖電壓老練裝置，其目的在于克服直流電壓老練時間長，次、廢品率高等缺點，同時用于克服現(xiàn)有脈沖電壓老練技術(shù)只能老練低壓產(chǎn)品，老練產(chǎn)品的總?cè)萘坎淮笠约靶Ч芳训牟蛔恪１景l(fā)明的技術(shù)特征是由組成老練裝置的單片控制機控制多路...

本發(fā)明是對固體電解電容器制備方法的改進，其特征是將卷取的芯包分開單獨含浸氧化劑和單體。不僅有利于保持含浸液的均一性，杜絕含浸液產(chǎn)生低分子聚合物，從而為形成理想的導(dǎo)電能力的聚合物創(chuàng)造條件；芯包整體含浸，不僅增加了單體和氧化劑的吸附量，而且...

本發(fā)明涉及一種低ＥＳＲ固體電解電容器，其特征在于電容器導(dǎo)針為銅質(zhì)ＣＰ線。本發(fā)明由于采用銅質(zhì)ＣＰ線，較簡便的降低了ＣＰ線與鋁材圓棒之間焊接接觸電阻，可以較鐵質(zhì)ＣＰ線多導(dǎo)針引出線具有更低的接觸電阻，焊接部接觸電阻只有０．２－０．４ｍΩ，是鐵...

本發(fā)明公開了一種微型核電池，主要解決制作核電池易于ＳｉＣ工藝實現(xiàn)的問題。該微型核電池是在Ｎ型高摻雜ＳｉＣ襯底（１）的上下分別設(shè)有低摻雜外延層（２）和歐姆接觸電極（３），其中，低摻雜外延層（２）的上面淀積圓形肖特基接觸層（４），該肖特基接...

本發(fā)明屬于電通信技術(shù)，特別是涉及極低比特率聲碼器，目的是為了制造比特率低于２５０比特／秒而能輸出高質(zhì)量語音的通信設(shè)備。本發(fā)明基于語音識別與合成技術(shù)實現(xiàn)以音節(jié)為單位的編碼，音節(jié)種類包括了普通話口語中的各種音節(jié)，運用音聯(lián)、基音輪廓線、強度輪...

本發(fā)明公開了一種基于骨導(dǎo)的語音壓縮水印方法，主要解決了現(xiàn)有的同類方法不能檢測出攻擊的位置和類型的問題。在水印嵌入過程中，由當前幀的線譜頻率系數(shù)、下一幀提取的基音周期和前一幀的水印生成嵌入在當前幀的水印，并根據(jù)不同幀的位置選擇不同的水印生...

本實用新型涉及一種電話遙控器。該遙控器主要解決現(xiàn)有技術(shù)成本高，及與話網(wǎng)匹配效果差的不足。采用遙控器與電話機并聯(lián)連接，通過話線，將控制信號傳送到遙控器對多路用電設(shè)備進行實時開關(guān)遙控。整個遙控器包括有整流電路、轉(zhuǎn)換電路、振鈴檢測電路、振鈴計...