本發明公開了一種ＧａＮ半導體系列材料的異質外延方法。該方法是在ＳｉＣ襯底（１１１）面和藍寶石襯底（０００１）面上，利用金屬有機物化學氣相淀積ＭＯＣＶＤ工藝，首先淀積過渡層和掩膜，并按照涉及圖案刻蝕掩膜，進入并暴露出緩沖層ＡｌＮ作為生長種...

本發明公開了一種等離子體平板顯示器選址驅動芯片制備方法。主要解決現有ＰＤＰ選址驅動芯片的高低壓兼容問題和生產成本高的問題。采用在不同的外延塊上實現高壓ＶＤＭＯＳ、ＬＤＭＯＳ管，低壓ＮＰＮ、ＣＭＯＳ管的一體化集成，其主要過程是：備片，制作...

本發明公開了一種可集成的高壓ＬＤＭＯＳ晶體管結構及其制備方法。其結構采用在Ｐ型襯底１與Ｎ型外延層３之間設有埋層２，在Ｎ型外延層上設的源、漏區之間設有場氧化層９作為厚柵氧化層，該厚柵氧化層上設有Ｎ型多晶硅柵８，其延長部分為場板１２；在漏區...

本發明公開了一種可集成的高壓ＶＤＭＯＳ晶體管結構及其制備方法。其結構采用在Ｎ型外延層４與襯底１的界面上設有Ｎ型埋層２，在Ｎ型外延層上設有Ｐ型體溝道區１１和深Ｎ＋擴散區５及Ｐ型阱６，該Ｐ型體溝道區的四周設有Ｐ型場限環７，該Ｐ型體溝道區的內...

本發明公開了一種在ＧａＡｓ基材料上原位淀積高介電常數Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］和金屬膜的方法。采用ＥＢ真空蒸發，用高純Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］顆粒和金屬作蒸發源材料，在一臺ＥＢ蒸發臺內先后完成高介電常數Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜和金屬膜的兩種膜...

本發明公開了一種ＧａＮ基化合物材料上原位淀積高介電常數Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］和金屬膜的方法。采用電子束真空蒸發、在ＧａＮ基化合物材料上用４Ｎ以上高純度Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］顆粒和高純金屬膜作蒸發源，其工藝過程是：先清洗片子和光刻蒸發窗口...

本發明公開了一種在磷化銦材料上原位淀積高介電常數三氧化二鋁和金屬膜的方法。采用ＥＢ真空蒸發，用９９．９９％以上高純度三氧化二鋁顆粒和金屬作蒸發材料，其具體過程是：先清洗片子，進行光刻，蒸發窗口；然后將基片裝入ＥＢ蒸發臺的鐘罩內，抽真空至...

本發明公開了一種單次生長制備復合多量子阱結構的方法，它涉及金屬有機物化學氣相淀積生長多量子阱結構的技術領域，其目的是為了解決現有技術存在的兩次生長和鍵合工藝造成的原材料和設備資源的浪費。該制備方法的步驟為：采用藍寶石、碳化硅或氧化鋅材料...

本發明公開了一種ＧａＮ單晶缺陷種類和密度的檢測方法，它涉及半導體材料質量檢測技術領域，其目的是為了將傳統的濕法腐蝕檢測技術進行改良以適合ＧａＮ材料的特點，提供一種評估異質外延生長的ＧａＮ單晶薄膜表面層線缺陷情況的方法。本發明通過逐步增大...

本發明公開了一種基于雙緩沖柔性襯底的大面積、自支撐寬禁帶半導體材料制作方法。主要解決現有技術制作的寬禁帶半導體材料存在高缺陷密度、大量裂紋、外延材料厚度過小，無法剝離等技術問題。其技術方案是：首先在硅片上制作ＳＯＩ結構；接著在ＳＯＩ結構...

本發明公開了一種ＳｉＣＯＩ結構材料的制備方法，主要解決ＳｉＣ外延層與ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ襯底間粘附性差的問題。其過程是：首先對Ｓｉ襯底進行標準清洗；再對清洗后的Ｓｉ襯底進行干／濕／干熱氧化，得到厚度至少為８００納米的氧化層，制備出ＳｉＯ...

本發明公開了一種電子回旋共振等離子體化學汽相淀積氟化非晶碳膜的方法及膜層結構，其方法是在淀積室中的多種襯底上用碳氫和碳氟源氣體作為前驅氣體淀積氟化非晶碳膜，利用電子回旋共振效應吸收微波能量分解前驅氣體，并在襯底上形成介電常數低、熱穩定性...

本發明公開了一種基于組份漸變ＧａＮ　　ＭＩＳＦＥＴ的ＧａＮ器件及制備方法。該器件包括底層（１）、緩沖層（２）、本征ＧａＮ材料層（３）、ＡｌＮ隔離層（４）及源（７）、漏（８）、柵（９）極接觸，其中ＡｌＮ隔離層上依次設有ＡｌＧａＮ組份漸變層...

本發明公開了一種ＧａＮ基發光二極管表面粗化的處理方法，它涉及半導體光電子器件制造技術領域，其目的在于，采用該方法可以在不影響器件的其它光電特性的情況下，提高器件的光取出率。該方法的實現過程為：（１）在６００℃～７５０℃的低溫條件下，生長...

本發明公開了一種ＩｎＡｌＮ／ＧａＮ異質結增強型高電子遷移率晶體管結構及制作方法。其制作過程為：１）在藍寶石或ＳｉＣ襯底上外延生長１～３μｍ的ＧａＮ層；２）在ＧａＮ層上外延生長厚度為１５～２０ｎｍ的第一ＩｎＡｌＮ層，Ｉｎ組分為３０～３５％...

本發明公開了一種新型增強型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ?。龋牛停云骷膶崿F方法，它涉及微電子技術領域。該實現方法成本低，工藝簡單，重復性好，可靠性高，對材料損傷小。可以獲得高閾值電壓以及納米級有效溝道長度的增強型ＨＥＭＴ器件。本發明通過在ＡｌＮ成...

本發明公開了一種ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　?。龋牛停云骷母綦x方法，它屬于微電子技術領域。其目的在于采用該方法，可以避免傳統器件隔離工藝中對材料的損傷。該方法是這樣實現的：以選擇性外延生長ＧａＮ基材料為核心，在藍寶石襯底或ＳｉＣ襯底上先淀積隔...

本發明公開了一種多晶硅薄膜晶體管。主要解決目前多晶硅薄膜器件性能較差，飽和電壓較高的問題。整個器件包括玻璃襯底、柵電極、漏電極和源電極，其中柵電極位于玻璃襯底上方，該柵電極的長度覆蓋源電極和源漏之間的溝道長度，以同時控制源電極和溝道區。...

本發明公開了一種適用于氮化鎵（ＧａＮ）器件的歐姆接觸快速熱退火方法。主要解決了常規快速熱退火工藝對鈦／鋁／鈦／金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ）歐姆接觸可能造成金屬側流和合金表面形貌粗糙的問題。針對鋁鎵氮／氮化鎵異質結高電子遷移率器件（ＡｌＧ...

本發明公開了一種ＧａＮ多層量子點光電材料的制作方法，其過程是：首先用ＭＯＣＶＤ設備在襯底上依次生長低溫緩沖層和高溫Ｇａ極性面的ｎ－ＡｌＧａＮ基底層（２）；接著對ｎ－ＡｌＧａＮ基底層（２）用熔融ＫＯＨ工藝進行腐蝕，在該ｎ－ＡｌＧａＮ位錯的...