半導(dǎo)體裝置在末端部(10B)具備超結(jié)層(13)和多個保護(hù)環(huán)區(qū)域(40)。多個保護(hù)環(huán)區(qū)域具有至少包含最外周的保護(hù)環(huán)區(qū)域的第1保護(hù)環(huán)區(qū)域(42)、和包含比第1保護(hù)環(huán)區(qū)域靠內(nèi)周側(cè)配置的保護(hù)環(huán)區(qū)域的第2保護(hù)環(huán)區(qū)域(44)。第1保護(hù)環(huán)區(qū)域與超結(jié)層...