本發明提供一種制造半導體芯片的方法，其包括如下步驟：準備表面保護層疊體，所述表面保護層疊體具有具備電路面及背面的半導體晶圓、保護層及背面研削帶；將半導體晶圓從背面側研削，由此使半導體晶圓變薄；將表面保護層疊體固定于切割用帶上；從表面保護...

一種感光性元件，其具備：支撐體；感光層，使用含有粘合劑聚合物、光聚合性化合物及光聚合引發劑的感光性樹脂組合物形成于支撐體上；及保護膜，配置于感光層的與支撐體相反側的面上，感光性樹脂組合物中的粘合劑聚合物與光聚合性化合物的含量比(粘合劑聚...

本發明提供含有式(2)及式(3)的結構單元的(甲基)丙烯酸類樹脂。式(2)中，R3表示氫原子或甲基，R4表示碳原子上具有羥基、且與該碳原子相鄰的碳原子上具有從不飽和單羧酸的羧基除去氫原子后的殘基的基團；式(3)中，R5表示氫原子或甲基，...

本發明涉及一種樹脂膜形成材料，其含有：化合物A，含有2個以上的第1基團，且具有酯鍵；及化合物B，含有2個以上能夠與所述第1基團形成鍵的第2基團，且通過與所述化合物A的反應能夠形成含有酯鍵及堿性官能團的樹脂。

本發明提供能夠進一步降低固體電解電容器的等效串聯電阻(ESR)的含導電性聚合物的分散液和其制造方法、以及ESR更低的固體電解電容器。一種含導電性聚合物的分散液，包含共軛系導電性聚合物(A)、聚陰離子(B)、含羥基的環狀醚化合物(C)和分...

本發明提供一種預浸料，即使在使用厚度40μm以上的纖維基材的情況下，也能夠實現厚度精度高、并且絕緣可靠性高的覆金屬層疊板。此外，提供使用該預浸料得到的層疊板、覆金屬層疊板、印刷線路板及半導體封裝體。另外，提供該預浸料的制造方法及該覆金屬...

一種粘合劑組合物，其含有共聚物A、交聯劑B及水性介質，其中，所述共聚物A具有源自單體a1的結構單元、源自單體a2的結構單元、源自單體a3的結構單元及源自單體a4的結構單元，所述單體a1為均聚物的玻璃化轉變溫度為?40℃以下且僅具有一個烯...

選擇抑制鋰離子電池對電池性能影響的滑劑。一種滑劑選擇系統，用于選擇要添加到用于鋰離子電池的外裝材料的復合材料的樹脂膜中的滑劑，且包括：第1計算部，其計算滑劑候補與鋰陽離子之間的溶劑化能；第2計算部，其計算所述樹脂膜與所述滑劑候補之間在相...

一種聚合性組合物，其為含有聚合性化合物的聚合性組合物，其含有：(A)硼酸鹽陰離子；(B)選自由具有2個以上的羥基的芳香族羧酸、該芳香族羧酸的鹽及所述芳香族羧酸的水合物組成的組中的至少一種；及(C)具有P＝O(OH)結構的磷化合物。

提高針對拍攝了大量物體的圖像所進行的物體檢測的精度。物體檢測裝置具備：圖像分割部，被構成為，將拍攝了多個物體的目標圖像分割為多個局部圖像，所述多個局部圖像包括與相鄰的局部圖像重疊的邊界區域；物體檢測部，被構成為，針對每個局部圖像，檢測該...

減輕操作者在生成學習用數據時的工作負擔。學習裝置具有：學習部，使用學習用數據進行學習處理，生成學習完成模型，學習用數據包括默認圖像數據組中包含的各圖像數據、以及對默認圖像數據組中包含的各圖像數據進行了分割處理的情況下的各真值數據；收集部...

一種配方設計輔助裝置，其使操作人員對材料的配比率進行調整，且包括：配方顯示控制單元，其構成為在配方調整畫面上顯示通過具有與所述配比率相應的面積的圖形的組合而表示的配方；配比率調整接受單元，其構成為基于所述操作人員對所述圖形的面積進行的可...

提供能夠減小半導體封裝體的翹曲量的波動、尺寸變化率的波動小的覆金屬層疊板等。所述覆金屬層疊板具有金屬箔和1片以上預浸料的固化物，使用激光位移計依照下述方法測定的平均厚度為400μm以上，并且根據下述式（1）算出的值為0.70％以下。式（...

公開一種結構體的制造方法。該結構體的制造方法包括：第一工序，準備第一結構體，該第一結構體具備第一被粘附體、第二被粘附體、以及將第一被粘附體及第二被粘附體彼此黏合的黏合部，黏合部含有包含具有2個以上硫醇基的化合物A、具有2個以上能夠與硫醇...

本發明的目的在于提供低溫彎曲性優異的熱塑性彈性體組合物。本發明包括一種熱塑性彈性體組合物，其包含氯乙烯聚合物(A)、氯化聚烯烴(B)和增塑劑(C)，所述氯化聚烯烴(B)在180℃、負荷21.6kg下測得的熔體流動速率為1.5g/10分鐘...

本發明的SiC晶錠，具有刻面，在將直徑設為D、將從結晶生長方向俯視觀察時以最小面積包圍所述刻面并具有與＜11?20＞方向平行的第1邊和與＜1?100＞方向平行的第2邊的假想長方形的所述第1邊的長度設為Lx時，在作為所述結晶生長方向的終端...

提供能夠減少半導體封裝體的翹曲量的波動、并且尺寸變化率的波動小的覆金屬層疊板等。具體而言，所述覆金屬層疊板具有金屬箔和1片以上預浸料的固化物，使用激光位移計依照下述方法測定的平均厚度為400μm以上，并且厚度的最大值與最小值的差的絕對值...

本發明的SiC晶錠，由從(0001)面傾斜了偏移角的第1端向第2端結晶生長的SiC單晶構成，具有臺階流動生長區域和刻面，在穿過中心且沿著＜11?20＞方向的切斷面中，刻面和臺階流動生長區域的內側邊界、與結晶生長方向所成的角度θ1為56°...

提供氧化鋁的晶體粒徑小且有優異的研磨和磨削性能的多晶氧化鋁質磨粒、能以低成本制造所述多晶氧化鋁質磨粒的制造方法和使用了所述多晶氧化鋁質磨粒的磨石。采用下述制造方法得到氧化鋁含量為95.0質量％以上、二氧化硅含量為0.05～3.30質量％...

本發明的SiC晶錠，具有臺階流動生長區域和刻面。在穿過中心且沿著＜11?20＞方向的切斷面中，所述刻面與所述臺階流動生長區域的內側邊界具有相對于結晶生長方向向[?1?120]方向傾斜的第1斜面、和相對于所述結晶生長方向向[11?20]方...