一種黏合劑組合物，其含有自由基聚合性化合物、自由基聚合引發劑、具有含氮芳香族雜環的化合物及包含選自由金屬氫氧化物及金屬氧化物組成的組中的至少一種金屬化合物的粒子。

一種涂液，其包含：乳化粒子，含有粘合劑樹脂；氣凝膠粒子；水溶性高分子，具有疏水性基團；及液態介質，氯離子的含量為50質量ppm以下，硫酸根離子的含量為50質量ppm以下。

一種樹脂組合物，包含硬化性樹脂及碳粒子，所述碳粒子滿足下述(1)及(2)中的至少一個。(1)pH為5.0以下(2)平均粒徑為80nm以上。

一種涂液，其包含：乳化粒子，含有粘合劑樹脂及非離子性乳化劑；氣凝膠粒子；水溶性高分子，具有疏水性基團；及液態介質。

一種涂液，其包含：乳化粒子，含有粘合劑樹脂；氣凝膠粒子；水溶性高分子，具有疏水性基團；及液態介質，所述粘合劑樹脂含有源自均聚物的Tg小于0℃的第一單體的結構單元。

[解決手段]層疊體依次具備第1樹脂層、第1導電層、絕緣層、第2導電層和第2樹脂層，上述第1樹脂層具有收容部，第1導電層配置于上述第1樹脂層的上述收容部內。導電層疊體依次具備第1導電層、絕緣層和第2導電層，在第1導電層與絕緣層之間以及絕緣...

本發明提供一種粘合劑組合物，其包含(甲基)丙烯酸類樹脂、光聚合引發劑和交聯劑。(甲基)丙烯酸類樹脂為由X嵌段和Y嵌段構成的二嵌段共聚物，上述X嵌段和Y嵌段的結構單元比率(摩爾比)為40:60～95:5，X嵌段包含具有羥基的結構單元(M?...

一種漿料，其含有磨粒及水，所述磨粒包含鈰氧化物粒子，所述鈰氧化物粒子的微晶直徑為17.0nm以上，所述鈰氧化物粒子的晶格應變為0.10％以上。

本實施方式涉及的SiC外延晶片，具備SiC基板和在所述SiC基板上成膜的SiC外延層，所述SiC基板的基底面位錯的密度為1個/cm2以上且3000個/cm2以下，所述SiC外延層中，雙肖克利(2SSF)型的堆垛層錯的密度為4個/cm2以...

提供一種信息檢索裝置、方法及程序，其取得指向與結構化數據相關聯的非結構化數據的鏈接。信息檢索裝置具有：圖表繪制部，將結構化數據繪制為圖表；圖表提取范圍取得部，在繪制的圖表中提取一個或多個數據點；以及圖表提取范圍內數據取得部，取得包括包含...

本發明提供一種被保護的糖苷衍生物的制造方法，所述被保護的糖苷衍生物是酚化合物鍵合于糖的異頭位，糖的其他羥基被保護的糖苷衍生物，該方法包含使所有羥基都被保護基保護且1位羥基和2位羥基的保護基是酰基的糖、和酚化合物在選自三氟甲磺酸和三氟甲磺...

一種復合粒子，其含有共聚物和增粘劑，所述共聚物具有源自單體(a1)的第1結構單元和源自單體(a2)的第2結構單元，所述單體(a1)為僅具有1個烯屬不飽和鍵的非離子性化合物，所述單體(a2)為具有羧基且僅具有1個烯屬不飽和鍵的化合物。

一種漿料，其含有磨粒及水，所述磨粒包含鈰氧化物粒子，在所述鈰氧化物粒子的X射線衍射圖譜中的衍射角2θ＝27.000～29.980deg的范圍內存在的最大強度的峰值P中，所述最大強度的10％強度下的峰值線寬度Wa及所述最大強度的50％強度...

從包含非均勻輪廓的球體作為被攝物的圖像中高精度獲取球體區域。本發明的圖像處理方法具備：獲取包含作為被攝物的球體的圖像的圖像獲取步驟；對獲得的圖像進行二值化以獲取二值化圖像的二值化步驟；對二值化圖像進行區域分割以獲取球體候選區域的區域分割...

一種脫模膜，其包含脫模層和基材層，所述脫模層的斷裂伸長率大于或等于120％，且所述脫模層的平均厚度大于或等于5μm。

一種半導體裝置的制造方法，其包括如下工序：在半導體晶圓的設置有電極的一側，從黏合劑層側貼附包括背面研磨帶及黏合劑層的層疊體，所述背面研磨帶包括基材及形成于該基材上的壓敏膠黏劑層，所述黏合劑層形成在壓敏膠黏劑層上；對半導體晶圓進行研削來使...

一種半導體裝置的制造方法，其包括如下工序：在主面的一方具有多個電極的半導體晶圓的設置有電極的一側，從黏合劑層側貼附包括背面研磨帶及黏合劑層的層疊體，所述背面研磨帶包括基材及形成于該基材上的壓敏膠黏劑層，所述黏合劑層形成在壓敏膠黏劑層上；...

本發明提供一種聚合性組合物，其是含有聚合性化合物的聚合性組合物，所述聚合性組合物含有(A)硼酸根陰離子、及(B)選自由具有2個以上的羥基的芳香族羧酸、該芳香族羧酸的鹽及所述芳香族羧酸的水合物組成的組中的至少一種。

一種共聚物，含有：具有酸基的結構單元(a)、與具有下述式(1?1)表示的基團的結構單元(b)(式(1?1)中，R1為氫原子或碳原子數1～20的烴基，R2和R3分別獨立地為氫原子或碳原子數1～20的烴基，＊表示與從結構單元(b)中去掉式(...

一種黏合劑膜，其用于將半導體芯片接合至基體，并且密封半導體芯片與基體的間隙，其中，所述黏合劑膜為由具有光固性及熱固性的黏合劑組合物形成的單層膜。