一種電波透過構件，其依次具備外層、中間層和內層，所述電波透過構件具有如下區(qū)域，在該區(qū)域中，所述外層和所述內層在電波透過方向上的合計厚度X1滿足下述式(1)和式(3)且所述中間層在電波透過方向上的厚度X2滿足下述式(2)和式(3)。式(1...

提供即使將不飽和聚酯樹脂和含有(甲基)丙烯酰氧基的樹脂混合，透明性也高，相容性和固化性優(yōu)異，不易發(fā)生固化不良的樹脂組合物、和包含該樹脂組合物的復合材料。本發(fā)明的樹脂組合物包含不飽和聚酯樹脂(A)、特定的含有(甲基)丙烯酰氧基的樹脂(B)...

一種防霧劑，其含有：二氧化硅粒子；及合成物A，通過使具有酸酐基或環(huán)氧基的硅烷偶聯(lián)劑與具有羥基的脫水山梨糖醇化合物進行反應而獲得。一種防霧劑，其含有：二氧化硅粒子、具有酸酐基或環(huán)氧基的硅烷偶聯(lián)劑及具有羥基的脫水山梨糖醇化合物。一種車輛用燈...

一種壓縮成型用液狀樹脂組合物，其包含(A)脂肪族環(huán)氧化合物、(B)分子中具有芳香環(huán)的環(huán)氧化合物、(C)含氮雜環(huán)化合物和(D)無機填充劑。

一種半導體裝置的制造方法，包括如下工序：準備半導體封裝和母板，該半導體封裝具有封裝基板以及位于封裝基板的一個面上的多個焊料球，該母板具備多個金屬焊盤以及在一部分金屬焊盤上配置的多個焊料膏，以多個焊料球與多個金屬焊盤相面對的方式配置半導體...

課題是提供一種能夠以高效率將廢氣等所含的氯氣除去的氯氣除去手段。解決手段是一種氯氣的分解方法，包括使含有氯氣的氣體在水的存在下與氯氣分解用催化劑接觸的工序，所述氯氣分解用催化劑含有釕類(X)，所述釕類(X)含有選自釕和釕化合物中的至少一種。

一種研磨液，其含有磨粒及酸成分，酸成分包含具有選自由磺基及磺酸鹽基組成的組中的至少一種的化合物(其中，不包含硫酸及其鹽)，所述研磨液的pH超過4.5。一種研磨方法，其包括使用該研磨液對被研磨面進行研磨的工序。

一種聚合性組合物，其為含有聚合性化合物的聚合性組合物，該聚合性組合物含有光酸產(chǎn)生劑及酸成分。

本發(fā)明公開一種切割晶粒接合一體型膜(10)，其具備：切割膜(5)，包括基材膜(3)及設置于基材膜(3)上的壓敏黏合劑層(2)；及黏合劑層，配置于切割膜(5)的壓敏黏合劑層(2)上且由晶粒接合膜(1)形成。切割膜(5)的0℃下的損耗正切為...

高效地探索與作為目標的相分率相對應的材料組成。一種組成優(yōu)化裝置，包括：預測單元，其通過對使用訓練用數(shù)據(jù)進行訓練后的已訓練模型輸入預定材料組成，來預測預定溫度區(qū)間內具有所述預定材料組成的材料在各溫度下的相分率，所述訓練用數(shù)據(jù)中，訓練對象材...

本發(fā)明涉及密封用樹脂組合物、電子部件裝置及電子部件裝置的制造方法。一種密封用樹脂組合物，其用于狹路填充，上述密封用樹脂組合物含有環(huán)氧樹脂、固化劑和無機填充材料，上述固化劑包含活性酯化合物，上述無機填充材料的平均粒徑小于10μm。

一種自由基聚合性樹脂用固化劑組合物，其包含：包含錳和鈷中的至少一種金屬的有機金屬化合物(A)、選自α?乙酰基?γ?丁內酯、α?乙酰基?δ?戊內酯和α?乙酰基?ε?己內酯中的至少1種的化合物(B)、以及酸性化合物(C)。

一種電波透過構件，其具備外構件、內構件及金屬層，所述金屬層配置于所述外構件與所述內構件之間且能夠透過電波，所述外構件及所述內構件中的至少一方具有光擴散功能。

一種CMP用研磨液，其含有研磨粒、含氮化合物及水，所述研磨粒包含鈰系粒子，所述含氮化合物包含具有稠環(huán)(具有含一個氮原子的芳香族5元環(huán)的稠環(huán))的化合物A1、具有喹啉環(huán)及與該喹啉環(huán)鍵合的一個羥基的化合物A2、具有芳香環(huán)及與氮原子鍵合的羥基的...

一種電波透過構件，其依次具備外層、中間層和內層，所述電波透過構件具有如下區(qū)域，在該區(qū)域中，所述外層和所述內層在電波透過方向上的厚度X分別滿足(1)和式(2)。式(1)Z?0.3mm≤X≤Z+0.3mm式(2)Z＝λ÷√ε<subg...

本發(fā)明的目的在于提供大口徑、三角缺陷密度少、載流子濃度的均勻性高的SiC外延晶片，本發(fā)明涉及的SiC外延晶片具有SiC基板和SiC外延層。所述SiC基板的直徑為195mm以上。所述SiC外延層的三角缺陷的密度為0.2個/cm<su...

發(fā)泡成型品是將多個發(fā)泡成型部件組合而成的，該發(fā)泡成型部件具有第一表皮層、發(fā)泡層和第二表皮層依次層疊而成的發(fā)泡部位。

本發(fā)明的目的在于提供大口徑、板厚薄、三角缺陷少的SiC外延晶片。本發(fā)明涉及的SiC外延晶片具有SiC基板和SiC外延層。所述SiC基板的直徑為195mm以上，板厚為460μm以下。所述SiC外延層的三角缺陷的密度為0.2個/cm<...

本發(fā)明提供高效獲得含有多糖水解物和鉀、磷酸、氮等營養(yǎng)素的液體肥料的方法。一種液體肥料的制造方法，其特征在于，具有以下工序：通過將由選自纖維素和殼多糖中的至少一種構成的多糖類使用磷酸作為酸催化劑進行水解，而得到含有多糖類水解物的混合物的水...

本發(fā)明的目的在于提供大口徑、板厚薄、載流子濃度的均勻性高的SiC外延晶片，本發(fā)明涉及的SiC外延晶片具有SiC基板和SiC外延層。所述SiC基板的直徑為195mm以上，板厚為460μm以下。所述SiC外延層的載流子濃度的偏差為20％以下。