本發(fā)明涉及半導(dǎo)體密封成形用臨時(shí)保護(hù)膜、帶有臨時(shí)保護(hù)膜的引線框、帶有臨時(shí)保護(hù)膜的密封成形體及制造半導(dǎo)體裝置的方法。本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體密封成形用臨時(shí)保護(hù)膜，其具備支撐膜和設(shè)置在支撐膜的單面或兩面上且含有樹(shù)脂和硅烷偶聯(lián)劑的粘接層。半導(dǎo)體密封...

熱交換器具備設(shè)置有熱介質(zhì)流入口和熱介質(zhì)流出口的中空外包裝材料，具有由所述外包裝材料形成的第一主面、與所述第一主面相反的第二主面、以及所述第一主面和所述第二主面的連結(jié)部，且構(gòu)成為厚度能夠隨著熱介質(zhì)流入所述外包裝材料而改變。

本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式為包含硅和碳的復(fù)合體粒子，具有以下特征。通過(guò)截面SEM?EDS對(duì)復(fù)合體粒子的截面直徑及含硅率進(jìn)行測(cè)定，在將具有所述截面直徑的數(shù)平均值的1/2以下的截面直徑的復(fù)合體粒子記為小粒徑復(fù)合體粒子時(shí)，小粒徑復(fù)合體粒子的數(shù)量在所...

本發(fā)明涉及磁傳感器、磁傳感器的制造方法及感應(yīng)元件集合體。本發(fā)明的課題是降低由同一基板形成的多個(gè)感應(yīng)部或多個(gè)磁傳感器之間的磁特性差異。本發(fā)明的解決手段如下。磁傳感器具備基板、和設(shè)置于基板上的感應(yīng)部，所述感應(yīng)部具有長(zhǎng)邊方向和短邊方向，并且通...

提供一種均勻性和分散性優(yōu)異

一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括：在基板上形成具有槽部的第1有機(jī)絕緣層的工序；以在槽部填充導(dǎo)電性材料的方式，在第1有機(jī)絕緣層上形成具有導(dǎo)電性材料的導(dǎo)電層的工序；去除第1有機(jī)絕緣層上的導(dǎo)電層部分，獲取具有包含填充在槽部?jī)?nèi)的導(dǎo)電性材料而構(gòu)成...

一種導(dǎo)熱性樹(shù)脂組合物，其為包含環(huán)氧樹(shù)脂和導(dǎo)熱性粉末的導(dǎo)熱性樹(shù)脂組合物，所述導(dǎo)熱性粉末包含表面具有含硅氧化物被膜的氮化鋁和其他導(dǎo)熱性粉末，所述環(huán)氧樹(shù)脂的含量相對(duì)于導(dǎo)熱性樹(shù)脂組合物總量為1質(zhì)量％～

黏合帶

本發(fā)明涉及一種感光性樹(shù)脂組合物的選擇方法，其包括：在基板上涂布感光性樹(shù)脂組合物并干燥而形成樹(shù)脂膜的工序；在氮氛圍氣下對(duì)樹(shù)脂膜進(jìn)行加熱處理而獲得固化膜的工序；及在氮氛圍氣下以

提供耐堿性高

本發(fā)明涉及一種臨時(shí)固定用層疊體和半導(dǎo)體裝置的制造方法

本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的設(shè)計(jì)支援裝置具備：數(shù)據(jù)獲取部，獲取由設(shè)計(jì)參數(shù)組和特性項(xiàng)的觀測(cè)值構(gòu)成的實(shí)績(jī)數(shù)據(jù)；模型構(gòu)建部，構(gòu)建預(yù)測(cè)模型，所述預(yù)測(cè)模型基于設(shè)計(jì)參數(shù)組將觀測(cè)值作為概率分布等進(jìn)行預(yù)測(cè)；采樣部，用于各預(yù)測(cè)模型中，對(duì)目標(biāo)變量組進(jìn)行規(guī)定數(shù)...

本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及鋰離子傳導(dǎo)性氧化物或全固體電池，該鋰離子傳導(dǎo)性氧化物具有基于

本發(fā)明提供一種卷軸體

提供即使在高溫高濕條件下，也能夠抑制固化物的凝膠分率變化的膠粘劑組合物

提供一種n型SiC單晶基板，是8英寸的SiC單晶基板，摻雜劑濃度高且抑制了濃度分布偏差。本發(fā)明的SiC單晶基板(1)是8英寸的n型SiC單晶基板，直徑處于195～205mm的范圍，厚度處于300～650μm的范圍，表背兩面的加工變性層的...

本公開(kāi)涉及SiC單晶基板。提供降低了局部性的貫穿位錯(cuò)的密集的SiC單晶基板。本發(fā)明涉及的SiC單晶基板(1)的直徑為199mm以上，在基板整面的各任意的0.25mm2的區(qū)域中，貫穿位錯(cuò)密度為5

提供在離子注入的前后SORI的變化小的SiC單晶基板。本發(fā)明的SiC單晶基板(1)的主面相對(duì)于(0001)面在＜11

提供具有在8英寸的SiC單晶基板中尚未實(shí)現(xiàn)的特性的SiC單晶基板。本發(fā)明的SiC單晶基板(1)是8英寸的SiC單晶基板，直徑處于195～205mm的范圍，厚度處于300～650μm的范圍，SORI為50μm以下，且基板厚度的面內(nèi)偏差為1...

本發(fā)明提供一種在激光加工時(shí)容易加工的SiC基板和SiC晶錠。本實(shí)施方式的SiC基板，在包括中心以及從所述中心開(kāi)始在[11