本發(fā)明為SiC基板以及SiC錠。本發(fā)明的目的是提供在激光加工時容易加工的SiC基板以及SiC錠。本實施方式涉及的SiC基板，在測定多個第1測定點和2個第2測定點的電阻率時，所述多個第1測定點和所述2個第2測定點的各自的電阻率之中最大電阻...

本發(fā)明提供一種在激光加工時容易加工的SiC基板和SiC晶錠。本實施方式的SiC基板，將對于波長1064nm的光的吸收系數(shù)的最大值與最小值之差為0.25cm

本發(fā)明公開一種切割晶粒接合一體型膜

下述式所示的含氟醚化合物

下述式所示的含氟醚化合物

單體組合物是用于含浸于多孔質(zhì)成形體中的空隙中的單體組合物

本發(fā)明涉及SiC基板和SiC外延晶片。本發(fā)明的SiC基板，在將從中心起沿[11

本發(fā)明提供一種不易產(chǎn)生不良的SiC基板和SiC外延晶片。本發(fā)明的SiC基板，在由內(nèi)周支持面進行內(nèi)周支持時，將上表面之中沿厚度方向觀察時與所述內(nèi)周支持面重疊的第1點相連形成的面作為第1基準面，將比所述第1基準面靠上方作為正時，彎曲度小于4...

本發(fā)明為SiC基板以及SiC外延晶片。本發(fā)明的目的是提供即使經(jīng)過加工工藝也難翹曲的SiC基板以及SiC外延晶片。本實施方式涉及的SiC基板，由厚度、直徑和在從中心起的[11

一種硬化性樹脂組合物包含：環(huán)氧樹脂；硬化劑；及直鏈狀聚硅氧烷化合物，具有含有環(huán)氧基及烷氧基的結(jié)構(gòu)單元，且聚合度為3以上

一種焊料凸塊的形成方法，其使用含有焊料粒子及揮發(fā)性分散介質(zhì)的焊膏，所述焊料凸塊的形成方法具備如下工序：將焊膏涂布于在表面上具有多個電極的部件；通過以小于構(gòu)成焊料粒子的焊料的熔點的溫度加熱部件及焊膏來形成含焊料粒子的層；通過在還原氛圍氣中...

一種焊料凸塊的形成方法，其使用含有焊料粒子

本發(fā)明提供能夠提供消除與凹部中使用的混凝土制材料

本發(fā)明的一側(cè)面的復(fù)合物包含含有環(huán)氧樹脂及固化劑的樹脂組合物

一種吸聲材料，其依次具備：保護層

本實用新型提供容易進行具備多個冷卻器的冷卻裝置的制造的冷卻裝置

一種磁性粉末含有：多個磁性粒子，含有永久磁體及軟磁材料中的至少任一種；第1硅化合物，覆蓋磁性粒子的表面的至少一部分；及第2硅化合物，覆蓋磁性粒子的表面的至少一部分

本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體裝置的制造方法

一種帶焊料凸塊的部件的制造方法，其具備：準備工序，準備具備多個在底面具有凹凸的凹部的基體；配置工序，在凹部內(nèi)配置焊料粒子；及按壓工序，將基體和具有電極的基板在焊料粒子與電極對置的狀態(tài)下進行按壓而使焊料粒子與電極接觸，從而在電極上形成表面...

本發(fā)明涉及一種感光性樹脂膜