本發明實施例公開了一種芯片校準電阻復用電路及其控制方法。芯片校準電阻復用電路包括：電阻模塊，包括至少一個電阻；待校準模塊，包括多個PHY，待校準模塊位于芯片上，待校準模塊與電阻模塊電連接；旁路選擇模塊，與待校準模塊電連接，旁路選擇模塊用...

本發明公開了內存管理單元MMU電路的驗證方法、裝置、設備及介質，包括：確定針對MMU電路的原始驗證架構；將頁表應用程序接口部署到原始驗證架構中，以使頁表應用程序接口被原始驗證架構全局共享；原始驗證架構通過調用全局共享的頁表應用程序接口以...

本發明涉及計算機技術領域，公開了一種圖像生成方法、裝置、設備及存儲介質。該方法包括：獲取預訓練的文生圖模型，并基于預設訓練樣本集對文生圖模型進行離線量化，獲取固定量化參數和多個可變量化參數；通過預設推理引擎，根據固定量化參數和多個可變量...

本發明實施例公開了一種基于ID保序電路的重映射方法、設備及存儲介質。ID保序電路包括主機及從機，主機通過上游ID向從機發送請求，使用從機下游ID進行響應，ID保序。該方法包括創建與各主機分別對應的重映射表，用于記錄對應主機的ID重映射信...

本發明公開了一種間接訪問寄存器的測試方法、裝置、設備及介質。IP級測試方法包括：根據與目標間接訪問寄存器匹配的前門訪問路徑和后門訪問路徑，建立前后門訪問路徑映射關系；根據前后門訪問路徑映射關系和前門讀寫方法，構建IP級測試激勵對目標間接...

本發明實施例公開了一種結構識別模型訓練、模型結構識別方法、設備及介質，包括：將目標結構模型轉換為靜態圖結構數據；其中，所述靜態圖結構數據包括目標結構模型的算子節點，以及各所述算子節點之間的數據流向邊；對所述靜態圖結構數據中的各算子節點和...

本發明實施例公開了一種模型訓練、模型測試方法、裝置、電子設備及存儲介質，其中，模型訓練方法包括：獲取待訓練模型；其中，所述待訓練模型的模型精度超過預設閾值；按照模型參數修改策略修改所述待訓練模型的模型隨機參數，以使所述待訓練模型的隨機數...

本發明涉及集成電路技術領域，公開了一種存儲訪問方法

本發明公開了一種

本發明公開了一種嵌入表訪問方法

本發明實施例公開了一種算子的并行調度方法、裝置、電子設備及存儲介質。該算子的并行調度方法，具體可以包括：確定目標AI模型，并確定所述目標AI模型對應的目標模型拓撲圖；確定所述目標模型拓撲圖中的拓撲圖算子節點對應的算子節點開銷，并根據所述...

本發明公開了一種大語言模型訓練方法

本發明實施例公開了一種應用于片上系統的數據處理裝置。該裝置包括：數據處理器、控制器、配置接口、外部總線、以及本地存儲；其中，控制器分別與外部總線、本地存儲及配置接口通信連接；配置接口與數據處理器通信連接；數據處理器分別與控制器及本地存儲...

本發明實施例公開了一種芯片老化測試方法和測試電路。芯片老化測試方法包括：接收控制指令；根據控制指令，生成檢測指令集；將檢測指令集傳輸至芯片的各存儲測試電路，并接收各存儲測試電路反饋的測試結果；根據各存儲測試電路反饋的測試結果，確定芯片的...

本發明公開了一種寄存器測試方法、裝置、電子設備及存儲介質，包括：獲取預先構建的寄存器描述文件，根據目標寄存器的配置信息對寄存器描述文件進行更新，并根據更新后的寄存器描述文件生成寄存器模型；在寄存器模型中增加訪問端與目標寄存器之間的地址映...

本申請實施例公開了一種自適應封裝基板預縮方法、裝置、電子設備及存儲介質。該方法包括：根據接收到的第一用戶交互信息，確定原設計圖中的待轉移區域和待轉移區域中包含所有焊盤的第一焊盤區域；按照信息抓取需求，從待轉移區域和第一焊盤區域中抓取預縮...

本發明實施例公開了一種芯片老化測試電路。該芯片老化測試電路包括：老化輸入控制模塊，用于輸出控制數據；選擇模塊，與老化輸入控制模塊電連接，用于選擇輸出的數據；偽隨機數生成模塊，與選擇模塊電連接，用于生成偽隨機數；移位器，與偽隨機數生成模塊...

本發明公開了一種神經網絡的內存分配方法、裝置、設備及介質，包括：在神經網絡計算圖對應的多個計算節點中依次獲取一個節點作為當前節點；通過與當前節點匹配的計算核，在設備內存中申請計算內存，并在檢測到計算核對當前節點完成計算后對計算內存進行釋...

本發明實施例公開了一種多芯片封裝的老化測試方法和老化測試電路。多芯片封裝的老化測試方法包括：接收控制指令；根據控制指令，生成偽隨機序列；將偽隨機序列傳輸至多芯片封裝中的各芯片內部，并接收各芯片反饋的測試結果；當測試結果無誤時，控制偽隨機...

本發明公開了一種模型混精推理方法、裝置、設備及存儲介質，包括：將輸入樣本輸入至芯片內的深度學習模型中，通過芯片內的計算節點對輸入樣本進行計算，得到float32類型的目標結果；獲取模型的分段列表，根據模型針對各分段在預設精度選擇參數下的...