本公開提供了一種改善光效的發(fā)光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光二極管包括依次層疊的第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層；所述有源層包括交替層疊的多個量子阱層和多個量子壘層，所述量子壘層包括依次層疊的第一子層和第二子層，所...

本公開提供了一種濕法清洗治具，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該濕法清洗治具包括：承載底座和承載架，所述承載底座包括兩個平行的承載板，兩個所述承載板上均設(shè)有從一側(cè)邊向另一側(cè)邊延伸的卡裝槽；所述承載架位于所述卡裝槽的開口所在一側(cè)，且與所述承載底座...

本公開提供了一種發(fā)光二極管及其制備方法。方法包括：制作第一半導(dǎo)體層；在第一半導(dǎo)體層上制作有源層；在有源層上制作第二半導(dǎo)體層；在N2和NH3氣氛下，采用第一溫度對第二半導(dǎo)體層進行第一段退火；在N2和NH3氣氛下，采用第二溫度對第二半導(dǎo)體層...

本公開公開了一種清洗治具及清洗方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該清洗治具應(yīng)用于測試針，清洗治具包括：底座和插針座；插針座具有連接面和插針面，連接面和插針面為插針座的相反兩面，連接面與底座相連，插針面具有多個插孔，多個插孔相互間隔排布，插孔用于...

本公開提供了一種溫度控制系統(tǒng)及方法。該系統(tǒng)包括：主控設(shè)備，用于在化學(xué)機械研磨設(shè)備對同一批次晶圓研磨過程中，記錄累計研磨的晶圓數(shù)量；基于溫度調(diào)整策略模型，輸出所述累計研磨的晶圓數(shù)量對應(yīng)的目標(biāo)設(shè)定溫度的控制指令；冰水機，用于基于所述主控設(shè)備...

本公開提供了一種發(fā)光二極管及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述發(fā)光二極管包括依次層疊的n型半導(dǎo)體層、多量子阱層和p型半導(dǎo)體層；所述p型半導(dǎo)體層包括依次層疊的第一GaP子層、第二GaP子層以及第三GaP子層，其中，所述第一GaP子層與所...

本公開提供了一種發(fā)光二極管及其制作方法，屬于發(fā)光器件領(lǐng)域。該方法包括：制作覆蓋外延層的絕緣材料層；對絕緣材料層進行圖形化處理，形成電流阻擋層以及絕緣材料掩膜層，絕緣材料掩膜層覆蓋外延層的臺階區(qū)域，絕緣材料掩膜層露出外延層的隔離槽區(qū)域；制...

本公開提供了一種固晶方法以及固晶系統(tǒng)，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述固晶方法包括：提供一承載膜，所述承載膜上承載有多個芯片且所述多個芯片的電極與所述承載膜粘接；在所述多個芯片背對所述承載膜的一側(cè)覆蓋柔性平整膜，所述柔性平整膜保持平整張緊狀態(tài)；...

本公開提供了一種柵網(wǎng)的保養(yǎng)方法，屬于半導(dǎo)體制備工藝技術(shù)領(lǐng)域。所述柵網(wǎng)的保養(yǎng)方法包括：將待處理的離子源柵網(wǎng)浸入清洗劑中進行浸泡處理；對浸泡處理后的所述離子源柵網(wǎng)進行噴砂處理；對噴砂處理后的所述離子源柵網(wǎng)進行拋光處理；對拋光處理后的所述離子...

本公開提供了一種發(fā)光二極管及其制作方法，屬于發(fā)光器件領(lǐng)域。該發(fā)光二極管包括：外延層和側(cè)壁阻擋層；所述外延層包括N型半導(dǎo)體層、多量子阱層和P型半導(dǎo)體層，所述多量子阱層位于所述N型半導(dǎo)體層和所述P型半導(dǎo)體層之間，且所述外延層包括臺階，所述臺...

本公開提供了一種發(fā)光二極管及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述發(fā)光二極管包括外延結(jié)構(gòu)、反射鈍化層、第一電極和第二電極；所述外延結(jié)構(gòu)包括依次層疊的p型半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及n型半導(dǎo)體層；所述n型半導(dǎo)體層包括n型歐姆接觸層，所述n型歐姆接觸...

本公開公開了一種半導(dǎo)體芯片及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該半導(dǎo)體芯片，包括外延層和鈍化層；鈍化層包括依次疊設(shè)在外延層一面的緩沖層、漸變層和覆蓋層，緩沖層、漸變層和覆蓋層的疊設(shè)方向為外延層的生長方向。本公開實施例能夠在保證發(fā)光效率的情...

本公開提供了一種改善電流坍塌的晶體管及其制備方法，屬于電力電子領(lǐng)域。該晶體管包括：襯底、緩沖層、阻漏層和異質(zhì)結(jié)，所述緩沖層、所述阻漏層和所述異質(zhì)結(jié)依次層疊在所述襯底上；所述阻漏層包括摻雜鐵性材料的半導(dǎo)體層。本公開實施例能改善緩沖層捕獲電...

本公開提供了一種發(fā)光二極管及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述發(fā)光二極管包括依次層疊的第一半導(dǎo)體層、第一多量子阱層、第二多量子阱層和第二半導(dǎo)體層。所述第一多量子阱層包括交替層疊的多個第一量子阱層和多個第一量子壘層，所述第二多量子阱層包...

本公開提供了一種晶體管及其制備方法，屬于電力電子領(lǐng)域。該晶體管包括：襯底、硅緩沖層和外延層，所述硅緩沖層和所述外延層依次層疊在所述襯底上，所述硅緩沖層具有點缺陷。本公開實施例能改善襯底與外延層之間因為晶格失配或熱失配而導(dǎo)致的位錯缺陷，提...

本公開提供了一種發(fā)光二極管及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述發(fā)光二極管包括依次層疊的n型半導(dǎo)體層、多量子阱層和p型半導(dǎo)體層；所述多量子阱層包括至少一個超晶格結(jié)構(gòu)和至少兩個第一結(jié)構(gòu)，所述超晶格結(jié)構(gòu)的每一側(cè)具有一個所述第一結(jié)構(gòu)；每個所述...

本公開提供了一種反極性發(fā)光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光二極管包括：襯底、金屬反射層、透明導(dǎo)電層、介質(zhì)層、外延層、第一電極和第二電極；所述第二電極設(shè)置在所述襯底的第一面，所述金屬反射層、所述透明導(dǎo)電層、所述介質(zhì)層、所...

本公開提供了一種增強型的晶體管以及制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述晶體管包括層疊的GaN溝道層和勢壘層，所述勢壘層包括至少一個單元結(jié)構(gòu)，所述單元結(jié)構(gòu)層疊設(shè)置，每個所述單元結(jié)構(gòu)包括一個InAlGaN層和一個AlGaN層。本公開可以提高晶...

本公開提供了一種降低位錯密度的發(fā)光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光二極管包括依次層疊的緩沖層、位錯阻擋層和外延層；所述位錯阻擋層包括依次層疊的第一子層、第二子層和第三子層，所述第一子層包括GaN層，所述第二子層包括摻碳...

本公開提供了一種反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體沉積設(shè)備，屬于半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域。該反應(yīng)腔室，包括：腔體和腔蓋；腔體具有開口；腔蓋與腔體活動相連，以封蓋腔體的開口，腔蓋朝向腔體的一面具有輸氣管道和輸氣盤，輸氣管道的一端與輸氣盤相連，輸氣管道的另一端與腔...