本公開公開了一種具有復合保護層的半導體芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。該半導體芯片，包括依次疊設的一次外延層、復合保護層和二次外延層；復合保護層包括AlON層、SiN層和TiN層，AlON層、SiN層和TiN層沿外延生長方向依次疊...

本公開提供了一種發光器件和顯示面板，屬于光電子制造技術領域。該發光器件包括：基板、第一鈍化層、第二鈍化層、驅動芯片、像素芯片和焊盤；像素芯片位于基板的板面上，第一鈍化層位于基板的板面上，且覆蓋像素芯片，驅動芯片位于第一鈍化層的遠離基板的...

本公開提供了一種襯底的去除裝置和去除方法，屬于光電子制造技術領域。該襯底的去除裝置包括：腐蝕槽、連接底座和注液件；所述腐蝕槽的相對兩槽壁分別設有注入口和排出口，所述注液件用于從所述注入口向所述腐蝕槽內注入腐蝕溶液，使所述腐蝕溶液從所述注...

本公開提供了一種微型發光二極管晶圓及其制備方法，屬于半導體技術領域。該微型發光二極管晶圓的制備方法包括：在襯底的一面制備外延層；在襯底的具有外延層的一面刻蝕出基準線，基準線為直線段；確定曝光軌跡，每條曝光軌跡的起點均位于基準線，且各曝光...

本公開提供了一種晶體管及其制作方法，屬于半導體器件領域。所述晶體管包括：溝道層、勢壘層、帽層、插入層、P?GaN層、源極、漏極、鈍化層、刻蝕阻擋層和柵極；所述勢壘層、所述帽層和所述插入層、所述鈍化層依次層疊在所述溝道層上，所述勢壘層、所...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。發光二極管包括：外延結構、電流阻擋層、透明導電層、鈍化層、第一電極和第二電極；外延結構具有一端相連的第一條狀凹槽和第二條狀凹槽，電流阻擋層和透明導電層依次層疊在外延結構未開設凹槽的區域，鈍...

本公開提供了一種發光二極管的巨量轉移方法、發光器件和顯示面板，屬于光電子制造技術領域。該巨量轉移方法包括：采用激光剝離的方式將不同像素芯片轉移至第一臨時襯底的第一膠層上，使所述像素芯片的電極遠離所述第一膠層；將所述第一臨時襯底的所述像素...

本公開公開了一種高電子遷移率晶體管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。高電子遷移率晶體管芯片包括襯底，以及依次疊設在襯底一面的復合緩沖層和外延層；復合緩沖層包括多個子緩沖層，各子緩沖層依次疊設，子緩沖層包括AlN子層和GaN子層，Ga...

本公開公開了一種高電子遷移率晶體管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。高電子遷移率晶體管芯片包括依次疊設的高阻層、復合阻擋層和外延層；高阻層為C摻雜的GaN層；復合阻擋層包括疊設的第一阻擋層和第二阻擋層，第一阻擋層為SiN層，第二阻擋...

本公開提供了一種發光二極管的轉移方法、發光器件和顯示面板，屬于光電子制造技術領域。該轉移方法包括：制備芯片基板，所述芯片基板包括第一襯底和位于所述第一襯底上的多個像素芯片，所述像素芯片的電極靠近所述第一襯底，多個所述像素芯片包括至少兩種...

本公開提供了一種改善轉移撕裂的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：襯底、鍵合層、外延層和鈍化層，所述鍵合層位于所述襯底上，所述外延層位于所述鍵合層的遠離所述襯底的表面上；所述外延層的側壁具有凸起結構，所述鈍...

本公開提供了一種改善過刻蝕的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括外延層和絕緣阻擋層，所述絕緣阻擋層位于所述外延層的表面上，所述絕緣阻擋層包括依次層疊的至少兩層阻擋層，每層所述阻擋層均包括刻蝕阻擋層和離子阻擋層...

本公開公開了一種高電子遷移率晶體管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。高電子遷移率晶體管芯片包括襯底，以及依次疊設在襯底一面的溝道層、再生長層、勢壘層和蓋帽層；再生長層包括沿外延生長方向疊設的AlGaN界面層和AlGaN主體層，AlG...

本公開提供了一種改善載流子擴展的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括外延層、電流阻擋層和透明導電層，外延層包括依次層疊的第一半導體層、多量子阱層和第二半導體層，第二半導體層的表面具有露出第一半導體層的凹槽；電...

本公開提供了一種降亮的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括外延層和吸光增阻層，所述吸光增阻層位于所述外延層的一側，所述吸光增阻層包括金屬氧化物層。本公開實施例能降低發光二極管的亮度且提升發光二極管的工作電壓。

本公開提供了一種改善反射率的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層和電極層，所述電極層包括：第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層和所述第二金屬層均位于所述外延層的表面上，且所述第二金屬層覆蓋所述第一金...

本公開提供了一種改善色純度的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括依次層疊的第一半導體層、第一發光層、第二發光層和第二半導體層，所述第一發光層為綠光發光層，所述第二發光層為藍光發光層，且所述第一發光層的發光強度...

本公開提供了一種發光二極管芯片及其制備方法，屬于電子器件領域。該發光二極管芯片包括：外延層和反光層；外延層位于反光層的一側，外延層包括依次層疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層，第一半導體層靠近反光層，第一半導體層的外邊緣、內邊緣中的...

本公開提供了一種改善光電性能的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層、透明導電層、電流阻擋層和手指條，透明導電層和電流阻擋層均位于外延層的表面上，透明導電層還覆蓋電流阻擋層，手指條位于透明導電層的遠離外...

本公開提供了一種發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。發光二極管包括：依次層疊的緩沖層、填平層、第一半導體層、發光層、電子阻擋層和第二半導體層；所述電子阻擋層包括第一電子阻擋子層和第二電子阻擋子層，所述第二半導體層包括低溫半導...