本公開提供了一種反極性發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：襯底、銀鏡反射層、外延結構和包裹結構，所述襯底、所述銀鏡反射層、所述外延結構依次層疊；所述包裹結構和所述銀鏡反射層均位于所述外延結構的同一表面上，且...

本公開提供了一種改善反光效果的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層、透明導電層、鈍化層、第一反射層、第二反射層和保護層，透明導電層位于外延層的表面上，鈍化層包裹透明導電層；第一反射層位于鈍化層的表面上...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。發光二極管包括：外延結構、絕緣結構、第一電極焊盤和第二電極焊盤；絕緣結構覆蓋外延結構，絕緣結構上開設第一通孔和第二通孔；第一電極焊盤包括第一電極焊盤填充層和第一電極焊盤焊接層，第二電極焊盤...

本公開提供了一種改善發光強度的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括依次層疊的n型層、有源層、電子阻擋層和p型層；所述電子阻擋層包括依次層疊的第一子層、第二子層、第三子層、第四子層、第五子層、第六子層、第七子層...

本公開提供了一種發光二極管及其制備方法。所述發光二極管包括：反射層、外延結構、電流擴展層和第一電極，所述外延結構和所述電流擴展層依次層疊在所述反射層上，所述第一電極位于所述電流擴展層上；所述第一電極遠離所述電流擴展層的一面開設有凹槽結構...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。發光二極管包括：外延結構、透明導電層、第一電極和第二電極；所述外延結構開設有臺階結構，所述第一電極位于所述臺階結構的臺階底面，所述透明導電層位于所述臺階結構的臺階頂面，所述第二電極位于所述...

本公開提供了一種具有高發光面積的發光二極管芯片，屬于半導體器件領域。該發光二極管芯片，包括：依次疊設的外延層、透明導電層和絕緣層；發光二極管還包括第一通孔和第二通孔，第一通孔依次貫穿絕緣層、透明導電層，直至外延層的第一半導體層，第二通孔...

本公開提供了一種發光二極管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。發光二極管芯片包括襯底、外延層、鈍化層和N型電極和N型電極線；外延層位于襯底的一側，N型電極和N型電極線位于外延層背向襯底的一側，且N型電極和N型電極線相連；鈍化層包括相互...

本公開提供了一種提升亮度的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層、歐姆接觸膜和金屬反射層；所述歐姆接觸膜包括銀納米層，所述銀納米層位于所述外延層的表面上，所述金屬反射層位于所述銀納米層的遠離所述外延層的...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。所述發光二極管包括：外延結構、銀鏡結構、外延保護層和介質膜反射層；所述外延結構呈臺階結構；所述外延保護層和所述介質膜反射層依次層疊在所述臺階結構上，所述外延保護層和所述介質膜反射層在所述外...

本公開實施例提供了一種提高電流擴展能力的發光二極管及其制備方法，屬于半導體技術領域。該發光二極管包括發光結構、第一鈍化層、連接電極層、第二鈍化層和焊盤電極層，連接電極層包括在第一方向上交替間隔布置的條狀的多個第一連接電極和條狀的多個第二...

本公開提供了一種改善非輻射復合的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層、絕緣保護層和鈍化層；所述外延層的表面具有凹槽，所述絕緣保護層至少位于所述凹槽的槽壁上，所述鈍化層位于所述絕緣保護層的表面上，且所述...

本公開提供了一種改善量子阱損傷的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管的制備方法包括：形成外延層，所述外延層包括依次層疊的第一半導體層、多量子阱層和第二半導體層；在所述第二半導體層的表面形成透明導電層；對所述透明導...

本公開實施例提供了一種提高刻蝕均勻性的發光二極管及其制備方法，屬于半導體技術領域。該制備方法包括：在襯底上形成外延疊層，襯底具有相連的中心區域和第一環形區域，第一環形區域位于中心區域的外圍；刻蝕外延疊層以形成陣列布置的多個發光結構，多個...

本公開提供了一種具有電流擴展層的發光二極管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。該發光二極管芯片包括第一電流擴展層、外延層和第二電流擴展層；第一電流擴展層和第二電流擴展層分別位于外延層的相反兩側；第一電流擴展層包括周期性交替層疊的阱層和...

本公開提供了一種集成器件及其制備方法，屬于電力電子領域。該集成器件包括：溝道層、勢壘層、發光結構、柵極、漏極和源極；所述溝道層和所述勢壘層依次層疊，所述勢壘層具有露出所述溝道層的凹槽，所述發光結構位于所述凹槽內，所述發光結構包括依次層疊...

本公開實施例提供了一種具有隧穿層的發光二極管及其制備方法，屬于半導體技術領域。該發光二極管包括依次層疊的N型半導體層、發光層、P型半導體層和隧穿層，隧穿層包括沿遠離P型半導體層的方向依次層疊的P型重摻雜InGaN層、插入層和N型重摻雜I...

本公開實施例提供了一種改善應力的發光二極管及其制備方法，屬于半導體技術領域。該制備方法包括：在襯底上依次形成緩沖層和填平層；交替進行多個降溫生長階段和多個升溫生長階段，以在填平層上形成第一插入層，其中，在降溫生長階段，在第一溫度下形成第...

本公開實施例提供了一種石墨載盤、半導體器件的制作方法，屬于半導體制造技術領域。該石墨載盤的表面具有多個凹槽，凹槽具有相連的平邊和圓弧邊。本公開實施例能提高外延生長的良率，降低生產成本。

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。所述發光二極管包括：襯底、鍵合層和外延結構；所述襯底與所述外延結構通過所述鍵合層鍵合；所述襯底包括襯底本體和位于所述襯底本體上的至少一個凸起，所述凸起位于所述鍵合層內，且所述凸起沿著遠離所...