本公開提供了一種改善鍵合質量的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括外延層和絕緣層，所述外延層具有相反的第一表面和第二表面，所述第一表面具有電極槽和隔離槽，所述隔離槽位于所述第一表面的周邊邊緣，且環繞所述電極槽...

本公開提供了一種發光二極管分選方法、裝置及計算機設備，發光二極管分選方法包括：獲取晶圓中各個發光二極管芯片的測試數據，測試數據包括亮度、電學數據和外觀數據。基于晶圓中各個發光二極管芯片的亮度，確定晶圓的亮度等級。基于晶圓的亮度等級確定對...

本公開提供了一種晶體管及其制備方法。晶體管包括：溝道層、勢壘層、二維處理層、二維材料層、P?GaN層、第一電極、第二電極和控制極；溝道層、勢壘層、二維處理層和二維材料層依次層疊，P?GaN層位于二維材料層上，第一電極和第二電極穿過二維處...

本公開提供了一種晶體管及其制備方法。晶體管包括：緩沖層、表面處理層、第一成核層、第二成核層、溝道層和勢壘層；表面處理層位于緩沖層表面，第一成核層、第二成核層、溝道層和勢壘層依次層疊在表面處理層上，表面處理層為MgN層，第一成核層為Mg摻...

本公開提供了一種制品及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該制品包括：襯底、鍵合層和外延層，所述鍵合層和所述外延層依次層疊在所述襯底的表面上；所述襯底在所述外延層的靠近所述襯底的表面上的正投影為第一投影，所述鍵合層在所述外延層的靠近所述...

本公開提供了一種晶體管及其制作方法，屬于半導體器件領域。所述晶體管包括：第一溝道層、第一勢壘層、第二溝道層、第二勢壘層、電介質層、源極和漏極；所述第一勢壘層、所述第二溝道層和所述第二勢壘層依次層疊在所述第一溝道層上，所述第一勢壘層、所述...

本公開提供了一種晶體管及其制備方法。晶體管包括：襯底、緩沖層、溝道層和勢壘層；緩沖層、溝道層和勢壘層依次層疊在襯底上，襯底表面具有多孔結構。襯底表面具有多孔結構，在微觀尺度上具有大量的孔隙，生長時，孔隙中緩沖層與襯底貼合更緊密，穿透性的...

本公開提供了一種外延生長設備和外延生長方法，屬于電力電子技術領域。該外延生長設備包括：反應室、頂蓋、第一噴淋頭和第二噴淋頭，所述頂蓋包括蓋板和圍擋板，所述圍擋板和所述第一噴淋頭均位于所述蓋板的同一表面上，所述圍擋板環繞所述第一噴淋頭，所...

本公開提供了一種改善發光亮度的發光器件、顯示模組和顯示裝置，屬于光電子制造技術領域。該發光器件包括：出光基板、粘結層、光吸收層、反光層和多個單色發光結構；所述粘結層位于所述出光基板的表面上，所述多個單色發光結構間隔排布在所述粘結層的遠離...

本公開提供了一種改善側向出光的發光器件、顯示模組和顯示裝置，屬于光電子制造技術領域。該發光器件包括：出光基板、粘結層和多個單色發光結構，所述出光基板具有相反的第一表面和第二表面，所述粘結層位于所述第二表面，所述多個單色發光結構間隔排布在...

本公開提供了一種鍵合檢測方法、發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該鍵合檢測方法包括：提供一制品，所述制品包括依次層疊的襯底、鍵合層和外延層，所述襯底的表面包括有效區域和圍繞所述有效區域和無效區域，所述鍵合層在所述襯底上的正...

本公開公開了一種發光二極管，屬于半導體技術領域。所述發光二極管包括：依次層疊的第一電極、第一半導體層、發光層、第二半導體層、歐姆接觸層和第二電極，所述歐姆接觸層為圖形化的重摻雜GaAs層，所述第二電極為圖形化電極，所述歐姆接觸層和所述第...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。發光二極管包括：外延結構、第一電極、第二電極、反射層、第一電極焊盤和第二電極焊盤；外延結構包括依次層疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層，第一半導體層、有源層和第二半導體層形成臺階結構，...

本公開提供了一種生長基板及其制備方法和晶體管，屬于電力電子領域。該生長基板包括：襯底、氮化硼層和石墨烯層，所述氮化硼層和所述石墨烯層依次層疊在所述襯底上，所述石墨烯層的遠離所述襯底的表面具有多個間隔排布的掩膜圖案。本公開實施例改善襯底和...

本公開提供了一種發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。發光二極管包括：依次層疊的緩沖層、成核層、填平層、第一半導體層、發光層和第二半導體層；所述成核層為三維島狀結構，所述緩沖層、所述成核層、所述填平層和所述第一半導體層均為Si...

本公開提供了一種晶體管及其制作方法，屬于半導體器件領域。所述方法包括：制作溝道層；在所述溝道層上制作勢壘層；采用Si<subgt;2</subgt;H<subgt;6</subgt;和NH<subgt;3&...

本公開提供了一種改善反光面積損失的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管的制備方法包括：制備外延層；在所述外延層上制備刻蝕緩沖層；在所述刻蝕緩沖層上制備絕緣反射層；對所述絕緣反射層進行第一段刻蝕；對所述刻蝕緩沖層進...

本公開提供了一種發光二極管及其制備方法。發光二極管包括：三維成核層、二維填平層、空心結構層、第一半導體層、發光層和第二半導體層；三維成核層、二維填平層、空心結構層、第一半導體層、發光層和第二半導體層依次層疊；空心結構層包括：依次層疊在二...

本公開提供了一種發光二極管及其制備方法。發光二極管包括：外延結構、介質層和反射層；外延結構包括第一表面，以及和第一表面相對的第二表面；介質層位于外延結構的第一表面，外延結構的第一表面的邊緣開設有第一臺階，反射層覆蓋介質層、外延結構的第一...

本公開實施例提供了一種發光二極管芯片及其制備方法、發光器件和顯示裝置，屬于顯示技術領域。該發光二極管芯片包括透明承載層、反射層、吸光層和多種顏色的發光單元，多種顏色的發光單元間隔布置在透明承載層的第一表面；反射層的至少部分位于第一表面且...