本公開實施例提供了一種晶體管的外延結構以及制作方法，屬于半導體技術領域。所述晶體管的外延結構包括GaN溝道層和位于所述GaN溝道層上的勢壘層，所述勢壘層為InAlN層、InAlGaN層或者AlScGaN層。本公開實施例提供的晶體管的外延...

本公開提供了一種反極性發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延結構、第一電極、第二電極和金屬反射層；所述外延結構包括第一半導體層、第二半導體層以及位于所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的多量子阱層；所述...

本公開提供了一種發光二極管及其制作方法，屬于半導體技術領域。所述發光二極管包括第一焊盤、第二焊盤、防護層和外延結構；所述外延結構包括第一半導體層、發光層和第二半導體層，所述發光層位于所述第一半導體層和所述第二半導體層之間；所述第一焊盤連...

本公開公開了發光二極管及其制備方法，屬于半導體技術領域。所述發光二極管包括第一半導體層、第二半導體層以及位于所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的多量子阱層；所述第一半導體層包括多個周期交替層疊的N型摻雜AlxGa(1?x)N層和C摻...

本公開提供了一種快速退火設備及方法。快速退火設備包括：爐體、載盤結構、吹掃裝置；載盤結構包括多個支撐部和載盤，多個支撐部的一端與爐體的頂面連接，多個支撐部的另一端與載盤的底面連接；吹掃裝置位于爐體的一側，用于向載盤結構及爐體吹掃氣體。

本公開提供了一種晶圓檢測方法及裝置。所述方法包括：分別在背光源和軸向光源下對晶圓的各個晶粒進行裂紋檢測；在所述晶圓的晶粒分布圖上，將檢測到具有裂紋的晶粒標注為不合格晶粒；根據所述晶粒分布圖中所述具有裂紋的晶粒的位置，確定裂紋圖案；將位于...

本公開提供了一種發光二極管芯片及制備方法，所述發光二極管芯片包括N型層、多量子阱層、插入層、電子阻擋層以及P型層；其中，所述插入層包括依次層疊的多個周期結構，每個周期結構包括AlN子層和MgN子層。本公開可以提高發光二極管芯片的發光效率...

本公開提供了一種發光二極管芯片以及制作方法，屬于半導體技術領域。所述發光二極管芯片包括n型半導體層、p型半導體層以及位于所述n型半導體層和所述p型半導體層之間的發光層；所述n型半導體層包括n型電流擴展層，所述n型電流擴展層為n型AlGa...

本公開提供了一種供氣裝置。供氣裝置包括：進氣管道、出氣管道、儲氣罐、第一保溫結構和第二保溫結構；進氣管道的一端與儲氣罐連通，出氣管道的一端與儲氣罐連通，第一保溫結構包裹進氣管道的外側壁，第二保溫結構包裹出氣管道的外側壁。

本公開提供了一種改善色彩穩定性的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括依次層疊的第一半導體層、綠光發光層、超輻射層、多量子阱前驅層、藍光發光層和第二半導體層，所述超輻射層包括n型摻雜的GaN層，所述多量子阱前驅...

本公開提供了一種發光二極管以及制作方法，屬于半導體技術領域。所述發光二極管包括n型半導體層、p型半導體層以及位于所述n型半導體層和所述p型半導體層之間的發光層；所述n型半導體層包括n型電流擴展層，所述n型電流擴展層為n型(AlxGa1?...

本公開提供了一種發光二極管及其制備方法。發光二極管包括：制作第一半導體層；在第一生長溫度下，在第一半導體層上制作第一有源子層；在第二生長溫度下，在第一有源子層上制作第二有源子層，第二生長溫度大于第一生長溫度；在第三生長溫度下，在第二有源...

本公開提供了一種具有雙限制層的發光二極管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。該發光二極管芯片包括依次疊設的N型限制層、有源層和P型限制層；N型限制層為N型AlInP層；P型限制層為周期性交替層疊的P型AlGaInP層和P型AlInP層...

本公開提供了一種改善飛片的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該制備方法包括：將襯底放置在反應腔的石墨盤上；調整所述反應腔的生長氣氛，在所述襯底上生長NAl缺陷阻擋層，所述反應腔的生長氣氛包括反應氣和載氣，所述反應氣包括氨氣...

本公開公開了一種發光二極管和發光二極管制備方法，屬于半導體技術領域。所述發光二極管包括依次層疊的N型AlInP限制層、N面AlGaInP波導層、發光層、P面AlGaInP波導層、阻擋層和P型AlInP限制層；所述阻擋層為AlInP層、G...

本公開提供了一種發光二極管。發光二極管包括：外延結構和電流阻擋結構；電流阻擋結構位于外延結構上，電流阻擋結構包括多個第一電流阻擋結構和多個第二電流阻擋結構，多個第一電流阻擋結構和多個第二電流阻擋結構交替相連排列；在第一方向上，第一電流阻...

本公開提供了一種具有短響應時間的發光二極管及其制備方法，屬于半導體器件領域。該發光二極管包括：依次疊設的N型半導體層、多量子阱層、P型半導體層和P型電流擴展層；多量子阱層包括周期性交替層疊的量子阱層和量子壘層，量子阱層的厚度為3~5nm...

本公開提供了一種石墨基座和發光二極管的制備方法，屬于外延生長技術領域。該石墨基座的表面具有多個開口，所述多個開口包括位于所述石墨基座的中心區域的多個內圈孔和位于所述石墨基座的周邊邊緣的多個外圈孔，多個所述外圈孔環繞多個所述內圈孔；所述外...

本公開提供了一種改善焊盤連接可靠性的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層、絕緣層和焊盤，所述絕緣層位于所述外延層的表面上，所述絕緣層的表面具有露出所述外延層的連接過孔，所述焊盤位于所述絕緣層的表面，且...

本公開提供了一種改善DBR氧化的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括依次層疊的n型層、有源層和p型層；所述n型層包括n型DBR層，所述n型DBR層包括交替層疊的多個GaAs層和多個GaAsP層。本公開實施例能...