本公開提供了一種改善金屬剝落的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層、鈍化層、第一反射層和第二反射層；鈍化層位于外延層的表面上，鈍化層具有貫通鈍化層的第一通孔；第一反射層位于鈍化層的遠離外延層的表面上，...

本公開提供了一種晶體管及其制作方法，屬于半導體器件領域。所述晶體管包括：緩沖層、高阻超晶格層、溝道層和勢壘層，所述高阻超晶格層、所述溝道層和所述勢壘層依次層疊在所述緩沖層上；所述緩沖層為摻雜氧的AlN緩沖層，所述高阻超晶格層包括第一Ga...

本公開提供了一種改善可靠性的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括外延層，所述外延層的第一表面具有環形槽，所述環形槽沿所述第一表面的周邊邊緣圍繞所述外延層，且所述環形槽位于所述外延層的側壁。本公開實施例能降低發...

本公開提供了一種改善亮度的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括外延層，所述外延層的表面具有凹槽，所述凹槽的至少部分表面為粗糙面，所述粗糙面的粗糙度大于所述外延層上除所述凹槽之外的表面的粗糙度。本公開實施例能改...

本公開提供了一種改善電極質量的發光器件及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光器件包括外延層和電極，所述電極位于所述外延層的表面上，所述電極包括交替層疊的至少兩個第一金屬層和至少兩個第二金屬層，所述第一金屬層包括Au層，所述第二金屬...

本公開提供了一種晶體管及其制作方法，屬于半導體器件領域。所述晶體管包括：緩沖層、應力緩沖層、低溫GaN層、高溫GaN層、溝道層和勢壘層，所述應力緩沖層、所述低溫GaN層、所述高溫GaN層、所述溝道層和所述勢壘層依次層疊在所述緩沖層上；所...

提供了一種劃裂方法，屬于半導體制造領域。該方法包括：在所述發光二極管芯片遠離藍寶石襯底的一面貼附第一藍膜，所述正裝發光二極管芯片的厚度不小于200微米；使用雙焦點激光器對所述發光二極管芯片的另一面進行劃片處理；在所述劃片處理過程中，控制...

本公開提供了一種管道組件及化學氣相沉積設備，屬于半導體制備領域。該管道組件，應用于化學氣相沉積設備，管道組件包括：前端管道和連接管道；前端管道包括管道主體和接頭，接頭位于管道主體的外壁，且與管道主體連通，管道主體的第一端與化學氣相沉積設...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。發光二極管包括：外延結構、第一電極、第二電極、導電填平層、第一絕緣層和反射層。外延結構的表面具有凹槽，第一電極位于外延結構的表面，第二電極位于凹槽內，導電填平層位于第二電極上，第一絕緣層位...

本公開提供了一種晶體管及其制作方法，屬于半導體器件領域。所述晶體管至少包括：溝道層，依次層疊在所述溝道層的勢壘層、柵極介質層和柵極；所述柵極介質層包括P型氮化鎵介質層和InAl<subgt;x</subgt;GaN插入層構成...

本公開提供了一種倒裝發光二極管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。發光二極管芯片包括依次疊設的襯底、鍵合層和外延層；鍵合層的折射率大于或者等于襯底的折射率。本公開可以提高倒裝發光二極管芯片的發光角度。

本公開提供了一種顯示面板。該顯示面板包括：基板、多個發光單元和透明介質層；多個發光單元陣列布置在基板上，每個發光單元至少包括第一發光顏色的第一發光單元、第二發光顏色的第二發光單元和第三發光單元的第三發光單元，第一發光單元、第二發光單元和...

本公開實施例提供了一種功率半導體器件及其制備方法，屬于半導體技術領域。該制備方法包括：提供一襯底；采用物理氣相沉積技術在襯底上依次形成第一緩沖層和第二緩沖層；采用金屬有機化合物化學氣相沉積技術在第二緩沖層上形成器件層。本公開實施例能提高...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法、顯示裝置。該發光二極管包括：依次層疊的第一緩沖層、第一半導體層、有源層和第二半導體層，第一緩沖層包括多個周期交替層疊的第一子層和第二子層。其中，第一子層為TiO<subgt;2<...

本公開提供了一種發光二極管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。發光二極管芯片包括外延層和復合電極；復合電極位于外延層的一側，復合電極包括至少一層鈦金疊層，鈦金疊層遠離外延層。本公開可以有效的提高發光二極管芯片的焊線可靠性。

本公開提供了一種改善可靠性的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層、絕緣層、第一電極和第二電極；外延層包括依次層疊的第一半導體層、多量子阱層和第二半導體層，第二半導體層的表面具有露出第一半導體層的凹槽，...

本公開提供了一種改善散熱的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層和焊盤，所述外延層的表面具有凹槽，所述焊盤包括填充部和導電部，所述填充部位于所述凹槽內，且所述填充部的頂面不低于所述凹槽的開口，所述導電部...

本公開提供了一種改善發光均勻性的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括外延層和第一電極，所述外延層包括依次層疊的第一半導體層、多量子阱層和第二半導體層，所述第二半導體層的遠離所述第一半導體層的表面具有多個露出所...

本公開提供了一種改善電壓過高的發光二極管，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層和電流擴展層，所述電流擴展層層疊在所述外延層的表面上，所述電流擴展層包括合金層，所述合金層包括AuGe層和AuGeNi層中的至少一種。本公開實施例...

本公開實施例提供了一種改善可靠性的發光二極管及其制備方法，屬于半導體技術領域。該發光二極管包括發光結構和第一鈍化層，第一鈍化層位于發光結構的表面，第一鈍化層具有通孔，通孔在發光結構上的正投影的外輪廓包括首尾依次連接的第一側邊、第二側邊、...