本公開提供了一種發光二極管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。發光二極管芯片包括外延層和防水膜；防水膜包括中間層和疏水層，中間層為硅的氧化物層，中間層覆蓋在外延層外，疏水層為含氟硅烷層，疏水層覆蓋在中間層背向外延層的一面。本公開可以有...

本公開提供了一種掩膜版和發光二極管的制備方法，屬于光電子制造技術領域。該掩膜版包括：遮光層和兩層剛性透光層，兩層所述剛性透光層分別位于所述遮光層的相反兩側面上，所述遮光層具有用于透光的開口。本公開實施例能便于清洗掩膜版上的灰塵或異物，提...

本公開提供了一種發光二極管芯片及其制備方法，屬于半導體制備技術領域。該發光二極管芯片，包括：外延層和焊盤層；焊盤層位于外延層的一側，且與外延層電連接，焊盤層包括至少兩層子焊盤，各子焊盤沿外延層的生長方向依次疊設，最靠近外延層的一個子焊盤...

本公開實施例提供了一種提高發光效率的發光二極管及其制備方法，屬于半導體技術領域。該發光二極管包括依次層疊的N型半導體層、發光層、P型半導體層、第一P型電流擴展層和P型窗口層，第一P型電流擴展層的摻雜濃度小于P型窗口層的摻雜濃度。本公開實...

本公開實施例提供了一種高壓發光二極管芯片的檢測方法、裝置及設備，屬于半導體技術領域。該檢測方法包括：獲取高壓發光二極管芯片中每個子芯片在紫外光照射下的光致發光強度，高壓發光二極管芯片包括多個子芯片，多個子芯片串聯；根據每個子芯片的光致發...

本公開實施例提供了一種發光二極管及其制備方法，屬于半導體技術領域。該發光二極管包括依次層疊的第一半導體層、插入層、發光層和第二半導體層，插入層包括多個凸起和填平層，多個凸起位于第一半導體層和發光層之間，凸起包括應力調控層，應力調控層采用...

本公開公開了一種具有電流擴展的發光二極管，屬于半導體技術領域。所述發光二極管包括外延片、N一次電極和P一次電極；外延片包括相對的第一側邊和第二側邊；N一次電極包括第一主電極和多個第一支電極，第一主電極沿外延片的第一側邊延伸，各第一支電極...

本公開提供了一種發光二極管及其制備方法。所述方法包括：在生長襯底上制作外延結構；在所述外延結構上制作介質膜層，所述介質膜層具有多個通孔；在所述介質膜層上生長第一金屬層，所述第一金屬層通過多個所述通孔與所述外延結構電連接通過所述第二金屬層...

本公開提供了一種具有雙電子阻擋層的發光二極管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。該發光二極管芯片包括依次疊設的第一半導體層、第一電子阻擋層、有源層、第二電子阻擋層和第二半導體層；第一半導體層為第一導電類型，第二半導體層為第二導電類型，...

本公開提供了一種改善焊盤破損的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層、第一電極和鈍化層，第一電極包括標記電極塊和連接電極塊，標記電極塊和連接電極塊間隔排布在外延層的表面上，鈍化層位于外延層表面上，且覆蓋...

本公開提供了一種電極焊盤制作方法、發光二極管及制作方法，屬于發光器件領域。所述方法包括：依次蒸鍍層疊金屬疊層和保護層；在所述保護層上分兩段蒸鍍AuSn層，第一段蒸鍍厚度為第二段蒸鍍厚度為AuSn層分兩段進行蒸鍍，其中第二段蒸鍍的厚度較薄...

本公開提供了一種改善電子泄漏的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括依次層疊的n型層、發光層和p型層；所述發光層包括多個依次層疊的有源層，各所述有源層的量子壘層均包括(Al<subgt;x</sub...

本公開提供了一種外延粗化方法、發光二極管及發光二極管制備方法。所述方法包括：在外延片表面形成粗化開口，所述粗化開口包括沿著所述外延片的中心到所述外延片的邊緣排布的多排圖形化開口，且每排所述圖形化開口中，沿著所述外延片的中心到所述外延片的...

本公開實施例提供了一種改善發光效率的反極性發光二極管及其制備方法，屬于半導體技術領域。該發光二極管包括外延層、多個導電凸起、介質層、第一透明導電層和金屬反射層，多個導電凸起位于外延層的表面，導電凸起包括沿遠離外延層的方向依次層疊的過渡層...

本公開提供了一種降低電壓的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層和第一電極，所述外延層包括依次層疊的第一半導體層、多量子阱層和第二半導體層；所述第二半導體層具有露出所述第一半導體層的第一凹槽和第二凹槽，...

本公開提供了一種改善金屬遷移的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層、第一絕緣層、金屬反射層和金屬保護層；所述第一絕緣層位于所述外延層的表面上，所述第一絕緣層的遠離所述外延層的表面具有沉積槽，所述沉積槽...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。發光二極管包括：背金、襯底、鍵合層、鏡面層、透明導電層、介質層、ITO導電層、外延結構和電極焊盤；ITO導電層設置成多個導電部，多個導電部圍繞電極焊盤設計，且通孔在襯底上的投影位于多個導電...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。所述方法包括：形成依次層疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層；對外延結構進行圖形化處理，形成臺階結構；制作保護層，保護層覆蓋外延結構；對保護層進行圖形化處理，以形成第一通孔和第二通孔；其...

本公開提供了一種發光二極管及其制備方法。發光二極管包括：襯底、緩沖層、三維成核層、未摻雜半導體層、第一半導體層、發光層、電子阻擋層和第二半導體層。三維成核層包括晶格結構處理子層、第一三維成核子層和第二三維成核子層；其中，晶格結構處理子層...

本公開提供了一種改善制備效率的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管的制備方法包括：在外延結構上形成鈍化層；在所述鈍化層的表面上形成光刻膠層，并刻蝕所述光刻膠層，所述光刻膠層的表面具有露出所述鈍化層的第一通孔；通過...