本公開提供了一種發光器件及其制備方法、顯示面板，屬于光電子制造技術領域。該發光器件包括：基板、粘合層和多個發光結構，所述粘合層位于所述基板的承載面上，多個所述發光結構間隔排布所述粘合層上；所述粘合層具有排氣通道，所述排氣通道從所述粘合層...

本公開提供了一種改善側向光反射率的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層和絕緣層，所述絕緣層位于所述外延層的表面上，且延伸至所述外延層的側壁，位于所述外延層的側壁上的所述絕緣層具有空腔。本公開實施例能減...

本公開提供了一種濕法清洗設備，屬于半導體制造技術領域。該濕法清洗設備包括：第一清洗槽、預熱槽和電動閥門，所述預熱槽通過連接管路與所述第一清洗槽連通，所述電動閥門連接在所述連接管路上；所述預熱槽上設有動態加熱裝置，所述動態加熱裝置被配置為...

本公開提供了一種制品的清洗設備及其清洗方法，屬于半導體制造技術領域。該清洗設備包括：第一機械手、第二機械手、藥液槽、第一沖洗槽、甩干槽和下料臺，所述藥液槽、所述第一沖洗槽、所述甩干槽和所述下料臺沿同一方向順次排布；所述第一機械手用于將制...

本公開提供了一種晶體管及其制備方法。晶體管包括：溝道層、勢壘層、P?GaN層、AlGaN層、源極、漏極和柵極；勢壘層位于溝道層上，P?GaN層、源極和漏極均位于勢壘層上，且P?GaN層位于源極和漏極之間，柵極位于P?GaN層上；AlGa...

本公開提供了一種改善裂片的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管的制備方法包括：控制反應室內的生長溫度為第一溫度，在襯底上生長n型層；向所述反應室內通入氮氣和氫氣并停止通入MO源，控制所述反應室的生長溫度從所述第一...

本公開提供了一種發光二極管及其制備方法。發光二極管包括：外延結構、電流阻擋層、透明導電層、電極結構和鈍化層；電流阻擋層包括間隔設置的第一電流阻擋結構和第二電流阻擋結構，第一電流阻擋結構和所述第二電流阻擋結構均位于外延結構的表面上，第一電...

本公開實施例提供了一種發光二極管芯片的檢測裝置，屬于半導體技術領域。該檢測裝置包括載體和位于載體的表面的檢測電極層，檢測電極層包括在第一方向上交替間隔布置的多個第一檢測電極和多個第二檢測電極，第一檢測電極和第二檢測電極的長度方向均為第二...

本公開公開了一種具有復合緩沖層的半導體芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。該半導體芯片，包括依次疊設的襯底、復合緩沖層和半導體層；所述復合緩沖層包括N極性GaN層、AlN插入層和Ga極性GaN層，所述N極性GaN層、所述AlN插入層和...

本公開提供了一種改善翹曲的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管的制備方法包括：將襯底放置在反應腔的托盤上；向所述反應腔內通入反應氣，控制所述托盤旋轉以在所述襯底上生長緩沖層，生長所述緩沖層的過程中，控制所述托盤的...

本公開提供了一種發光二極管及其制備方法。發光二極管包括：外延結構、介質層、透明導電結構和反射層；介質層具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面，介質層還具有多個間隔排列的介質孔；外延結構位于介質層的第一表面，透明導電結構位于介質孔的底面...

本公開提供了一種微型發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括依次層疊的n型GaN層、淺阱層、多量子阱層和p型含鋁半導體層；所述淺阱層包括交替層疊的多個InyGa1?yN層和多個GaN層，0.01＜Y＜0.1；所述...

本公開提供了一種具有高發光效率的微型發光二極管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。該微型發光二極管芯片包括依次疊設的第一電流擴展層、第一半導體層、有源層、第二半導體層和第二電流擴展層；第一半導體層為第一導電類型，第二半導體層為第二導電...

本公開提供了一種晶體管及其制備方法。晶體管包括：溝道層、第一勢壘層、P?GaN層、鈍化層、第二勢壘層、源極、漏極和柵極；第一勢壘層位于溝道層上，P?GaN層、源極和漏極均位于第一勢壘層上，且P?GaN層位于源極和漏極之間，鈍化層覆蓋P?...

本公開提供了一種定向出光的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：發光塊、反射層和金屬電極層；所述發光塊位于所述金屬電極層的表面上，所述反射層位于所述金屬電極層的表面上，且覆蓋所述發光塊，所述反射層的遠離所述金...

本公開提供了一種發光二極管及其制備方法。發光二極管包括：外延結構、第一鈍化層、透明導電層、第二鈍化層和第三鈍化層；第一鈍化層具有第一凹槽，第二鈍化層具有第二凹槽，第三鈍化層具有第三凹槽；第三凹槽的寬度大于第二凹槽的寬度，第二凹槽的寬度大...

本公開提供了一種改善韌性的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層和兩個焊盤，兩個所述焊盤位于所述外延層的第一表面上，且間隔排布在所述第一表面的兩側；所述第一表面的長度與寬度之比為2:1至5:1，所述第一...

本公開提供了一種晶體管及其制備方法，屬于電力電子領域。該晶體管包括：溝道層、勢壘層、p型層、二次外延層、柵極、源極和漏極，所述勢壘層層疊于所述溝道層上，所述p型層位于所述勢壘層的遠離所述溝道層的表面上，所述源極和所述漏極間隔排布在所述勢...

本公開提供了一種反極性發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：襯底、第一透明導電層、介質層、粘附層和外延層，所述第一透明導電層、所述介質層、所述粘附層和所述外延層依次層疊在所述襯底上；所述粘附層與所述外延層的粘...

本公開提供了一種改善發光均勻性的發光二極管，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括外延層和第一電極；外延層包括第一半導體層和第二半導體層；第一電極電連接第二半導體層；第一電極包括：主電極條和多個子電極條；多個子電極條包括第一子電極條、...