本公開實施例提供了一種發光二極管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。該發光二極管芯片包括外延層和依次層疊在外延層上的連接電極層、第一絕緣層、金屬反射層、第二絕緣層和焊盤電極層，金屬反射層包括第一金屬反射結構和第二金屬反射結構，第一金屬...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。發光二極管包括：外延結構；外延結構包括依次層疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層，第一半導體層、有源層和第二半導體層形成臺階結構；臺階結構的臺階面沿從外延結構的中心到外延結構的邊緣的方向...

本公開實施例提供了一種GaN基半導體結構及其制備方法，屬于半導體技術領域。該GaN基半導體結構包括襯底、緩沖層和器件層，襯底具有相連的中心區域和環形區域，環形區域圍繞中心區域；緩沖層位于襯底和器件層之間；AlGaN基緩沖層的遠離襯底的表...

本公開實施例提供了一種圖形化襯底及其制備方法、GaN基半導體結構，屬于半導體技術領域。該制備方法包括：在硅基襯底的第一表面上形成Ga金屬層；對形成有Ga金屬層的硅基襯底進行高溫回火，使第一表面的部分硅原子與Ga金屬層產生回熔反應；去除G...

本公開提供了一種改善出光角度的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括襯底、外延層、第一反射層、第二反射層和電極，所述第一反射層、所述外延層和所述第二反射層依次層疊，所述第二反射層具有露出所述外延層的通孔，所述電...

本公開實施例提供了一種襯底及其制備方法、GaN基發光二極管，屬于半導體技術領域。該襯底包括第一襯底層和第二襯底層，第一襯底層包括層疊的圖形化襯底層和填平層，填平層為分布式布拉格反射層，圖形化襯底層的熱膨脹系數大于GaN材料的熱膨脹系數；...

本公開提供了一種半導體器件及其制作方法，屬于半導體領域。該半導體器件包括：襯底，依次層疊在所述襯底的成核層、Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;(1?x)</subgt;N緩沖層和器件層，其中，...

本公開提供了一種發光二極管的轉移方法及發光二極管。該方法包括：通過鍵合層將外延結構鍵合到襯底，所述鍵合層為吸光層；對所述鍵合層進行圖形化處理，使所述鍵合層的面積小于所述外延結構的面積；制作反射層，所述反射層覆蓋所述外延結構；制作貫穿所述...

本公開提供了一種發光二極管及其制作方法，屬于發光器件領域。該發光二極管包括：外延結構、第一電極和第二電極，所述第一電極位于所述外延結構的第一表面，所述第二電極位于所述外延結構的第二表面；所述第一電極包括多個間隔分布的子電極，多個所述子電...

本公開提供了一種發光器件和顯示面板，該發光器件包括：封裝層、封裝載板、LED像素器件和驅動IC；封裝載板具有第一表面和第二表面，第一表面具有第一焊點和第二焊點，第二表面具有第三焊點和第四焊點；封裝載板具有多個通孔，各第一焊點分別通過一個...

本公開提供了一種改善焊點導電性的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管的制備方法包括：提供一外延層；在所述外延層上依次形成第一光刻膠層和第二光刻膠層，所述第一光刻膠層位于所述外延層和所述第二光刻膠層之間，且所述第一...

本公開提供了一種具有復合絕緣層的發光二極管及其制備方法，屬于半導體技術領域。發光二極管包括外延層、銀鏡保護層和復合絕緣層；銀鏡保護層位于外延層的一側；復合絕緣層位于銀鏡保護層背向外延層的一側，復合絕緣層包括依次疊設的第一絕緣子層、加強子...

本公開提供了一種襯底和發光二極管，屬于光電子制造技術領域。該襯底包括基底和位于所述基底的表面的多個凸起，所述多個凸起間隔排布；所述凸起的高度為0.75μm至1.05μm，所述凸起的最大寬度為1.60μm至2.05μm，相鄰兩個所述凸起的...

本公開提供了一種用于釋放外延材料應力的襯底和發光二極管，屬于光電子制造技術領域。該襯底包括基底和位于所述基底的表面的多個凸起，所述多個凸起間隔排布；所述凸起的至少部分為氧化硅材料，所述凸起為氧化硅材料的部分至少位于所述凸起的遠離所述基底...

本公開公開了一種發光二極管及發光二極管制作方法，屬于半導體技術領域。所述發光二極管包括：依次層疊第一半導體層、多量子阱層、Mg阻擋層和第二半導體層，所述Mg阻擋層與所述第一半導體層的摻雜類型相同，所述第二半導體層為Mg摻雜層。

本公開實施例提供了一種發光二極管及其制備方法，屬于半導體技術領域。該制備方法包括：采用第一生長溫度且持續第一生長時間，形成具有第一Mg摻雜濃度的第一GaN層；采用第二生長溫度且持續第二生長時間，形成具有第二Mg摻雜濃度的第二GaN層；采...

本公開提供了一種發光二極管及其制作方法。該方法包括：在襯底上制作GaN填平層；在所述GaN填平層上制作第一GaN子層，所述第一GaN層的生長溫度低于所述GaN填平層的生長溫度；在所述第一GaN子層上制作第二GaN子層，所述第二GaN子層...

本公開提供了一種發光二極管及其制作方法。該發光二極管的制作方法包括：在襯底上形成多個間隔分布的外延結構，外延結構包括依次層疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層，多個外延結構之間具有隔離槽；制作鈍化層，鈍化層覆蓋多個外延結構和隔離槽，鈍...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。所述發光二極管包括：外延結構、第一電極、第二電極、反射層、第一電極焊盤和第二電極焊盤；所述反射層在所述第一半導體層上的投影與所述第一半導體層重合，所述第一電極焊盤和所述第二電極焊盤在所述第...