BST薄膜經(jīng)時(shí)擊穿的調(diào)控方法，屬于電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明包括下述步驟：A、將帶有BST薄膜的雙電容結(jié)構(gòu)的一個(gè)輸入電極接地；B、對(duì)另一個(gè)輸入電極施加方波偏壓。本發(fā)明可以保持BST熱釋電紅外探測(cè)器工作在較穩(wěn)定的漏電流狀態(tài)下，不會(huì)影響器件...

一種淺槽金屬氧化物半導(dǎo)體二極管，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在現(xiàn)有淺槽金屬氧化物半導(dǎo)體二極管（中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?01010519680.X）的基礎(chǔ)上，在兩個(gè)深P體區(qū)之間的N-外延層中均勻增加了若干平行于整個(gè)器件寬度方向的P型條；所述P型...

本發(fā)明公開(kāi)了一種具有背電極結(jié)構(gòu)的氮化鎵基異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，?從下至上依次主要由襯底，氮化鋁成核層，P型鋁銦鎵氮緩沖層，氮化鎵溝道層，氮化鋁插入層及鋁銦鎵氮?jiǎng)輭緦咏M成，在勢(shì)壘層上形成有源極、漏極和柵極，源極及漏極與勢(shì)壘層形成歐姆接觸，柵...

含鐵電層的GaN基增強(qiáng)型器件，涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括AlGaN/GaN/Al2O3半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)襯底，在襯底上設(shè)置有ZnO緩沖層和外延LiNbO3型鐵電薄膜層，ZnO緩沖層設(shè)置于襯底和外延LiNbO3型鐵電薄膜層之間；AlGaN...

本發(fā)明提供一種在區(qū)域類(lèi)別較多，不同區(qū)域之間特征相似情況下提高類(lèi)別標(biāo)注精度的遙感圖像自動(dòng)類(lèi)別標(biāo)注方法。基于作者-流派主題模型的遙感圖像自動(dòng)類(lèi)別標(biāo)注方法，包括步驟：一、訓(xùn)練與作者-流派主題模型生成步驟；二、遙感圖像的視覺(jué)單詞計(jì)算步驟；三、遙...

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于半監(jiān)督分類(lèi)的二維地震數(shù)據(jù)全層位追蹤方法，包括如下步驟：步驟一、查找極值點(diǎn)進(jìn)行波形擬合，并對(duì)種子點(diǎn)進(jìn)行設(shè)定；步驟二、通過(guò)基于半監(jiān)督分類(lèi)算法的特征選擇算法獲得最優(yōu)化特征參數(shù)，同時(shí)獲得對(duì)應(yīng)的聚類(lèi)效果；步驟三、再用步驟一標(biāo)示...

本發(fā)明涉及五軸聯(lián)動(dòng)數(shù)控機(jī)床的加工質(zhì)量缺陷區(qū)域計(jì)算方法，包括如下步驟：步驟1：產(chǎn)生機(jī)床銑削零件的各坐標(biāo)軸數(shù)控指令；步驟2：計(jì)算產(chǎn)生機(jī)床加工零件的剛度分布：根據(jù)步驟1中得到的機(jī)床各坐標(biāo)軸數(shù)控指令，計(jì)算機(jī)床銑削零件過(guò)程中各坐標(biāo)軸合成的剛度矩陣...

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于中心擴(kuò)散加傾角屬性的三維地震層位自動(dòng)追蹤方法，包括如下步驟：調(diào)整種子點(diǎn)位置；數(shù)據(jù)初始化準(zhǔn)備；利用種子點(diǎn)的傾角屬性確定映射點(diǎn)的位置，在映射點(diǎn)的時(shí)窗范圍內(nèi)尋找振幅極大值點(diǎn)，在每個(gè)振幅極大值點(diǎn)周?chē)∫欢尾ㄐ螖?shù)據(jù)，和種子點(diǎn)的...

本發(fā)明公開(kāi)了一種復(fù)雜地質(zhì)條件下的層速度模型構(gòu)建方法，先解決了復(fù)雜地形條件下的時(shí)間層面擬合問(wèn)題，在此基礎(chǔ)上又解決了層速度填充以及速度建模的問(wèn)題。本發(fā)明的積極效果是：成面的過(guò)程中，運(yùn)用了網(wǎng)格以及斷層上下盤(pán)的概念對(duì)數(shù)據(jù)做了預(yù)處理，并且引入了斷...

本發(fā)明公開(kāi)了一種時(shí)間分辨快響應(yīng)X射線探測(cè)器，包括外殼、陰極、陽(yáng)極、同軸輸出窗、高壓輸入連接器，所述陽(yáng)極呈筒狀，其底部采用平滑倒角的密集篩孔結(jié)構(gòu)，其外側(cè)壁貼合有耐高壓膜，耐高壓膜外套有殼體，由陽(yáng)極、耐高壓膜和殼體形成電容結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的探測(cè)...

本發(fā)明公開(kāi)了一種低距離旁瓣的調(diào)頻中斷連續(xù)波雷達(dá)該裝置使用極化相互正交的A極化天線和B極化天線，交替的發(fā)射和接收兩種極化正交的FMICW信號(hào)。同時(shí)，為了能夠交替的發(fā)射和接收這兩種極化正交的信號(hào)，又增加了功分器A3和合成器14，修改了收發(fā)端...

本發(fā)明公開(kāi)一種應(yīng)用于視覺(jué)檢測(cè)的高均勻性大功率高亮度LED光源，主要解決現(xiàn)有技術(shù)中LED發(fā)出的光線亮度不夠，以及形成的光束均勻性不高的問(wèn)題。本發(fā)明包括基板，設(shè)置于基板上的發(fā)光二極管，分別設(shè)置于發(fā)光二極管兩側(cè)的第一反射鏡和第二反射鏡，設(shè)置于...

薄膜材料倒筒靶濺射槍?zhuān)瑢儆谡婵占夹g(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明包括帶有陰極和陽(yáng)極的腔壁，腔壁內(nèi)為兩端開(kāi)口的空腔，腔壁外設(shè)置有冷卻裝置，腔壁的一個(gè)端口處設(shè)置有負(fù)離子吸收裝置，所述負(fù)離子吸收裝置位于空腔以外。本發(fā)明避免了脫落的靶材發(fā)生二次濺射，從而優(yōu)化了薄...

本發(fā)明涉及一種在基片上制備碳納米管-多層石墨復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟1：通過(guò)溶膠凝膠法配置含鐵的前驅(qū)溶液，通過(guò)旋涂的方法將前驅(qū)溶液均勻的涂布在基片上制得含鐵的前驅(qū)液薄膜并放入恒溫箱中烘干；步驟2：將步驟1中烘干后的...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種可調(diào)恒流源，包括：基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧WM單元、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管，第一電阻單元、第二電阻單元，第一放大器和第二放大器，功率晶體管和檢測(cè)電阻單元。功率晶體管...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種自適應(yīng)阻抗匹配模塊，包括：可調(diào)匹配單元和主控制單元，其特征在于，還包括，第一功率檢測(cè)器單元和第二功率檢測(cè)器單元，所述可調(diào)匹配單元包括可調(diào)匹配網(wǎng)絡(luò)和可控電源子單元。本實(shí)用新型的匹配模塊通過(guò)檢測(cè)傳輸信號(hào)的功率參數(shù)，對(duì)匹配...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種多層陶瓷天線。所述陶瓷天線包括陶瓷介質(zhì)和位于陶瓷介質(zhì)中的多層輻射導(dǎo)體帶，其特征在于，還包括第一外圍封端金屬，所述多層輻射導(dǎo)體帶共同延伸至陶瓷介質(zhì)的某一側(cè)面，所述第一外圍封端金屬對(duì)所述側(cè)面進(jìn)行封端使得多層輻射導(dǎo)體帶層間...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種多層陶瓷天線。所述多層陶瓷天線包括陶瓷介質(zhì)和位于陶瓷介質(zhì)中的多層輻射導(dǎo)體帶，其特征在于，還包括外圍封端金屬和邊緣隔離孔，所述的邊緣隔離孔將多層輻射導(dǎo)體帶的垂直交疊部分突出于陶瓷介質(zhì)表面并用于隔離相鄰的外圍封端金屬，所...

本實(shí)用新型涉及波導(dǎo)-微帶集成功率分配器及合成器。包括矩形波導(dǎo)、介質(zhì)基板、嵌入介質(zhì)基板中的公共地、以公共地對(duì)稱(chēng)并貼附在介質(zhì)基板上表面和下表面的兩個(gè)微帶探針，所述兩個(gè)微帶探針?lè)謩e與兩組微帶線阻抗變換段、兩微帶傳輸線依次連接構(gòu)成兩組平行的并以...

本實(shí)用新型涉及一種小型化的功率增益均衡器，包括從上到下依次層疊的微帶層、第一介質(zhì)層、第一金屬層、第二介質(zhì)層、第二金屬層、第三介質(zhì)層和第三金屬層；所述第一金屬化通孔穿過(guò)第一過(guò)孔與第一金屬化沉孔相接形成探針結(jié)構(gòu)，該探針結(jié)構(gòu)頂部與第一金屬連接...