本發明提供一種始終產生正確配對的判決指示信號的用于半速率時鐘數據恢復電路的bang-bang鑒相器，包括采樣電路觸發模塊、判決模塊、雙沿觸發模塊以及重新同步觸發模塊。本發明在采樣電路觸發模塊和判決模塊之間添加了一級重新同步觸發模塊。該重...

本發明公開了一種用于音頻系統中的增益自動調節電路，包括：電平比較器單元和增益衰減單元，電平比較器單元的兩個輸入端分別輸入音頻系統的輸出信號和預先設置的基準電壓，電平比較器單元對輸入的兩個信號進行比較輸出一個控制信號至增益衰減單元；增益衰...

本發明提供一種射頻功率放大裝置，包括：數字控制電路、驅動級放大器和Doherty功放；數字控制電路由耦合器、信號功率檢測電路和柵極電壓控制電路構成。數字控制電路根據信號功率的大小，調整驅動放大器和Doherty中主功放的柵極電壓，使得放...

本發明公開了一種用于D類音頻放大器中的POP噪聲抑制電路，具體包括：邏輯判斷單元、開關電容放大器、比較器單元、第一開關、第二開關、第三開關、第一電容和第二電容。本發明的抑制電路的結構簡單，易于實現，該電路可直接集成在所應用的系統芯片中，...

本發明提供一種雙模雙帶高效率Doherty功率放大器，包括：雙頻帶功率分配器模塊、雙頻帶輸入匹配模塊、主功放和峰值功放、雙頻帶輸出匹配、雙頻帶相位補償線模塊、雙頻帶阻抗逆置器和雙頻帶阻抗變換器，雙頻帶相位補償線模塊包括主功放支路的相位補...

本發明涉及集成電路技術，特別涉及一種負載自適應分段驅動電路，在降壓式穩壓電路（也稱為BUCK電路）中的應用。本發明公開了一種自適應分段驅動DC-DC變換器。本發明用并聯的m只PMOS功率管和NMOS功率管構成開關轉換電路，根據不同的負載...

本發明公開了一種H半橋驅動電路，具體包括：一電流偏置模塊、一高壓可控開關、一高壓二極管組件、一死區時間調節模塊、一電平位移模塊、一反相器、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管。本發明的H半橋驅動電路采用一高壓二極管組件來鉗位控...

本發明公開了一種寬帶寬波束雙極化偶極子天線，屬一種偶極子天線，包括天線罩板、反射板以及呈交叉固定的第一天線介質板與第二天線介質板，所述的第一天線介質板與第二天線介質板安裝在反射板上，且所述天線罩板由至少三個支撐柱支撐并置于反射板以及第一...

本發明公開了一種雙頻段可穿戴式微帶天線及其實現方法，主要解決了現有技術中的天線不能滿足人們對其小型化、便于穿戴的要求的問題。該雙頻段可穿戴式微帶天線，包括由柔性材料制作而成的介質基板，還包括設置于介質基板上表面的h型結構金屬箔片，和設置...

一種無線通信用時間反演亞波長陣列天線，屬于天線技術領域。由多個相同的天線單元層疊而成，相鄰兩個單元天線之間的間距小于1/2工作波長λ。介質基板正面的金屬貼片包括桃形輻射單元，桃形輻射單元由一個等腰三角形金屬貼片和一個半橢圓形金屬貼片構成...

本發明公開了一種印刷寬帶終端天線，主要解決了現有技術中存在的天線不能同時滿足人們對其寬頻、小型化要求的問題。該印刷寬帶終端天線，包括印刷電路板，以及設置于該印刷電路板一表面上的印制板金屬地，還包括設置于印刷電路板另一表面上的第一彎折金屬...

本發明涉及雙模基片集成波導源/負載混合耦合濾波器，包括介質基片、第一金屬層、第二金屬層和金屬化通孔陣列，第一金屬層和第二金屬層分別貼附于介質基片的上下表面，金屬化通孔陣列貫穿介質基片、第一金屬層和第二金屬層并圍成腔體，在所述腔體中心下部...

本發明涉及多層陶瓷基片集成波導濾波器，包括從下往上依次層疊的第三金屬層、第二介質基板、第二金屬層、第一介質基板和第一金屬層，所述金屬化通孔陣列貫穿第一金屬層、第一介質基板和第二金屬層后在第一介質基板的兩端開口處形成第一輸入輸出端和第二輸...

本發明公開了一種混合超薄層摻雜異質結的有機太陽能電池，包括透明襯底、透明陽極電極、空穴傳輸層、給體材料層、受體材料層、電子緩沖層和陰極電極，所述給體材料層與受體材料層之間設置有超薄層，所述超薄層由材料A和材料B混合構成。該超薄層可以有效...

本發明涉及發光二極管表面金屬亞波長嵌入式光柵結構及制備方法。位于包含襯底、n型層、發光層和p型層的LED芯片的p型層之上，其特征在于，所述金屬亞波長嵌入式光柵結構包括隔離層、納米金屬體和保護層，所述隔離層嵌入到p型層上表面呈周期性分布的...

一種具有高溫自保護功能的IGBT器件，屬于功率半導體器件技術領域。本發明是在傳統IGBT器件的P型基區（5）中靠近多晶硅柵電極（9）的溝道區（A）中引入帶有受主能級的深能級雜質（12），這些深能級雜質（12）在常溫下電離率比較低，對器件...

一種載流子儲存槽柵雙極型晶體管（FMP-CSTBT），屬于功率半導體器件技術領域。本發明在常規的CSTBT的P型基區下的N+載流子存儲層中插入若干個P+條，P+條8的頂面與P型基區2接觸、底面與N-層1接觸，且其長度方向平行于整個器件的...

一種半導體線性恒流器，屬于半導體器件技術領域。該線性恒流器包括一個MOSFET（14）、一個穩壓二極管（13）和一個限流電阻（12），三者集成到同一個芯片上。穩壓二極管的一端與MOSFET的柵極G相連，另一端與MOSFET的源極S相連；...

一種FS-IGBT器件的制備方法，屬于功率半導體器件技術領域。本發明使用襯底上進行N型雜質注入形成場截止層，然后生長外延層，制作正面圖形，然后背部減薄，背部P型集電區注入并退火，背部金屬化的方法來制作場截止型晶體管，可以使場截止層雜質充...

本發明實施例公開了一種制造鎂摻雜半導體薄膜的方法，包括：獲取基底材料；在基底材料上形成氮化鎵層；在氮化鎵層上形成鎂摻雜的鋁鎵氮層并使鋁鎵氮層中鋁的含量從靠近氮化鎵層的部分到遠離氮化鎵層的部分線性變化。本發明的實施例中，在非有意摻雜的氮化...