本發(fā)明公開了一種土壤表面粗糙度測量板通過在垂直放置的底板前面垂直均勻設置若干探針，每個探針底端套有圓帽，且底端與土壤表面接觸，并可根據土壤表面起伏上下移動，探針上段與底板色彩對比度明顯。這樣通過對土壤表面粗糙度測量板進行拍攝，然后對拍攝...

本發(fā)明涉及SiC熱裂解法制備石墨烯的系統及其方法。包括一作為真空腔體的氣煉石英管，位于真空腔體內中間位置的.SiC襯底、感應加熱石墨舟和碳氈保溫層，所述SiC襯底位于石墨舟樣品槽內，所述石墨舟位于碳氈保溫層中部，所述碳氈保溫層緊貼真空腔...

該發(fā)明屬于帶前臺輔助維修裝置的飛機維修系統，包括：含中央處理器、閃存器、隨機存儲器、顯示器、SD卡和聲卡、語音播放裝置、攝像頭、麥克風以及無線網卡的前臺輔助維修裝置；由含計算機主板、中央處理器、硬盤、內存、以太網卡、圖像處理器及顯示器、...

本發(fā)明公開了一種可實現自動軌跡修正的機器人標定方法，解決了現有技術中人工修正軌跡不僅耗時耗力，而且修正精確度不高的問題。該方法包括以下步驟：（1）通過攝像機對機器人夾具和工件進行拍攝，并對拍攝所得的圖像進行標定，得到機器人夾具和工件之間...

本實用新型公開了一種6LoWPAN網關裝置，包括第一處理單元和第二處理單元，所述第一處理單元和第二處理單元通過總線結構進行通信，所述第一處理單元用于實現IPv6協議棧和IP數據包的轉發(fā)，所述第二處理單元用于實現無線網絡的MAC層協議和轉...

本實用新型公開了一種用于功率器件的過溫保護電路，具體包括：溫度檢測模塊、關斷控制模塊、遲滯溫度設置模塊和取電模塊。本實用新型無需單獨的參考電壓源，既可以從輸入信號取電，也可以從被保護功率器件取電。檢測溫度的熱感應源是電流值與溫度成正比的...

本實用新型涉及發(fā)光二極管表面金屬周期性亞波長結構。發(fā)光二極管表面金屬周期性亞波長結構，在半導體發(fā)光二極管的P型GaN層和N型GaN層上裸露的并且未被N電極和P電極覆蓋的區(qū)域設置一層金屬周期性亞波長結構，所述金屬周期性亞波長結構從下到上依...

本實用新型公開了一種RFID電子標簽射頻前端，包括：四個射頻輸入輸出端、兩個模擬信號輸出端、一個數字信號輸入端、整流電路、解調電路和調制電路。本實用新型的射頻前端具有四個射頻輸入輸出端，采用該射頻前端的電子標簽芯片可與兩個互相獨立的標簽...

本實用新型公開了一種低壓差線性穩(wěn)壓器，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管及第一電阻單元、第二電阻單元、第三電阻單元、第四電阻單元、第五電阻單元、第一電容、第二電容和第一放大器、第二放大器。本實用新型的低...

本實用新型涉及一種一維光學掃描器，包括旋轉電機、光纖排列結構和光學鏡頭，其特征在于，所述光纖排列結構包括回轉體、定位結構和緊固件，所述定位結構位于回轉體和緊固件之間，回轉體嵌入到緊固件中將定位結構壓緊固定形成呈柱狀的光纖排列結構；所述回...

本實用新型涉及用于汽車后橋主減速器組件凸緣跳動的檢測裝置，其特征在于，包括檢測安裝模塊、止口監(jiān)測模塊、端面檢測模塊、驅動模塊、機架模塊和控制模塊；所述機架模塊用以安裝檢測安裝模塊、驅動模塊和控制模塊；所述檢測安裝模塊用以安裝止口監(jiān)測模塊...

本發(fā)明公開了一種磁諧振耦合無線能量傳輸系統，主要解決了現有技術中存在的由于能量在傳輸過程中諧振頻率不確定導致傳輸效率不高的問題。該磁諧振耦合無線能量傳輸系統，包括直流電源，還包括輸入端與直流電源相連的驅動放大器，均與驅動放大器輸出端相連...

一種基片集成波導頻率可調縫隙天線，屬于天線技術領域。包括基片集成波導，基片集成波導的金屬層（1）開矩形窗口（12），矩形窗口（12）內設置輻射金屬貼片（13），輻射金屬貼片（13）通過高阻饋線（14）穿出基片集成波導與偏置饋電金屬片（1...

本發(fā)明公開了一種基于諧振環(huán)微結構陣列的新型雙頻貼片天線，屬于通信工程領域，包括由金屬貼片層、介質基片層、金屬地平面層依次層疊為一體結構的雙面覆銅PCB板，所述金屬貼片層的數量為一層，且其上表面上刻蝕有一個用于在雙頻段保持高輻射效率和優(yōu)良...

一種具有復合柵介質結構的SiC?VDMOS器件，屬于功率半導體器件技術領域。本發(fā)明根據柵介質下不同區(qū)域的電場強度的不同和缺陷密度的不同，采用分區(qū)電場調制的思想：在高缺陷密度、低電場的溝道區(qū)采用high-k柵介質，從而避免了采用SiO2/...

一種具有深能級摻雜元素漂移區(qū)的晶閘管件，屬于半導體功率器件技術領域。本發(fā)明在傳統晶閘管的N-漂移區(qū)（6）中摻入深能級雜質元素（硫、硒、碲、金或鉑），深能級雜質元素隨著溫度升高，電離度增加，導致雜質濃度增加，從而能有效減少PNP管高溫下α...

一種載流子存儲的溝槽雙極型晶體管，屬于半導體功率器件技術領域。本發(fā)明在傳統CSTBT基礎上，在P-base區(qū)域6溝道末端用一層薄N+層結構21來取代犧牲的少量P-base區(qū)域，從而進一步提高載流子儲存層與漂移區(qū)的電子濃度，在有效減小IG...

一種變形槽柵介質的CSTBT器件，屬于半導體功率器件技術領域。本發(fā)明在傳統CSTBT器件的基礎上，改變槽內溝道區(qū)下方，即P型基區(qū)（5）下方柵介質層（7）的形狀，使溝槽底部的多晶硅柵極12被更多的柵介質層7所包圍，在基本不影響器件其他參數...

一種具有終端深能級雜質層的IGBT，屬于半導體功率器件技術領域。本發(fā)明在傳統Planar?FS-IGBT基礎上，在終端漂移區(qū)（14）注入一層深能級雜質層（15）。所述的深能級雜質層（15），隨著器件溫度升高，深能級雜質電離度升高，雜質濃...

一種具有深能級雜質注入的絕緣柵雙極性晶體管，屬于半導體功率器件技術領域。本發(fā)明在傳統Planar?FS-IGBT基礎上，在其N-漂移區(qū)（8）中注入深能級N型雜質。通過深能級雜質隨著溫度升高，電離度升高，雜質濃度上升這一特性，能有效減小I...