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        電子科技大學專利技術

        電子科技大學共有35856項專利

        • 寬溫寬頻低損耗MnZn功率鐵氧體材料,涉及電子材料技術。本發明由主成分和添加劑組成,其中,主成分按摩爾百分比,以氧化物計算:51~54mol%Fe2O3,9~13mol%ZnO,0.02~0.10mol%CoO,0.05~0.20mol...
        • 高溫超導雙面帶材及制備方法,屬于超導材料技術領域。本發明在金屬基帶的正反兩面都設置有過渡層,過渡層以外為超導層,超導層以外為保護層。本發明的有益效果是:本發明的雙面緩沖層/超導層結構,在超導帶材總厚度幾乎不變,并保證單面超導層臨界電流密...
        • 本發明提供一種適用于大規模實時數據流的查詢處理方法,根據輸入的查詢任務的FROM子句,將查詢分解為對FROM子句中各數據流的單獨查詢,合并所有數據流的單獨查詢結果并形成最終查詢結果;每個數據流的單獨查詢通過對SELECT子句以及WHER...
        • 本發明公開了一種基于用戶關聯性的資源個性化推薦方法,首先利用用戶關聯規則挖掘技術分析用戶對資源的歷史評分記錄,挖掘出目標用戶頻繁集;然后選取項集中項數最多,其次支持度最高的一個目標用戶頻繁集,用于構建目標用戶興趣相似組;接著將目標用戶興...
        • 本發明公開了一種雙基地合成孔徑雷達頻域成像處理方法,具體包括:成像系統參數初始化;計算點目標回波二維頻譜;利用參考點二維頻譜對TV-BSAR進行粗匹配聚焦;對發射站斜距進行泰勒展開,并合并殘余相位項;方位向頻率Stolt變換;距離向頻率...
        • 本發明公開了一種隔離式直流高壓檢測方法及檢測電路,以解決現有檢測方法及檢測電路不具有良好電氣隔離特性、結構復雜和生產成本高的問題。本發明隔離式直流高壓檢測方法及檢測電路,采用電阻分壓電路、光電耦合器以及對檢測信號進行調理的信號調理電路組...
        • 本發明公開一種實現圓柱體表面受光均勻的LED照明裝置,解決現有技術因圓柱體表面受光不均導致最后圓柱體成像后無法對其表面存在的缺陷進行精確檢測的問題。該照明裝置,包括由主光源蓋和副光源蓋組成的內部為空心穹頂型結構且兩側設有通孔的盒體,與該...
        • 本發明涉及草魚白細胞介素10基因和蛋白及其重組表達方法。本發明提供了草魚白細胞介素10基因序列和該序列編碼的草魚白細胞介素10蛋白序列,并提出草魚白細胞介素10蛋白的原核重組表達方法,利用同源克隆技術得到草魚白細胞介素10基因的cDNA...
        • 低成本GaN外延薄膜的制備方法,屬于光電薄膜材料制備技術領域,本發明包括下述步驟:(1)無水鎵源前驅液制備:將乙酰丙酮鎵粉末溶解在乙酸和丙酸的混合溶劑中,Ga離子濃度為0.1-0.4mol/l,溶解過程中加熱、攪拌;然后加入體積為混合溶...
        • 較高磁導率寬溫低損耗MnZn鐵氧體材料,由主成分和添加劑組成,其中,主成分按摩爾百分比,以氧化物計算:51~54mol%Fe2O3,9~13mol%ZnO,0.1~0.7mol%SnO2,余量為MnO;以預燒反應后的主成分的質量為參照,...
        • 一種封閉式頻率可調諧振式微波反應腔,屬于微波能應用技術領域。包括外導體(1)、內導體(2)、封閉蓋(3)和饋電同軸(4);外導體(1)為一圓柱金屬腔體,內導體(2)穿過底孔(11)與外導體(1)保持電接觸;封閉蓋(3)與外導體(1)之間...
        • 本發明公開了一種可級聯的多通道DDS信號發生器,其選擇的采樣時鐘通過采樣時鐘分配模塊分n+1路,其中n路作為采樣時鐘分別輸入n個通道中同步數模轉換器,剩下的一路送入數據時鐘產生模塊進行分頻,產生內部數據時鐘,選擇內部數據時鐘作為數據時鐘...
        • 本發明涉及電力電子技術領域,公開了一種開關電源的輔助電源,其共有兩種工作模式即啟動模式和正常工作模式。上電的瞬間工作于啟動模式,即由輸入的高壓直流電源經過一定的限流后供給控制及驅動部分工作;當控制及驅動部分正常工作后,功率變壓器的便產生...
        • 本發明公開了一種電荷泵電路,具體包括:啟動單元、閾值基準單元、電流鏡單元和運算放大器,具體連接關系是:所述啟動單元為閾值基準單元和電流鏡單元提供啟動電壓,所述運算放大器的輸出端分別與閾值基準單元的輸入端和電流鏡單元的第一輸入端相連;所述...
        • 一種雙柵功率MOSFET器件,屬于半導體功率器件技術領域。本發明在普通雙柵LDMOS器件的基礎上,通過將與漏極金屬相連的漏極接觸區向有源層下方延伸,形成縱向漏極接觸區(12a),并在有源層和襯底之間引入一層與縱向漏極接觸區(12a)下端...
        • 本發明公開了一種柵邊緣凹槽型源場板結構的高電子遷移率晶體管(HEMT),屬于半導體器件領域。所述高電子遷移率晶體管包括襯底層、緩沖層、勢壘層、源極、柵極、漏極、鈍化層和源場板;還包括柵漏區凹槽,所述柵漏區凹槽是在柵漏區沿柵極邊緣、而在勢...
        • 一種能夠有效防止電荷失衡的超結VDMOS器件,屬功率半導體器件領域。本發明在常規超結VDMOS的超結結構中與外延區(3)導電類型相反的柱區(4)中摻入深能級雜質(對N溝道器件,摻入施主雜質S、Se或Te;對于P溝道器件,摻入受主雜質In...
        • 本發明公開了一種SAR圖像目標識別方法,本發明的方法利用稀疏表示理論將目標數據表示為訓練樣本的線性組合,通過求解最優化問題得到了具有可區分能力的近似非負稀疏系數,然后基于各類別系數和的大小確定樣本的類別。本發明的方法訓練樣本系數值的大小...
        • 本發明提供一種適用于大規模實時數據流的查詢處理方法,根據輸入的查詢任務的FROM子句,將查詢分解為對FROM子句中各數據流的單獨查詢,合并所有數據流的單獨查詢結果并形成最終查詢結果;每個數據流的單獨查詢通過對SELECT子句以及WHER...
        • 該發明屬于嵌入式瀏覽器的JavaScript引擎動態編譯及執行方法,包括:組合式緩沖區的建立及其擴展,腳本熱點及編譯抽象語法樹,掃描抽象語法樹及字節碼、目標碼的編譯,腳本執行及熱點區域的確定、編譯。該發明在嵌入式瀏覽器的JavaScri...
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