本發明公開了一種豎直平板電容式氣體傳感器，包括絕緣基板，絕緣基板上沉積有平面叉指電極，平面叉指電極上設置有豎直的N個電極板，N≥2，導電平板表面上附著有氣敏薄膜，電極板上設置有絕緣頂蓋，其中，①導電平板分別與相應的平面叉指電極接觸；②導...

本發明實施例公開了一種紅外熱像儀的校正裝置，包括：第一驅動裝置；具有第一溫度的第一黑體擋片，連接到第一驅動裝置的輸出端；第二驅動裝置；具有第二溫度的第二黑體擋片，連接到第二驅動裝置的輸出端；控制器，連接到第一驅動裝置和第二驅動裝置，并控...

一種雙酚A型聚芳硫醚醚腈樹脂及其制備方法，屬于高分子材料技術領域。本發明以2,6-二氯苯甲腈、硫化鈉和雙酚A為原料，以N-甲基吡咯烷酮為溶劑，在催化劑碳酸鉀和脫水劑甲苯作用下于反應釜中常壓完成反應。反應溶液經沉淀劑沉淀后，用粉碎機將沉淀...

本發明屬于高分子材料技術領域，特別涉及一種聚芳醚腈樹脂及其工業化合成方法。聚芳醚腈樹脂，其結構單元為：中的一種，且其結晶度在28～38%。本發明所制備的聚芳醚腈樹脂純度高，結晶度高(結晶度為28～38%)，其玻璃化轉變溫度在150～18...

本實用新型涉及一種測量加速度的裝置，具體涉及一種電容式加速度傳感器，其結構由四根懸臂梁支撐的質量塊和框架組成。框架主要起到支撐、保護的作用，質量塊、懸臂梁組成了加速度傳感器的敏感結構。本實用新型的特點是在中心質量塊上開一些陣列排布的形狀...

本實用新型公開一種高靈敏度光纖光柵應變傳感器。端接尾纖的光纖光柵兩端用粘結劑固定在金屬片狀結構中央區域，端接尾纖的光纖光柵兩端同時套接松套管和鎧裝光纜，鎧裝光纜從金屬片狀結構兩端垂直圓孔穿過，同時兩片壓塊與金屬片狀結構用螺釘連接，將貫穿...

本發明為后備式交流電源智能無縫切換系統，解決已有系統成本高，切換的快速性和可靠性不合要求的問題。負載分別通過第一、二防倒灌切換單元與主電源連接，分別通過第三、四防倒灌切換單元與后備電源連接，第一、三防倒灌切換單元相連接，第二、四防倒灌切...

一種抗單粒子輻照的超結VDMOS器件，屬于功率半導體器件技術領域。本發明在傳統超結VDMOS器件的超結結構中第二導電類型摻雜半導體柱區（4）的下方，引入一層二氧化硅介質層（12）。與傳統超結VDMOS結構相比，通過二氧化硅介質層（12）...

本發明公開了一種基于可視化編輯的高級材質合成系統與方法，涉及可視化編輯與合成領域，包括以下功能模塊：主接口模塊、表達式庫模塊、屬性模塊、GPU著色器生成模塊和材質合成模塊；主接口模塊用于定義光照方程各分量接口、法線接口、透明接口、透明遮...

本發明公開了一種在Matlab下使用偏二乘回歸方法對癌癥病人血清的光譜學檢測數據進行預測的方法，包括開發光譜學檢測數據的批量輸入工具程序，開發自動轉化為ASCII文件工具程序，建立數據優化模型的過程，建立偏最小二乘法回歸模型的過程以及實...

本發明涉及雷達通信技術領域，本發明公開了一種脈沖測速雷達，包括第一光纖延時器、第一光/電轉換裝置、雙工裝置、放大器、相參處理器、天線；所述第一光纖延時器通過第一光/電轉換裝置連接相參處理器，所述第一光纖延時器用于產生延遲脈沖信號；所述雙...

本項目開展了用直徑為7μm的碳纖維修飾微電極同時測定多巴胺和腎上腺素的研究，發現L-谷氨酸修飾的碳纖維電極對多巴胺和腎上腺素的電氧化還原有顯著的催化作用，在pH＝6.0的磷酸鹽緩沖溶液中，用陰極差分脈沖伏安法對多巴胺和腎上腺素的混合溶液...

本發明公開了一種穿孔的平板電容式氣體傳感器，包括硅基板、硅頂蓋、上電極薄膜、下電極薄膜、氣敏介質。其特征在于：①硅基板上設有微阱，下電極薄膜位于微阱底部，上電極薄膜附著在硅頂蓋上并懸于微阱的上方。電極薄膜彼此不接觸，構成平板電容結構；②...

本發明公開了一種獲取家庭基站ABS配置模式的方法，通過MeNB指示向MeNB上報的寬帶CQI值較小的MUE在可能被所有ABS配置模式中的ABS子幀保護的資源上做信道質量指示測量，利用在被ABS子幀保護的資源上所做的信道質量指示測量反饋的...

本發明公開了一種無線傳感器網絡中基于圖論的分布式事件域的檢測方法，基于事件發生的區域中的鄰近的無線傳感器在空間上有一個統計的相關性這一事實，利用傳感器之間的空間上的相關性把傳感器建模成一個圖形，然后利用一個正則項進行優化，提高檢測的準確...

本發明公開了一種開關電容共模反饋結構，它屬于模擬集成電路技術，特別涉及一種能提高全差分運算放大器輸出擺幅，減小共模電壓建立時間，提高共模電壓精度的開關電容共模反饋結構。該結構包括：一共模檢測開關電容電路和一運算放大器電路。本發明的共模檢...

本發明公開了一種自適應恒定導通時間控制電路，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第一運算放大器、第一比較器、第一容抗單元、第一電阻單元和開關單元。本發明的自適應恒定導通時間控制電路克服了傳統Cot控制電路的工作頻率隨輸...

本發明公開了一種用于電壓調整器中的軟啟動電路，具體包括：第一偏置電流源、第一電容、開關裝置、第二偏置電流源、第一電阻和第一運算放大器，第二偏置電流源接于外部電源和第一電阻的第一端子的之間，第一電阻的第一端子作為所述軟啟動電路的輸出端，第...

本發明公開了一種橫向SOI功率器件，包括半導體襯底，絕緣介質層和半導體有源層，在半導體有源層表面具有體區和漏區，體區和漏區之間有間距，形成器件的漂移區，在體區表面依次形成體接觸區和源區，在絕緣介質層上設置有硅窗口，體區的底部在硅窗口中或...

本發明公開了一種槽型半導體功率器件的制造方法，涉及半導體功率器件技術領域，通過刻蝕槽、采用各向異性外延技術生長填充槽形成第二半導體區、在第二半導體區頂部局部刻蝕形成窄且高濃度的n或p柱、填充絕緣介質以及平坦化，之后采用外延橫向過生長形成...