使用高介電常數(shù)槽結(jié)構(gòu)的低比導(dǎo)通電阻的縱向功率器件，涉及半導(dǎo)體功率器件，本發(fā)明包括漂移區(qū)、硅襯底、柵極、溝道區(qū)、歐姆接觸重?fù)诫s區(qū)、源極和絕緣柵極介質(zhì)，其特征在于，漂移區(qū)、硅襯底、源極為第一種導(dǎo)電類型，溝道區(qū)、歐姆接觸重?fù)诫s區(qū)為第二種導(dǎo)電類...

一種集成了采樣電阻的電流檢測LDMOS器件，屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域。包括集成于同一半導(dǎo)體芯片的主功率LDMOS器件（100）、電流檢測LDMOS器件（101）和采樣電阻（102）。通過控制主功率LDMOS器件和電流檢測LDMOS器件...

本發(fā)明公開了一種啟動電路及集成該電路的供電系統(tǒng)，本發(fā)明的啟動電路在系統(tǒng)上電時產(chǎn)生一個低壓的電源給系統(tǒng)內(nèi)部的基準(zhǔn)電壓源，從而避免基準(zhǔn)電壓源采用高壓器件，并且該啟動電路在系統(tǒng)正常工作后，啟動電路能夠完全關(guān)閉，不消耗額外的功耗；集成了本發(fā)明的...

本發(fā)明公開了一種電壓緩沖器電路以及集成該電路的LDO，緩沖器電路包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一電阻單元、第二電阻單元和一電容元件、一電流源。集成了該緩沖器電路的LDO，在推高功率管柵極寄生極點確保電路...

本發(fā)明公開了一種正相及反相全光波長轉(zhuǎn)換裝置，它利用高偏振敏感半導(dǎo)體光放大器的交叉增益調(diào)制和交叉偏振調(diào)制效應(yīng)實現(xiàn)全光波長轉(zhuǎn)換，通過偏振控制器調(diào)節(jié)探測光和泵浦光的偏振態(tài)，而不是傳統(tǒng)的在半導(dǎo)體光放大器后面加偏振分束器或延遲干涉儀的方式，實現(xiàn)了...

本發(fā)明涉及一種光脈沖產(chǎn)生方法及裝置。本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)光調(diào)制器的缺點，公開了一種利用直流光產(chǎn)生光脈沖的方法及裝置，用直流光產(chǎn)生光脈沖。本發(fā)明技術(shù)方案的特點是利用電脈沖控制開關(guān)型光放大器的開啟和關(guān)閉，對輸入的直流光進行調(diào)制，在開關(guān)型光放大...

本發(fā)明公開了一種固定發(fā)射站雙基地前視合成孔徑雷達(dá)成像方法，具體在得到目標(biāo)回波后，使用一階Keystone變換校正ST-BFSAR距離徙動的二維空變，該操作同時將慢時間零時刻時具有相同雙基距離和的目標(biāo)搬移到同一距離門；在完成距離徙動校正后...

本發(fā)明公開了一種過零檢測電路，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管以及第一NPN管、第二NPN管和第一電阻、...

本發(fā)明實施例公開了一種氣體檢測裝置，包括第一閥門、第二閥門、氣體富集器、參比探測器陣列、測試探測器陣列、氣泵和控制器，其中：第一閥門和氣體富集器串聯(lián)，形成第一氣體支路；第二閥門形成第二氣體支路，第二氣體支路與第一氣體支路并聯(lián)；參比探測器...

具有彎管氣室的高精度紅外氣體傳感器，涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括光腔氣室、光源、光源端封閉裝置、探測器、探測器端封閉裝置，所述光腔氣室[6]為彎管氣室。本發(fā)明增加了有效吸收光程長度，進而提高了測量精度，使熱釋電探測器接收到的紅外光...

本發(fā)明公開了一種紅外探測器集成光學(xué)封裝結(jié)構(gòu)，屬于紅外探測器領(lǐng)域，它包括封裝殼體、固定在封裝殼體上的光學(xué)窗口，封裝殼體內(nèi)設(shè)置有制冷機構(gòu)和紅外探測器芯片，所述紅外探測芯片上連接有信號引出端子，信號引出端子一端穿出封裝殼體用于與外圍電路連接，...

一種聚芳醚腈和羰基鐵粉復(fù)合磁性材料及其制備方法，屬于磁性高分子材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以聚芳醚腈（PEN）為有機基體，以羰基鐵粉（Fe(CO)5）為無機填料，經(jīng)共混、造粒得到復(fù)合磁性材料。首先對羰基鐵粉進行表面改性，在羰基鐵粉表面生成一層鄰...

一種微波陶瓷介質(zhì)材料及其制備方法，屬于電子材料技術(shù)領(lǐng)域。材料包含晶相結(jié)構(gòu)和摻雜劑；主晶相為BCZN(BaCo1/3Nb2/3O3-BaZn1/3Nb2/3O3)，副晶相Ba5Nb4O9伴隨B′位和B″位原子非化學(xué)計量比和原料摻雜產(chǎn)生。主...

一種導(dǎo)電聚合物復(fù)合薄膜的制備方法，屬于電子功能材料技術(shù)領(lǐng)域。首先在基底上吸附一層聚二甲基二烯丙基氯化銨薄膜，再在聚二甲基二烯丙基氯化銨薄膜上靜電吸附一層聚乙撐二氧噻吩（PEDOT）或聚乙撐二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸鹽（PEDOT:PSS）薄...

本發(fā)明公開了一種在線容錯電動汽車交流感應(yīng)電機驅(qū)動控制系統(tǒng)，在現(xiàn)有驅(qū)動控制系統(tǒng)基礎(chǔ)上添加了速度估計模塊和在線容錯控制模塊，本發(fā)明采用一種后驗概率的容錯控制方法：在發(fā)生傳感器故障時通過改變采集轉(zhuǎn)速與估計轉(zhuǎn)速的權(quán)值，即后驗概率值，讓反饋轉(zhuǎn)速值...

本發(fā)明公開了一種基于MRAS和模糊控制的永磁同步電機控制方法，采用模型參考自適應(yīng)方法（MRAS）對永磁同步電機的轉(zhuǎn)子速度進行估計，解決了由于安裝機械傳感器所產(chǎn)生的問題，提高了控制系統(tǒng)的可靠性并降低控制系統(tǒng)成本。同時，在永磁同步電機低轉(zhuǎn)速...

本發(fā)明涉及一種基于亞鐵磁體的可調(diào)諧雙頻負(fù)折射率媒質(zhì)及制備方法，屬于微波電磁材料技術(shù)領(lǐng)域。所述媒質(zhì)可分別由刻蝕有SRR和金屬線結(jié)構(gòu)、Ω狀結(jié)構(gòu)、截斷金屬短線和金屬線的介質(zhì)板與亞鐵磁體層疊構(gòu)成。本發(fā)明所構(gòu)造的雙頻負(fù)折射率媒質(zhì)具有智能可調(diào)諧特性...

本發(fā)明實施例公開了一種制造有機電解質(zhì)電解電容器的方法，包括：將第一金屬粒子和第一金屬絲壓制成第一金屬粒子塊；將第一金屬粒子塊在第一溫度下燒結(jié)；在燒結(jié)后的第一金屬粒子塊表面形成介電材料層；在介電材料層表面形成導(dǎo)電聚合物復(fù)合納米材料層；在復(fù)...

本發(fā)明提供一種基于圖像紋理的圖像快速去霧方法，包括以下步驟：步驟一、估計輸入圖像I(x)的大氣環(huán)境光；步驟二、估計輸入圖像I(x)的傳輸矩陣t(x)：步驟三、根據(jù)大氣環(huán)境光與傳輸矩陣t(x)恢復(fù)出去霧后的圖像。步驟二中依據(jù)輸入圖像的邊緣...

本發(fā)明公開了一種涉及光電技術(shù)領(lǐng)域的開關(guān)窗口寬度可調(diào)的全光光開關(guān)，利用半導(dǎo)體光放大器SOA的交叉增益調(diào)制XPM效應(yīng)，通過控制光調(diào)節(jié)非線性環(huán)路鏡NOLM中的光纖延遲線ODL的延時時間來改變半導(dǎo)體光放大器SOA在NOLM中的偏移量，解決了光開...