本實用新型屬超導電子學領域，由超導天線、輻射窗及冷卻部分等組成。主要由于輻射窗采用了新的泡沫材料和新的雙層結構，并在其雙層結構之間通有流動的高純保護氣，防止了結霜和損壞，使之具有優良的電磁透明性，對電磁波的衰減小于０. ２ｄＢ。本實用新...

一種微波炒鍋，屬于家用電器領域，特別涉及家用微波加熱式裝置。本實用新型提供一種爐門位于整個微波爐上方的微波炒鍋，所述爐門具有普通微波爐爐門結構；爐門通過鉸鏈與微波爐相連，爐門打開方式可以是自右向左，也可以是自前向后，也可以是自左向右；所...

本發明涉及一種長距離管線安全監測的光纖分布式監測方法及裝置。利用激光器、２×２耦合器以及與長距離管線并行鋪設的兩條光纖構成光纖薩格納克干涉儀，通過振動現象造成干涉信號獲知入侵或泄漏事件；當振動同時作用兩條光纖的情況時，在一條光路的出射端...

本發明提供一種油氣井地面無線測試系統和方法，系統由Ｎ臺無線采集器、多臺無線中繼器、一臺集中接收器和一臺控制終端四部分組成。其中各臺無線采集器與無線中繼器之間、以及無線中繼器與集中接收器之間由無線電連接，構成多跳的樹形網絡拓撲結構，集中接...

本發明給出了一類新型有機電子晶體材料，它采用鄰苯二甲酸酐與苯胺或取代苯胺合成苯基或取代苯基鄰苯二甲酰亞胺化合物，其取代苯胺是用烴基、鹵族元素來取代苯胺中苯環里的一個或幾個氫（Ｈ）元素后生成的。將該類化合物經晶體生長和極化處理后就可制成高...

一種Ｃ－軸擇優取向單晶ＺｎＯ六棱微管的制備方法，其特征是采用下面的步驟：　　　　步驟１、先合成前驅物，將前驅物加去離子水配置成濃度為０．３～０．５Ｍ（每升溶液中溶劑的摩爾含量）的溶液；　　　　步驟２、將配好的溶液加入內襯耐酸堿并能承受一...

本發明提供了一種鐵電材料鋯鈦酸鉛納米薄膜結晶取向生長的晶化方法，它是通過射頻濺射在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ的襯底上室溫沉積得到非晶ＰＺＴ薄膜，采用傳統熱處理和快速熱處理兩種晶化工藝相結合的方法在一定的氧氣氛環境下使非晶薄膜結晶，...

無鉛镥鉍石榴石薄膜制備方法，屬于電子材料領域，特別涉及石榴石薄膜材料的液相外延制備技術。本發明包括以下步驟：步驟一熔體制備：稱量高純氧化物原料Ｌｕ↓［２］Ｏ↓［３］和Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］，研磨，混和后熔化并放置，然后降低溫度至生長溫度...

鈰釔共摻鈦酸鍶鋇納米材料及其制備方法，屬于無機電子功能材料技術領域。鈰釔共摻鈦酸鍶鋇納米材料，主體成分為Ｂａ↓［ｘ］Ｓｒ↓［１－ｘ］ＴｉＯ↓［３］（０．２≤ｘ≤０．８），部分Ｂａ↑［２＋］離子和Ｓｒ↑［２＋］離子被Ｙ↑［３＋］離子替位取...

本發明屬于印制電路板制造技術領域。本發明提供了一種經濟，實用，快速、高效和易于再生的印制電路蝕刻液。該蝕刻液的配方為：ＨＮＯ↓［３］（５％～１５％）、Ｈ↓［２］ＳＯ↓［４］（８％～２０％）、Ｎａ↓［２］ＳＯ↓［４］（１％～６％）、添加劑...

本實用新型是關于平面磁控濺射靶，應用于高速，均勻淀積薄膜的磁控濺射。它是由磁體、磁隙、磁體密封罩和冷卻系統組成。靶內磁體采用了傾斜極面、并與磁隙相應配合，組成磁路。這樣增加了磁場平行分量、減小磁通外漏、具有靶的刻蝕均勻度好，刻蝕面積大、...

本實用新型公開了一種用于沉積制備薄膜的裝置，它是由導軌、轉軸、圓形基片夾具組成，導軌與轉軸相連，導軌中心線與轉軸軸線有一夾角，圓形基片夾具置于導軌凹槽中，在凹槽中，圓形基片夾具和導軌有一個間隙，該裝置實際上是以單軸帶動實現基片的準雙軸的...

本發明介紹了一種用于薄膜制造技術的磁控濺射鍍膜源。它的構成如下：兩個磁極對稱的外部環形永磁體和一個內部環形永磁體形成磁控濺射磁場，在內部永磁體的外圍裝有一個水冷濺射陰極，并在它的上面安放著靶材，在外部永磁體和水冷濺射陰極之間裝有一個陰極...

本發明為低電阻溫度系統錳銅薄膜的制備方法。采用磁控濺射或射頻濺射法沉積錳銅薄膜，通過對基板溫度、錳銅靶的溫度，以及熱處理溫度的控制，可使制備的錳銅薄膜的電阻溫度系統達到±１０×１０↑［－６］／℃，達到了與塊狀材料相當的水平。

本發明涉及有機材料真空蒸發鍍膜所用的熱蒸發源，它是一個金屬容器，其內部設置有片狀或柱狀金屬導熱體。有機材料放置在金屬容器內，利用金屬容器器壁和金屬片或金屬柱的熱傳導實現對有機材料的均勻加熱。從而解決蒸發過程中有機材料分解及材料粉末噴射出...

本發明提供了一種用于高溫下薄膜沉積的面內旋轉裝置，它由常規傳動部分和面內旋轉部分構成，面內旋轉部分有軸向支撐盤９、徑向支撐盤１０通過調距螺桿１１固定在一起，其間距可通過調距螺桿１１調節，大齒輪６分別與軸向支撐盤９和徑向支撐盤１０通過滾珠...

一種基于轉速調制的提高薄膜厚度均勻性的方法，其特征是采用下面的步驟：　　　　第一步：根據成膜方法制備大面積薄膜膜厚分布的特點，確定基片處于不同位置時薄膜沉積速率分布規律；所述的成膜方法可以是蒸發、濺射、脈沖激光沉積等；所述的基片處于不同...

一種平面磁控濺射－多工位鍍膜裝置，它包括：Ｍ（Ｍ為自然數）個平面磁控濺射靶（１４）、Ｎ（Ｎ為自然數）工件夾（１５）、加熱器（２８）、充氣孔（２９）、真空鍍膜室（３０）、真空抽氣組（３２），其特征是它還包括：轉盤（１６）、連接桿（１７）、...

一種雙倒筒靶結合基片雙軸旋轉的鍍膜裝置，包括：轉動驅動軸１、基片導軌２以及基片３，圓筒形靶材９，真空腔體１６，由轉動驅動軸１、基片導軌２以及基片３構成雙軸旋轉機構，其特征是它還包括：圓筒形靶材１０、圓筒形靶材１０位于圓筒形靶材９相對應的...

本發明的目的是提供一種確定“一種平面磁控濺射－多工位鍍膜裝置”（專利申請號為：２００３１０１１０８４６．２）的最優自轉與公轉轉速比的方法，它是通過先求出靶上方的膜厚分布Ｄ（ｘ，ｙ），利用線積分得到這種結構的裝置的膜厚分布Ｍ，然后確定均值...