鐵電薄膜的化學液相交替沉積方法，涉及一種鐵電薄膜沉積技術。本發明在基底材料上交替涂覆前驅體溶液，利用層間合成反應制備鐵電薄膜。本發明的有益效果是，因為每次旋涂得到薄層很薄，在納米級，并且第一個薄層熱處理后得到的晶粒粒徑很小，只有十幾個納...

一種旋轉磁場平面靶磁控濺射裝置，屬于電子機械技術領域，特別涉及磁控濺射鍍膜裝置。主要包括基片托盤１、靶座２、靶材３和真空腔體８，基片托盤１、靶座２和靶材３位于真空腔體８內，基片托盤１位于靶座２和靶材３的上方，靶材３安裝于靶座２上；其特征...

一種用于制備氧化鋅薄膜的有機鋅源及其制備方法，屬于化學材料合成技術領域。所述有機鋅源的主要成分為一種分子式為Ｚｎ↓［４］（ＯＨ）↓［２］（Ｏ↓［２］ＣＣＨ↓［３］）↓［６］.２Ｈ↓［２］Ｏ的有機醋酸鋅類化合物，其中可以含有少量的ＺｎＯ其...

本發明提出了一種具有應力限制層的位移型鐵電超晶格薄膜材料及其制備方法，該種材料結構上包括基片、緩沖層、位移型鐵電超晶格薄膜和金屬電極，與現有技術不同的是，該種材料在位移型鐵電超晶格薄膜和金屬電極之間還有一層應力限制層，應力限制層選用與位...

一種雙面超導帶材緩沖層的連續制備方法，屬于超導材料技術領域，特別涉及超導帶材的制備方法。本發明使用一種帶有上、下兩個轉盤的對靶磁控濺射裝置，所述濺射裝置的上轉盤８和下轉盤１位于對靶４中心連線的垂直平分線的上下，且分別由一個步進電機控制；...

一種鋯鈦酸鉛鐵電薄膜材料的制備方法，屬于電子材料技術領域，涉及氧化物電極與ＰＺＴ薄膜生長取向的薄膜電容的制備。首先采用激光蒸發沉積法在ＭｇＯ（１００）基片上沉積ＬＮＯ底電極；然后采用射頻磁控濺射法在ＬＮＯ底電極薄膜上沉積ＰＺＴ鐵電薄膜；...

薄膜沉積裝置，涉及一種薄膜沉積設備，特別是一種沉積腔內溫度可調、基片承放臺種類可換的大面積薄膜化學氣相沉積設備，屬于薄膜材料領域。本發明提供一種滿足根據不同薄膜的生長要求、構造簡單的薄膜沉積裝置。本發明包括：至少兩個加熱裝置，用于對沉積...

一種金屬氧化物納米反陣列薄膜的制備方法，屬于材料技術領域，涉及一種利用納米膠體球刻蝕技術制備納米金屬氧化物薄膜的方法。將一定尺寸的納米高分子膠體球分散在基片上形成納米球模板，利用氧環境下的磁控反應濺射工藝在納米球模板上沉積金屬氧化物薄膜...

本發明公開了一種鈦酸鍶鋇薄膜材料的制備方法，該方法采用直流磁控濺射法制備Ｐｔ／Ｔｉ底電極，采用Ｂａ↓［ｘ］Ｓｒ↓［１－ｘ］ＴｉＯ↓［３］陶瓷靶材及射頻磁控濺射設備，在較低功率下預濺射后，在正常工藝條件下濺射ＢＳＴ薄膜，然后在Ｏ↓［２］氣...

本發明公開了一種提高膜厚均勻性的離軸濺射控制方法，系用圓形平面靶２濺射薄膜，基板１與靶２偏心放置，兩者中的任意一個繞其中心軸自轉，薄膜的厚度均勻性由靶基距ｈ和偏心距Ｄ調節，當刻蝕環３的斷面為Ｕ形或近似于矩形，并且濺射時氣壓小于５Ｐａ時，...

一種氧化釩薄膜的制備方法，其特征是依次包括以下步驟：　　　?。保?、準備襯底基片，所準備的襯底基片需要表面清潔；　　　　２）、采用反應離子濺射鍍膜工藝制備氧化釩薄膜，具體工藝條件為：　　　　靶材：純金屬釩；本底真空度：＜１０↑［－３］Ｐａ...

釔鐵石榴石薄膜材料制備方法，涉及電子材料領域，本發明包括以下步驟：１）清洗基片表面；２）真空環境下在基片上濺射薄膜；３）微波退火薄膜材料。本發明的有益效果是，采用本發明的方法制備的材料具有結構致密、介電常數大、介電損耗耗小的優點，是應用...

一種降低尖晶石鐵氧體薄膜材料退火溫度的制備方法，屬于信息材料技術領域。本發明在基片上制備尖晶石結構鐵氧體薄膜之前，先在基片上制備一層Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］緩沖層薄膜，在對尖晶石結構鐵氧體薄膜進行退火晶化處理時，利用Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］...

一種高溫加熱的真空蒸發鍍膜裝置，屬于電子機械技術領域，本發明包括鐘罩、基片夾和設置在基座上的蒸發室，所述蒸發室內設置有加熱裝置，所述基片夾、蒸發室和加熱裝置為至少兩組；各基片夾安裝在基片夾基座上；還包括驅動基片夾基座與基座相對升降、旋轉...

本發明公開了一種氮化鋁壓電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟①：清潔基片，以鋁作為靶材；步驟②：將基片送入磁控濺射機；步驟③：使用射頻磁控濺射方法沉積具有壓應力或者張應力的氮化鋁多晶薄膜；步驟④：使用射頻磁控濺射方法在步驟③...

本發明提供一種大塊釓基復合非晶磁致冷材料及其制備方法，屬于金屬材料技術領域。大塊釓基復合非晶磁致冷材料的化學通式為：Ｇｄ↓［６０］Ｃｏ↓［２６］Ａｌ↓［１４－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］，其中，０＜ｘ≤１０。其主體材料為由Ｇｄ、Ｃｏ、Ａｌ和Ｇｅ熔融...

本發明提供一種大塊稀土釓基復合非晶材料及其制備方法，屬于金屬材料技術領域。本發明所述大塊稀土釓基復合非晶材料的化學通式為：Ｇｄ↓［５５］Ｃｏ↓［１５］Ａｌ↓［３０－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］，其中，０＜ｘ≤１０。其主體材料為由Ｇｄ、Ｃｏ、Ａｌ和Ｇ...

本新型公開一種連續式微波焙燒礦物設備，它是由多臺微波焙燒爐串聯后組成的系統構成，每個微波焙燒爐由微波功率源、微波傳輸系統、微波焙燒爐體組成。微波焙燒爐體由爐腔、爐門５、混合抗流器３、波導法蘭６、抽風口７、滾軸１１、保溫隔熱層１２和機架９...

本發明公開一種微波預處理包裹型復合鉑鈀礦技術，它是將大功率微波能通過由大功率環行器、銷釘調配器、波導組成的微波傳輸系統對爐體內的包裹型復合鉑鈀礦加熱處理，改善礦物后續浸出性能，再采用傳統的濕法浸出、分離回收鉑鈀等貴金屬。采用本發明所公開...

一種解旋高分子量全基因組超螺旋結構的方法，屬于生物基因技術領域，特別涉及高分子量全基因組超螺旋結構的解旋方法。本發明實質上是對Ｚｏｌｌｉｎｇｅｒ等人報道的核酸電鏡鋪展技術進行了改進：①將鋪展液中的ＳＬＳ濃度提高５倍；②將細胞色素Ｃ濃度降...