本發明公開了一種真空密閉腔體拉桿調節裝置，涉及低溫密閉系統技術領域，該裝置包括安裝殼體、密封殼體、調節機構、密封隔離組件以及懸掛固定組件。該真空密閉腔體拉桿調節裝置通過驅動組件驅動調節螺桿動作，無需破壞真空環境即可實現對真空側部件的調節...

本發明公開一種實現緊湊型脈沖中子源的方法。所述方法是使離子源部件的真空上蓋板處于懸浮電位，并對所述真空上蓋板施加2KV的脈沖電壓。本發明的脈沖式緊湊型氘氘中子發生器裝置將離子源部件進行高壓懸浮隔離，并通過對其施加脈沖電壓，直接控制離子束...

本發明提出一種輕量化復合超導磁體及其制作方法，屬于超導磁體技術領域，該輕量化復合超導磁體包含由不同超導材料同骨架繞制的螺線管磁體線圈，低電阻接頭，磁體線圈電流引線；本磁體不僅能夠在液氦浸泡條件下穩定運行，同時兼備傳導冷卻方式條件下的穩定...

本發明涉及微表情識別技術領域，尤其涉及基于運動放大和分層Transformer的微表情識別方法。其技術方案包括以下步驟：對微表情視頻序列中的起始幀和峰值幀進行運動放大處理，得到放大后的峰值幀；基于RAFT光流估計方法，計算所述起始幀與所...

本發明一種無需超薄制樣高硬度半導體的內部納米級無損檢測方法，屬于半導體納米級精度成像領域，主要解決半導體材料本身硬難以進行超薄制樣，內部納米級缺陷難以進行無損檢測的問題。利用納米級精度的原子力顯微鏡進行半導體表面進行檢測，在原子力的探針...

本發明提供一種半導體微缺陷的太赫茲近場檢測方法，屬于太赫茲近場成像領域，解決半導體本身硬不透光內部微缺陷檢測無手段的問題。利用太赫茲近場成像系統的納米級精度和太赫茲對半導體的穿透性，采取結合光學顯微鏡定位，解決內部納米級微缺陷檢測難題，...

本發明涉及工業清洗技術領域，尤其涉及一種用于精密儀器的環形脈沖等離子體清洗裝置和方法。其主要針對現有等離子體清洗技術不足的問題，提出如下技術方案包括高壓脈沖電源、主機裝置、支撐支架與載物平臺；所述高壓脈沖電源、主機裝置、支撐支架與載物平...

本發明公開了一種超導磁體線圈骨架導引線接頭結構，涉及超導磁體研制工藝領域，包括：骨架本體，其包括繞線軸，分別連接于繞線軸的兩個軸向端面的側板以及開設于側板上的凹槽；導引組件，其包括套設于凹槽內的絕緣套，套設于絕緣套內的導引支架以及可拆卸...

本發明涉及電極真空檢漏裝置技術領域，尤其涉及一種應用于離子源引出電極的真空檢漏裝置。其技術方案包括夾具組件，所述夾具組件包括可相對開合的上夾持塊和下夾持塊，用于共同夾持并密封電極組件，以在所述電極組件的待測部位外圍形成一密閉的檢測腔體。...

本發明公開了一種高導熱性固體靶，屬于加速器中子源技術領域，包括絕緣PEEK基座和一體化固體靶；一體化固體靶設置于絕緣PEEK基座之上，一體化固體靶的靶體與絕緣PEEK基座緊密貼合固定；在絕緣PEEK基座上開有一圓形定位槽，用于一體化固體...

本申請涉及一種用于激光放大器的夾持裝置，涉及夾持裝置技術領域。其包括限位框，緩沖囊和頻率調流件，限位框包括兩個U形框相對接合圍而成，其中，U形框內部設有空腔，且空腔內盛裝有液體，空腔內設有分隔件，分隔件將空腔分為多個子腔室，且分隔件上設...

本發明涉及并網逆變器控制技術領域，尤其涉及一種適配下一代功率半導體的極弱電網逆變器魯棒控制方法。其技術方案包括以下步驟：采集逆變器橋臂電感的三相電流和并網點PCC處濾波電容的三相電壓；對三相電壓進行坐標變換與鎖相環處理，獲取電網側電容電...

本發明申請涉及法蘭密封結構技術領域，尤其涉及一種多級擋板液態金屬蒸汽防腐蝕法蘭密封結構。其技術方案包括上法蘭、下法蘭及壓緊其間的金屬密封墊圈，在密封圈內側的上、下法蘭相對面上設置有交錯嵌套且互不接觸的多級環形擋板，形成迷宮式通道。該結構...

本發明公開了一種太赫茲近場系統層析成像用多層成像方法，屬于太赫茲近場成像技術領域。所述方法針對現有太赫茲近場三維成像中難以實現內部深度定量標定的問題，提出通過初次掃描確定內部成像最深的信號，再通過二次或多次掃描進行多次數據處理，在相同放...

本發明公開了一種實現超緊湊自慢化中子發生器的方法。所述超緊湊自慢化中子發生器包括離子源系統、真空系統和靶系統；所述方法是在所述超緊湊自慢化中子發生器中引入高壓基座，所述高壓基座與所述靶系統的靶基底固定連接。本發明的超緊湊自慢化中子發生器...

本發明提供了一種大型核設施用冗余可靠核輻射監測網絡系統，適用于高輻射、高干擾的核聚變設施環境。該系統通過在設施各關鍵區域部署多個中子或伽馬探測器子系統，采用RS?485總線與TCP/IP以太網相結合的分層混合拓撲架構構建局部環網和主干雙...

本申請提供一種鐵路接觸網易損部件X光參數自適應調節方法及裝置，涉及X光無損成像技術領域，解決了低成本X光機在鐵路接觸網移動檢測過程中，因曝光參數設置缺乏依據且與車速不匹配而導致的成像重影、模糊及幾何失真的技術問題。該方法包括：獲取待測部...

本發明涉及雷電流測量技術領域，尤其涉及一種高聳桿塔波阻抗自適應觸發無線測量方法。其技術方案包括以下步驟：基于實際高聳桿塔的結構參數，在仿真軟件中建立與實際桿塔尺寸比例為1:1的三維模型，并對模型進行分段；在仿真軟件中向所述三維模型的塔頂...

本發明屬于超導磁體制造技術領域，具體涉及一種半骨架高徑寬比餅式超導線圈用組合式繞制工裝，包括第一夾持工裝、第二夾持工裝與支撐心軸；本發明提出一種分步式夾持繞制方案,解決了窄寬度線圈繞制不均的問題，利用玻璃絲布、特氟龍塊/環、夾持工裝結合...

本發明涉及閥門技術領域，尤其涉及一種應用于大口徑全金屬密封閥門密封結構。其主要針對傳統彈性體密封真空閥門無法滿足高真空、長周期等嚴苛工況需求，大口徑全金屬密封閥門存在因單道金屬圈密封受力不均、閥板剛度不足、密封圈磨損累積的問題，提出如下...